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公开(公告)号：KR101279966B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080135867
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 금속 착화합물, 유기산, 및 무기산을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 연마제로 1차 입경이 35 ~ 65nm인 콜로이드 실리카를 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 1.5 중량%로 사용하고, 상기 산화제로 과산화수소, 벤조일 퍼옥사이드, 칼슘 퍼옥사이드, 바륨 퍼옥사이드, 소듐 퍼옥사이드, 및 암모늄 퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 과산화 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 5 중량%로 사용하며, 상기 금속 착화합물로 구연산철암모늄(Ferric ammonium citrate)을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 1.5 중량%로 사용하며, 상기 유기산으로 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 및 타르타르산으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 카르복시산을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.05 ~ 0.35 중량%로 사용하며, 상기 무기산으로 질산, 황산, 인산, 및 염산으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.05 ~ 0.35 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타내어 연마 공정 시간이 짧으며, 이로전(erosion) 등의 표면 결함이 적으므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
금속 배선, CMP 슬러리, 콜로이드 실리카, 과산화 화합물, 구연산철암모늄, 유기산, 무기산, 연마 속도, 이로전(erosion), 표면 결함Abstract translation: 本发明涉及一种用于金属丝研磨CMP浆料组合物，更具体地涉及超纯水，研磨剂，氧化剂，金属络合物，有机酸，和在CMP浆料组合物，其包括无机酸，一次粒径在浆料35〜65nm的 使用胶态二氧化硅以0.1至1.5重量％，基于总的CMP浆料组合物的重量，和所述氧化剂，过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠，和选自过氧化铵的组中选择 使用的0.1至5％（重量）相对于整个CMP浆料组合物中的至少一种过氧化物化合物，和基于总CMP浆料组合物用于金属络合物的柠檬酸铁铵（柠檬酸铁铵）0.1至1.5％（重量）， 乙酸作为有机酸，柠檬酸，戊二酸，葡糖酸，甲酸，乳酸，苹果酸，丙二酸，马来 酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，并使用选自由酒石酸组成的组中选择的一种或多种酸，0.05％至0.35％的，基于总CMP浆料组合物的重量，由用硝酸，硫酸，磷酸，和盐酸的无机酸的组 基于全部CMP浆料组合物计，为0.05-0.35重量％。
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公开(公告)号：KR101178718B1
公开(公告)日：2012-08-31
申请号：KR1020080135278
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 금속 착화합물, 및 고분자 화합물을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 고분자 화합물로 아크릴산과 아크릴아미드의 공중합 비율이 1:30 내지 30:1인 아크릴산-아크릴아미드 공중합체를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타내어 연마 공정 시간이 짧으며, 이로전(erosion) 등의 표면 결함이 적으므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
금속 배선, CMP 슬러리, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체, 연마 속도, 이로전(erosion), 표면 결함-
公开(公告)号：KR1020120078596A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110136746
申请日：2011-12-16
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A CMP slurry composition is provided to improve pattern polishing performance, and to able to reduce abrasion ratio of diamond disks. CONSTITUTION: A CMP slurry composition comprises abrasive, adsorber and water, and has pad cutting ratio of 2-6%. The pad cutting ratio is in chemical formula 1: B/A × 100. In chemical formula 1, A is an initial height of a pad, and B is total sum of a cut amount measured per one hour during total polishing time of 5 hours. A manufacturing method of the CMP slurry composition comprises: a step of manufacturing a mixture for slurry by mixing the abrasive, absorber, and the water, and a step of manufacturing a slurry composition by ultrasonic treatment and/or bead milling treatment of the mixture for slurry.
Abstract translation: 目的：提供CMP浆料组合物以改善图案抛光性能，并且能够降低金刚石圆盘的磨损率。 构成：CMP浆料组合物包括研磨剂，吸附剂和水，并且具有2-6％的垫切割率。 垫切割率在化学式1中：B / A×100。在化学式1中，A是垫的初始高度，B是在5小时的总抛光时间内每1小时测量的切割量的总和 。 CMP浆料组合物的制造方法包括：通过混合研磨剂，吸收剂和水来制备用于浆料的混合物的步骤，以及通过超声处理和/或珠磨处理混合物制备浆料组合物的步骤 泥浆。
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公开(公告)号：KR1020100080074A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138695
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: PURPOSE: A slurry composition is provided to minimize recess and erosion generated in chemical mechanical polishing process and to control polishing characteristic between the metal layer and insulating layer. CONSTITUTION: A slurry composition for chemical mechanical polishing contains polishing agent, oxidizer, ultrapure water. CeO_2 is used of colloid type as a polishing agent. The slurry is a form which CeO_2 of colloid type in ultrapure water. The concentration of the CeO_2 of colloid type is 0.01-20 weight% based on solid content. The average size of the primary particle is 10-200nm. An oxidizer is contained in 0.1-20 weight%.
Abstract translation: 目的：提供浆料组合物以最小化化学机械抛光工艺中产生的凹陷和侵蚀，并控制金属层和绝缘层之间的抛光特性。 构成：用于化学机械抛光的浆料组合物含有抛光剂，氧化剂，超纯水。 CeO_2用作胶体型作为抛光剂。 浆液是超纯水中胶体型CeO_2的形式。 基于固体含量，胶体型CeO_2的浓度为0.01-20重量％。 初级粒子的平均粒径为10-200nm。 氧化剂含量为0.1-20重量％。
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公开(公告)号：KR1020100077814A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135867
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to have a high polishing speed of a copper wiring and to be used for polishing process of the metal wiring due to a short polishing process time and few surface defect including erosion. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition includes ultrapure water, an abrasive, an oxidizing agent, a metal complex compound, an organic acid, and an inorganic acid. The abrasive is colloid silica having a first particle diameter of 35-65 nm and the abrasive is used with an amount of 0.1-1.5 weight% based on the total slurry composition. The oxidizing agent is a peroxide compound which is selected from benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, sodium peroxide, and ammonium peroxide.
Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光浆料组合物以具有高的抛光速度的铜布线并且由于抛光时间短和包括腐蚀在内的少量表面缺陷而用于金属布线的抛光工艺。 构成：化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，研磨剂，氧化剂，金属络合物，有机酸和无机酸。 研磨剂是第一粒径为35-65nm的胶体二氧化硅，并且研磨剂的使用量相对于总淤浆组成为0.1-1.5重量％。 氧化剂是选自过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠和过氧化铵的过氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100075174A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020080133805
申请日：2008-12-24
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: PURPOSE: A CMP slurry composition for grinding metal wires with the low surface defect is provided to secure the fast polishing time, and to reduce the surface defect including the erosion and the dishing. CONSTITUTION: A CMP slurry composition for grinding metal wires contains ultrapure water, an abrasive, an oxidizer, and a pH adjusting agent. The abrasive uses 0.5~3wt% of colloid silica with the first diameter of 30~70 nanometers for the total amount of slurry composition. The oxidizer contains 0.1~5wt% of peroxy compound selected from the group consisting of hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, sodium peroxide, and ammonium peroxide. The pH of the CMP slurry composition is 2.3~3.
Abstract translation: 目的：提供用于研磨具有低表面缺陷的金属丝的CMP浆料组合物，以确保快速抛光时间，并减少包括腐蚀和凹陷在内的表面缺陷。 构成：用于研磨金属线的CMP浆料组合物含有超纯水，磨料，氧化剂和pH调节剂。 研磨剂使用0.5〜3重量％的胶体二氧化硅，第一直径为30〜70纳米，用于浆料组成的总量。 氧化剂含有0.1〜5wt％的过氧化合物，选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠和过氧化铵。 CMP浆料组成的pH为2.3〜3。
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公开(公告)号：KR1020070075078A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020060003409
申请日：2006-01-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to prevent a steep decline in a polishing rate while minimizing polishing defects such as dishing, corrosion, and scratch causable upon high-pressure polishing. The chemical mechanical polishing slurry composition consists of an oxidant, an inorganic acid, an organic acid, and an abrasive, and further an activator. The activator is added in an amount of 0.01-10wt% based on the total slurry composition. The activator is at least one selected from tetraacetylethylenediame, diacetin, acetic anhydride, and pentaacetylglucose. The oxidant is at least one peroxide compound selected from hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, and sodium peroxide.
Abstract translation: 提供了一种化学机械抛光浆料组合物，以防止抛光速率的急剧下降，同时最大限度地减少在高压抛光时可能产生的凹陷，腐蚀和划痕的抛光缺陷。 化学机械抛光浆料组合物由氧化剂，无机酸，有机酸和研磨剂组成，还有活化剂。 基于总浆料组成，活化剂的添加量为0.01-10重量％。 活化剂是选自四乙酰基乙二胺，二乙酸甘油酯，乙酸酐和五乙酰基葡萄糖中的至少一种。 氧化剂是选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡和过氧化钠中的至少一种过氧化物。
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公开(公告)号：KR100600598B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020030068745
申请日：2003-10-02
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 연마능 및 연마 재현성이 우수하면서도 연마결함을 야기시키지 않는 금속 CMP(Metal Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화제로서 무기산 및 과산화 화합물, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 연마제로서 금속산화물 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 화학적 연마능이 뛰어날 뿐만 아니라, CMP 공정에 적용시 발생하는 옥사이드 이로젼, 부식, 피트, 디싱, 스크래치 등의 연마결함을 현저히 감소시킬 수 있고, 슬러리의 저장안정성 및 연마재현성이 현저히 향상된다.
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公开(公告)号：KR100565426B1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：KR1020030098871
申请日：2003-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물, 알코올, 카르복시산, 리놀레산, 무기 산화제, 금속 착화합물, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것이며, 본 발명에 의하면 텅스텐 배선의 CMP 공정시 스크래치 및 잔류 입자 등의 결함을 방지할 수 있으며, 금속산화물의 연마입자 침강 및 뭉침을 방지하여 저장안정성이 개선되는 효과를 제공할 수 있다.
반도체, CMP, 과산화물, 알코올, 리놀레산, 스크래치, 저장안정성-
公开(公告)号：KR100516887B1
公开(公告)日：2005-09-23
申请号：KR1020020078421
申请日：2002-12-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 탈이온수에 분산된 연마제, 제 1 산화제, 제 2 산화제, 금속-킬레이트 착물, 및 pH 조절제를 포함하는 금속배선층 연마용 CMP 슬러리 조성물로서, 상기 연마제가 1차 입자의 비표면적이 130㎡/g 내지 300㎡/g인 발연 알루미나 또는 세리아 미분말인 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속배선층의 연마속도가 높고 연마속도 선택비가 우수하며 장기보관에 따른 연마속도 저하에 대한 우려가 없으므로, 반도체 공정에서 요구되는 연마속도를 안정적으로 얻을 수 있게 해준다.
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