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公开(公告)号：KR1020090014031A
公开(公告)日：2009-02-06
申请号：KR1020070078251
申请日：2007-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01P7/08
CPC classification number: H01P7/08 , H01P1/20345 , H01P1/20363
Abstract: A nano resonator tuning a frequency by using DC power is provided to control a vibration frequency of a resonator according to the variation of the DC voltage. A beam with a sandwich structure is fixed on a silicon wafer(200). The beam with the sandwich structure generates the mechanical vibration according to the alternating current and the applied magnetic field. The AC power source(220) applies the AC voltage in both ends of the beam with the sandwich structure. The DC power source(230) applies the DC voltage in both ends of the beam with the sandwich structure. The beam with the sandwich structure includes a silicon carbide beam(211), a first metallic conductor(212) and a second metallic conductor(214). The first metallic conductor is deposited on the silicon carbide beam. Both ends of the first metallic conductor are connected to the AC power source. The second metallic conductor is deposited on the first metallic conductor. Both ends of the second metallic conductor are connected to the DC power source.
Abstract translation: 提供通过使用DC电力调谐频率的纳米谐振器，以根据DC电压的变化来控制谐振器的振动频率。 具有夹层结构的梁固定在硅晶片（200）上。 具有夹层结构的梁根据交流电和施加的磁场产生机械振动。 交流电源（220）将三角形结构的梁的两端的交流电压施加。 直流电源（230）将两端的直流电压施加到夹层结构上。 具有夹层结构的梁包括碳化硅梁（211），第一金属导体（212）和第二金属导体（214）。 第一金属导体沉积在碳化硅束上。 第一金属导体的两端连接到AC电源。 第二金属导体沉积在第一金属导体上。 第二金属导体的两端连接到直流电源。
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公开(公告)号：KR1020080105731A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070053705
申请日：2007-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01P7/00
CPC classification number: H03H9/2463 , B82Y15/00 , H03H9/02244 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/724 , Y10S977/932
Abstract: A nano-resonator using beam with composite structure is provided to supply sufficient resonance at quasi-resonant condition without a magnetic line induced from super-conduction. In a nano-resonator using beam with composite structure, a support layer(213), having a sandwich structure while having low density, is deposited on the silicon carbide resonator(211). A sacrificial layer(212) is used for the bond of two layers having capable of enduring the high frequency resonance, and a support layer(213) is composed of mental having low density. A beam of the composite structure includes the silicon carbide beam, the metallic conductor of the low density evaporated on the sacrificial layer and the sacrificial layer evaporated on the silicon carbide beam.
Abstract translation: 使用具有复合结构的光束的纳米谐振器被提供以在准谐振条件下提供足够的谐振，而没有由超导导致的磁线。 在使用具有复合结构的光束的纳米谐振器中，在碳化硅谐振器（211）上沉积具有夹层结构而具有低密度的支撑层（213）。 牺牲层（212）用于能够承受高频共振的两层的结合，并且支撑层（213）由具有低密度的精神构成。 复合结构的梁包括碳化硅束，在牺牲层上蒸发的低密度的金属导体和在碳化硅束上蒸发的牺牲层。
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公开(公告)号：KR1020070099268A
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020060030498
申请日：2006-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J1/30 , G02F1/13357 , C01B31/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J63/06 , H01J1/304 , G02F1/1336
Abstract: A field emission type backlight unit and a method for manufacturing the same are provided to increase an initial divergent angle of electrons emitted from an emitter by forming insulating layers in a line pattern on a substrate. A plurality of cathode electrodes(112) are formed on a lower substrate(110). A plurality of insulating layers(114) are formed in a line pattern on the lower substrate and the cathode electrodes. A plurality of gate electrodes(116) are formed on the insulating layers. At least, one emitter(130) is formed on the cathode electrode between the insulating layers. The emitter is formed of an electron emission material. The cathode electrodes are formed in parallel to each other. The insulating layers are formed to cross the cathode electrodes. The height of the insulating layers is 3 to 10 micrometers.
Abstract translation: 提供场致发射型背光单元及其制造方法，用于通过在衬底上形成线图案中的绝缘层来增加从发射体发射的电子的初始发散角。 多个阴极电极（112）形成在下基板（110）上。 在下基板和阴极上以线图案形成多个绝缘层（114）。 在绝缘层上形成多个栅电极（116）。 至少在绝缘层之间的阴极电极上形成一个发射极（130）。 发射极由电子发射材料形成。 阴极彼此平行地形成。 绝缘层形成为与阴极交叉。 绝缘层的高度为3〜10微米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170137364A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160069386
申请日：2016-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G02B27/58 , G02B1/02 , G02B3/08 , G02B5/1809 , G02B5/1876 , G02B21/0072 , G02B21/02
Abstract: 전자기파집속장치및 이를포함하는광학장치에관해개시되어있다. 개시된전자기파집속장치는기준점으로부터서로다른거리에위치하는복수의물질요소를포함할수 있고, 상기복수의물질요소의간격및/또는폭은상기기준점에서멀어지면서변화될수 있다. 예컨대, 상기복수의물질요소의간격및/또는폭은상기기준점에서멀어질수록증가또는감소할수 있다. 상기복수의물질요소의간격및 폭은상기전자기파와공간결맞음(spatial coherence) 조건을만족하도록제어될수 있다. 상기전자기파집속장치를이용하면, 예컨대, 고분해능/초해상도현미경을구현할수 있다.
