公开(公告)号：KR100578824B1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020050020358

申请日：2005-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영근 ,  여재현 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  윤경렬 ,  이승환 ,  정은애 ,  최대식 ,  박기연 ,  임기빈 ,  최한메 ,  권종완

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/108

Abstract: 박막 제조 방법 및 이를 이용한 게이트 구조물, 커패시터의 제조 방법에서, 1개의 알콕시기(alkoxy group)와 3개의 아미노기(amino group)를 포함하는 하프늄 전구체 및 상기 하프늄 전구체를 산화시키기 위한 산화제를 상기 기판 상부로 제공한다. 이어서, 상기 기판의 상부로 제공된 하프늄 전구체와 산화제를 이용하여 상기 기판 상에 하프늄 산화물을 포함하는 고체물질을 형성한다. 그 결과, 상기 기판 상에는 하프늄 산화물을 포함하는 고체 물질로 이루어지는 박막이 형성된다. 그리고, 상기 박막을 게이트 구조물의 게이트 절연막, 커패시터의 유전막 등에 용이하게 적용한다.

Abstract translation: 在薄膜制造方法和使用其的栅极结构和电容器制造方法中，将含有一个烷氧基和三个氨基的铪前驱体和用于氧化铪前驱体的氧化剂沉积在基板上 提供。 然后使用在衬底顶部提供的铪前体和氧化剂在衬底上形成包含氧化铪的固体材料。 结果，在基板上形成由含有氧化铪的固体材料制成的薄膜。 该薄膜易于应用于栅极结构的栅极绝缘膜，电容器的电介质膜等。

公开(公告)号：KR100578786B1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020040038058

申请日：2004-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  최한메 ,  남갑진 ,  이승환

IPC: H01L21/20

Abstract: 원자층 증착 공정을 이용한 향상된 누설 전류 제어 특성과 우수한 절연 특성을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 이용한 캐패시터의 제조 방법에서, 챔버 내부에 기판을 위치시킨 후, 챔버 내부에 제1 반응물질을 도입한다. 상기 제1 반응물질의 일부를 기판 상에 화학 흡착시킨다. 챔버 내부에 제2 반응물질을 도입하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 아르곤, 제논, 크립톤과 같은 불활성 가스와 산소, 질소, 아산화질소와 같은 비활성 가스를 사용하여 형성한 불순물 제거용 플라즈마를 이용하여 챔버 내에 잔류하는 반응물질과 상기 박막내의 불순물을 동시에 제거한다. 박막 내의 불순물을 효과적으로 제거할 수 있어 누설 전류를 현저히 감소시킬 수 있다.

Abstract translation: 在用于形成薄膜使用原子层沉积工艺和使用该制造电容器，然后将衬底放置在腔室中，并引入第一反应物腔室的方法，改进的泄漏控制性能和优异的绝缘性能的方法。 一部分第一反应物被化学吸附到基底上。 将第二反应材料引入腔室中以在基底上形成薄膜。 使用诸如氩气，氙气或氪气之类的惰性气体以及诸如氧气，氮气或氧化亚氮之类的惰性气体同时除去腔室中残留的反应物质和薄膜中的杂质。 薄膜中的杂质可以被有效地去除，并且泄漏电流可以显着降低。

公开(公告)号：KR1020060037970A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040087079

申请日：2004-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤경렬 ,  최한메 ,  이승환 ,  최대식 ,  박기연 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L28/91

Abstract: 반도체 장치의 커패시터 형성 방법에 있어서, 기판 상에 하부 전극을 형성한 후, 유전막의 표면 모폴로지를 개선하기 위한 시드막을 상기 하부 전극 상에 형성한다. 그리고, 상기 시드막 상에 지르코늄 산화물을 포함하는 유전막을 형성한 후, 상기 유전막 상에 상부 전극을 형성한다. 따라서, 높은 유전율을 가지고, 등가 산화막 두께가 충분하게 낮으면서도 양호한 표면 모폴로지를 갖는 유전막의 형성이 가능하다. 그러므로, 상기 반도체 장치의 안정성과 신뢰성을 동시에 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060029555A

