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公开(公告)号：KR1020100062584A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121295
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C04B41/91 , C04B35/565 , C04B41/4529 , C04B41/455 , C04B41/85 , C04B41/89 , C04B2235/427 , C04B2235/963
Abstract: PURPOSE: A ceramic body coated with a diamond film and a manufacturing method thereof are provided to maintain the excellent property of the ceramic body while changing only the surface of the ceramic body. CONSTITUTION: A manufacturing method of a ceramic body coated with a diamond film comprises the following steps: forming a surface layer including a reaction residue by occurring a chemical reaction on the surface of the ceramic body; forming the surface layer with an uneven embossment form by removing the reaction residue from the surface layer; and vaporizing the diamond film on the surface layer. The average illuminance of the surface layer is less than 50 micrometers. The ceramic body includes SiC or Si_3N_4.
Abstract translation: 目的：提供一种涂有金刚石薄膜的陶瓷体及其制造方法，以在仅陶瓷体的表面改变时保持陶瓷体的优异性能。 构成：涂覆有金刚石膜的陶瓷体的制造方法包括以下步骤：通过在陶瓷体的表面上发生化学反应形成包含反应残留物的表面层; 通过从表面层除去反应残余物而形成具有不均匀压花形式的表面层; 并蒸发表面层上的金刚石膜。 表面层的平均照度小于50微米。 陶瓷体包括SiC或Si_3N_4。
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公开(公告)号：KR1020100013688A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020080075318
申请日：2008-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , C01B32/20 , C01P2002/78 , Y10T428/13 , Y10T428/261 , Y10T428/298 , Y10T428/2982
Abstract: PURPOSE: AA' stacked graphite of a stable crystalline state and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical characteristic by increasing electrical characteristic by increasing the interlayer distance compared to AB laminate graphite. CONSTITUTION: AA' stacked graphite of a stable crystalline state includes AA' stacked structure and consists of two or more graphene. Two carbon atoms are located on a hexagonal endocyclic of a first layer(A). The two carbon atoms are located on the hexagonal endocyclic of a second layer. A manufacturing method of the AA' laminate graphite is heat-treated in 1,000-2,000°C.
Abstract translation: 目的：提供具有稳定结晶状态的AA'叠层石墨及其制造方法，以通过增加与AB层压石墨相比的层间距离增加电特性来改善电特性。 构成：稳定结晶状态的AA'堆积石墨包括AA'堆叠结构，由两个或更多个石墨烯组成。 两个碳原子位于第一层（A）的六边形内环上。 两个碳原子位于第二层的六边形内环上。 AA'层压石墨的制造方法在1000-2000℃下进行热处理。
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公开(公告)号：KR100314931B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019990040683
申请日：1999-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B24B9/16
Abstract: 본발명은인발다이(wire drawing die)용천연또는합성다이아몬드단결정의양면평행연마방법에관한것으로, 다수의다이아몬드단결정의양면에금속판재를접촉시키고, 이접촉물을액상형성이없는고상(solid state)의일정온도까지가열한후 상기온도에서일정시간유지하는다이아몬드단결정의양면평행연마방법을제공한다. 본발명의방법으로다량의다이아몬드단결정에대하여양면을동시에평행하게평탄화시킬수 있으며, 평탄화된(planarized) 평행한양면에수직하게홀을형성하여이를인발용다이로사용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960010086B1
公开(公告)日：1996-07-25
申请号：KR1019930030636
申请日：1993-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C23C16/272 , Y10T428/30
Abstract: The diamond film is deposited on a substrate by generating the plasma between the negative electrode, made by arranging the U-shape filaments of the plural number in a line, in parallel, and the positive electrode by high density DC glow discharge from glow-to-arc transition current. The temp. of the U-shape filament negative electrode must be maintained more than 2100-2300 deg.C in order to prevent the generation of arc between electrodes in the process of synthesis.
Abstract translation: 通过在负极之间产生等离子体来沉积金刚石膜，所述等离子体通过将多个并联的多个U形细丝并排排列成与通过高密度直流辉光放电从发光到 -arc转换电流。 温度 的U形灯丝负极必须保持在2100-2300摄氏度以上，以防止合成过程中电极之间产生电弧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950017734A
公开(公告)日：1995-07-20
申请号：KR1019930030636
申请日：1993-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
Abstract: 본 발명은 고밀도 직류 글로우 방전에 의한 다이아몬드막 중착방법에 관한 것이다. 본 발명은 U자형 필라멘트를 복수개 일열로 평행하게 배열하여 구성된 음극을 사용하고, 이 U자형 필라멘트의 온도를 2100∼2300℃ 이상으로 하여 기판상에 다이아몬드막의 증착이 이루어지도록 한 것이다. 본 발명은 합성중 전극간 아크발생이 방지되어 기판위로 안정한 플라즈마가 형성됨으로 인해 두께 수백μ 내지 1mm, 직경 5cm이상의 대면적, 고품위 다이아몬드 증착이 가능하다.
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公开(公告)号：KR101788764B1
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020160093372
申请日：2016-07-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은 WC-Co계초경재료인모재에다이아몬드가코팅된다이아몬드코팅부품으로서, 상기모재의상부에증착되는중간층; 상기중간층의상부에증착되는다이아몬드핵 생성촉진층; 및상기다이아몬드핵 생성촉진층의상부에증착되는다이아몬드코팅층을포함하는다이아몬드코팅부품및 그제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101728838B1
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020150014798
申请日：2015-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 센싱전극은, 기판및 필라멘트(filament)가위치하는반응챔버에, 수소및 탄화소수를포함하는원료기체를주입하는단계; 상기기판을 850도내지 930도의온도로가열하는단계; 상기필라멘트를가열하여상기원료기체를활성화하는단계; 및활성화된상기원료기체로부터, 가열된상기기판상에전극층을형성하는단계에의해제조될수 있다. 상기전극층은, 그래핀(graphene) 층및 상기그래핀층에삽입되며상호연결된(inter-connected) 다이아몬드나노플레이크(diamond nanoflake)들로이루어진다. 다이아몬드나노플레이크들의상호연결에의해전도성이향상되어, 센싱전극의전기화학적성능이향상될수 있다.
Abstract translation: 将含有氢气和碳氟化合物的原料气体注入到其中设置有基板和灯丝的反应室中; 将衬底加热到850℃或930℃的温度; 加热长丝以激活原料气体; 以及从激活的原料气体在加热后的基板上形成电极层的步骤。 电极层由石墨烯层和插入石墨烯层中的相互连接的钻石纳米薄片组成。 金刚石纳米片的互连性改善了导电性，并且可以改善感测电极的电化学性能。
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公开(公告)号：KR1020170025471A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150121950
申请日：2015-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명에따른초박형실리콘태양전지를위한비대칭적나노격자구조는경사증착법에의해대칭형나노격자를갖는실리콘을소정각도만큼경사지게위치시킨후, 실리콘후면에유전체를증착시켜실리콘과유전체의복합체형태의비대칭적나노격자구조를갖도록하되, 실리콘의전면에유전체의나노콘형태의무반사막을배치시켜전기적인손실을저감하면서동시에광포집효과를극대화할수 있는효과가있다.
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