Abstract translation: 一种电磁波聚焦装置和包括其的光学装置。 所公开的电磁波聚焦装置可以包括位于离参考点不同距离处的多个材料元件，并且多个材料元件的间隔和/或宽度可以远离参考点变化。 例如，多个材料元件的间距和/或宽度可随着与参考点的距离增加而增加或减小。 可以控制多个材料元件的间隔和宽度以满足电磁相干性和空间相干性条件。 通过使用电磁波聚焦装置，例如，可以实现高分辨率/超分辨率显微镜。
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公开(公告)号：KR1020170058789A
公开(公告)日：2017-05-29
申请号：KR1020150162841
申请日：2015-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01S5/18377 , G02B5/0833 , H01L33/46 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/34
Abstract: 전자기파반사체및 이를포함하는광학소자에관해개시되어있다. 개시된전자기파반사체는복수의층을포함할수 있고, 상기복수의층들은비주기적인(aperiodic) 구조/두께를가질수 있다. 상기복수의층들은전자기파에대하여공간결맞음(spatial coherence) 조건을만족할수 있다. 상기반사체는제1 굴절률을갖는제1 물질로형성된복수의제1 물질층및 제2 굴절률을갖는제2 물질로형성된복수의제2 물질층을포함할수 있다. 상기복수의제1 물질층중 적어도두 개는서로다른두께를가질수 있다. 상기복수의제2 물질층중 적어도두 개는서로다른두께를가질수 있다. 또한, 상기복수의제1 물질층중 적어도하나와상기복수의제2 물질층중 적어도하나는서로다른두께를가질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种电磁波反射器和包括该电磁波反射器的光学元件。 所公开的电磁波反射器可以包括多个层，并且多个层可以具有非周期性结构/厚度。 多个层可以满足电磁波的空间相干条件。 该反射器可以是多个具有多个第一材料层和第二折射率的第二材料形成的第二材料层的由具有折射率的第一折射率的第一材料形成。 多个第一材料层中的至少两个可以具有不同的厚度。 多个第二材料层中的至少两个可以具有不同的厚度。 而且，多个第一材料层中的至少一个和多个第二材料层中的至少一个可以具有不同的厚度。
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公开(公告)号：KR101710714B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020090136216
申请日：2009-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81C1/00063 , B81B2201/0271 , B81C1/00619 , B81C2201/019 , H01J25/34 , H01L25/50 , H01L2924/0002 , H01P11/003 , H01L2924/00
Abstract: 관통식각홀패턴과제1비관통식각홀패턴이형성된제1기판과제1기판의관통식각홀패턴에대응되는위치에동일한제2비관통식각홀패턴이형성된제2기판을접합하여만든멤스소자에대하여개시된다. 또한제 1기판과제2기판이접합된것을제1구조체와제 1구조체와같은구조의제2구조체를서로접합한멤스소자에대하여개시된다.
Abstract translation: 提供了包括第一结构100和第二结构200的微机电系统（MEMS）。第一结构和第二结构可以各自包括第一基板110和第二基板120.每个结构的第一基板可以具有第一和第二表面 面对面。 第一基板可以包括穿过第一表面和第二表面的通孔蚀刻孔图案和穿过第一表面的第一非通孔蚀刻孔图案。 每个结构的第二基板120可以具有彼此面对的第三和第四表面。 第二基板可以包括在对应于第一基板的通孔蚀刻孔图案的位置中穿透第三表面的第二非通孔蚀刻孔图案。 在微电子机械系统（MEMS）中，第一基板的第二表面和第二基板的第三表面可以结合在一起。
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公开(公告)号：KR101703846B1
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020100093293
申请日：2010-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/21 , G02F1/218 , G02F2202/30 , G02F2203/13 , H01P1/2005 , H01P7/082 , H01Q15/0026 , H01Q15/0086
Abstract: 메타물질구조물이개시된다. 개시된메타물질구조물은기판의서로다른면 또는서로다른층에서로다른공진특성을갖는공진기들이마련되며, 소정의주파수구간에서의유전율과투자율및 굴절률각각이기판의유전율과투자율및 굴절률과다른값을갖는다.
Abstract translation: 提供超材料结构，其包括衬底和设置在衬底的不同表面或衬底的不同层上的多个谐振器。 谐振器具有彼此不同的共振特性，并且超材料结构在预定频率带宽中具有分别不同于衬底的介电常数，磁导率和折射率。
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公开(公告)号：KR101647045B1
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020100110342
申请日：2010-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B1/002 , B81C1/00111 , G02F2202/30 , H01Q15/0086 , Y10S977/834
Abstract: 3차원직립형메타물질구조물및 그제조방법이개시된다. 개시된 3차원직립형메타물질구조물은소정의주파수구간에서의유전율과투자율및 굴절률각각이기판의유전율과투자율및 굴절률과다른값을갖는것으로서, 기판상에고정되는고정부와, 고정부에서연장되어상기기판의상방으로휘어져형성된복수의아암을포함하는공진기들을포함하며, 공진기구조는 MEMS/NEMS 공정으로용이하게제조가능하다.
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