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：KR1020040078552

申请日：2004-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영근 ,  여재현 ,  남갑진 ,  이종철 ,  최재형 ,  김성태 ,  김영선 ,  최대식 ,  박기연 ,  이승환 ,  최한메 ,  유차영

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  F04B53/10 ,  H01L21/02

Abstract: 잔류물이 완전히 제거되었는 지를 확인하는 잔류물 감지장치 및 그 감지방법에 대해 개시한다. 개시된 장치 및 방법은 반응물질을 저장하고 방출하는 저장용기와, 저장용기에 연결되어 반응물질을 공급하는 통로인 공급라인과, 공급라인에 의해 공급된 반응물질을 방출하는 통로인 방출라인 및 공급라인의 중간에 연결되어 공급라인과 방출라인에 잔류하는 반응물질의 잔류물을 확인하는 감지센서를 장착한 잔류물 감지부를 포함한다.
잔류물, 감지장치, 감지센서

公开(公告)号：KR100560963B1

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：KR1020040011765

申请日：2004-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  박기연 ,  여재현 ,  김성태 ,  김영선 ,  박인성 ,  이승환

IPC: H01L21/20

Abstract: 원자층 증착 공정을 이용하여 향상된 누설 전류 제어 특성과 우수한 절연 특성을 가지는 물질의 형성 방법 및 이에 따른 박막의 형성 방법, 그리고 이를 이용한 캐패시터의 제조 방법이 개시되어 있다. 제1 원소를 포함하는 제1 반응물을 기판 상에 화학 흡착시키고, 화학 흡착된 제1 반응물과 제2 원소를 포함하는 제2 반응물을 화학적으로 반응시켜 기판 상에 제1 원소와 제2 원소의 화학적 결합에 의해 이루어진 물질을 형성한다. 상술한 과정을 5회 이상 반복하여 약 5 내지 30Å의 물질을 형성한 후, 제2 원소를 포함하는 제1 플러싱 가스를 형성된 물질에 적용하여 물질의 특성을 개선한다. 박막 내의 탄소를 효과적으로 제거할 수 있어 누설 전류를 현저히 감소시킬 수 있고, 산소 결핍을 방지하여 우수한 절연성능을 가지는 박막을 형성할 수 있다. 또한 양질의 박막과 이를 이용한 신뢰성 높은 메모리 소자를 인-시츄 공정에서 경제적으로 생산할 수 있으므로 반도체 제조 공정의 전체적인 시간과 비용을 절감할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060003261A

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020040052079

申请日：2004-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  최한메 ,  이승환 ,  정은애 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 엠아이엠 캐패시터를 갖는 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 다음의 단계들을 포함한다. 기판 상에 제1 도전성 금속질화막을 포함하는 하부 전극을 형성하고, 하부 전극의 표면을 덮는 유전막 및 상부 전극막을 차례로 콘포말하게 형성한다. 이때, 상부 전극막은 제2 도전성 금속질화막을 포함한다. 상부 전극막의 소정영역 상에 상부 전극막에 대하여 식각선택비를 갖는 하드마스크 패턴을 형성한다. 하드마스크 패턴은 PE-TEOS막에 비하여 단차도포성이 우수한 마스크 산화막을 포함하도록 형성한다. 하드마스크 패턴을 마스크로 사용하여 상부 전극막을 식각하여 상부 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR100538096B1

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：KR1020040017503

申请日：2004-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김성태 ,  김영선 ,  박영근 ,  정숙진 ,  이승환

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 개시된 커패시터 형성 방법에 있어서, 제1유전막은 하부 전극이 형성된 반도체 기판 상에 형성된다. 상기 제1유전막은 알루미늄 질화물(AlN)로 이루어지며, TMA 소스와 암모니아(NH
3 ) 플라즈마를 이용하는 원자층 증착 방법에 의해 형성된다. 고유전율 물질로 이루어진 제2유전막은 상기 제1유전막 상에 형성되며, 상부 전극은 상기 제2유전막 상에 형성된다. 상기 제1유전막은 암모니아(NH
3 ) 가스 또는 질소(N
2 ) 플라즈마를 이용하여 형성된 유전막보다 더 우수한 유전 특성을 갖는다. 따라서, 커패시터의 동작 성능이 향상될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050103348A

公开(公告)日：2005-10-31

申请号：KR1020040028591

申请日：2004-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승환 ,  강성일

IPC: H04B1/38

CPC classification number: H04M1/0264 ,  H04M2250/20

Abstract: 본 발명는 단말기에서 누름에 따라 카메라 렌즈 모듈을 인입/인출시킬 수 있도록 구성한 휴대 단말기의 카메라 렌즈 모듈 팝업 장치에 관한 것으로서, 카메라 렌즈 모듈을 구비한 휴대 단말기에 있어서, 렌즈 커버와, 상기 렌즈 커버에 구비되어 누름에 따라서 상기 렌즈 커버에서 인입/인출되고, 인출시 상기 렌즈 모듈의 회전축을 중심으로 회전하는 렌즈 하우징과, 상기 렌즈 커버내에 구비되어 상기 렌즈 하우징을 수용함과 동시에 상기 렌즈 하우징을 상기 렌즈 커버에서 인입/인출가능하도록 가이드 하는 가이드 하우징과, 상기 가이드 하우징과 결합되어 상기 렌즈 하우징을 인입시 구속시키고, 누름에 따라서 상기 렌즈 하우징의 구속을 해제시키는 락킹 장치로 구성되어짐을 특징으로 하며, 이에 따라, 카메라 렌즈의 사용을 편리하게 할 수 있고, 사용자가 카메라 렌즈 모듈을 사용하지 않을 경우 단말기 본체 내부로 인입되어 카메라 렌즈를 보호하고, 이물질에 대한 오염을 방지할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050075638A

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：KR1020040003576

申请日：2004-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  이승환 ,  김성태 ,  김영선 ,  임재순 ,  박영근

IPC: H01L21/8242

Abstract: SOI(Silicon On Insulator) 타입 웨이퍼를 이용한 트렌치 커패시터 형성방법을 개시한다. 본 발명에 따른 트렌치 커패시터 형성방법에서는, 제1 실리콘 기판 위에 매립전극용 도프트 에피층 및 칼라용 산화막을 차례로 형성하고, 제2 실리콘 기판 위에 활성영역용 에피층을 형성한 후, 이들을 접착하여 SOI 타입 웨이퍼를 제작한다. 이러한 웨이퍼를 식각하여 트렌치를 형성하면, 복잡한 매립전극 및 산화물 칼라 형성 공정을 생략하여 커패시터를 형성할 수 있으며, 활성영역용 에피층 위에 트랜지스터를 형성할 수 있기 때문에 트랜지스터 특성이 개선되는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050043194A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：KR1020030078007

申请日：2003-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승환

IPC: H04L12/28

Abstract: 디지털 가전기기간의 통신방법이 개시된다. 본 디지털 가전기기간의 통신방법은, 복수의 디지털 가전기기가 통신가능하게 접속되며, 복수의 디지털 가전기지 중 어느 하나가 마스터 디지털 가전기기가 되고, 나머지는 슬레이브 디지털 가전기기가 되는 통신환경에서, 슬레이브 디지털 가전기기에 각각 다른 ID를 부여하는 단계, 마스터 디지털 가전기기가 소정의 ID를 포함하는 명령어를 슬레이브 디지털 가전기기에 전송하는 단계, 및 슬레이브 디지털 가전기기 중에서, 소정의 ID를 갖는 디지털 가전기기가 상기 명령어에 대응하는 응답 신호를 마스터 디지털 가전기기에 전송하는 단계를 포함한다. 이에 의해, 디지털 가전기기에 대한 제어방법을 다양화할 수 있으며, 디지털 가전기기의 통합적 사용이 가능하게 된다.