公开(公告)号：KR1020080067166A

公开(公告)日：2008-07-18

申请号：KR1020070004389

申请日：2007-01-15

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  송성식 ,  김홍득

IPC: H04B1/16

CPC classification number: H04B1/16 ,  H03L7/083 ,  H03L7/0995

Abstract: A broadband receiver is provided to extract noiseless, clean Rx data by suppressing harmonic components in the case of converting received RF signals into baseband signals in a direct conversion method. A broadband receiver is comprised of an RF front-end part(110), a multi-phase controller(120), and a baseband signal conversion part(130). The RF front-end part receives an RF signal associated with a channel control signal. The multi-phase controller has a frequency associated with the channel control signal, and creates a plurality of square-wave phase signals and sine-wave phase signals which have different phases at mutually identical intervals. The baseband signal conversion part mixes the received RF signal with the created square-wave phase signals and sine-wave phase signals so that harmonic components can be mutually cancelled, and converts the received RF signal into a baseband signal.

Abstract translation: 提供宽带接收机，通过在直接转换方法中将接收到的RF信号转换为基带信号的情况下，通过抑制谐波分量来提取无噪声，干净的Rx数据。 宽带接收机包括RF前端部分（110），多相控制器（120）和基带信号转换部分（130）。 RF前端部分接收与信道控制信号相关联的RF信号。 多相控制器具有与通道控制信号相关联的频率，并且以相互相同的间隔产生具有不同相位的多个方波相位信号和正弦波相位信号。 基带信号转换部分将接收的RF信号与产生的方波相位信号和正弦波相位信号进行混合，使得谐波分量可以相互抵消，并将接收到的RF信号转换为基带信号。

公开(公告)号：KR1020080048591A

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：KR1020060118742

申请日：2006-11-29

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 송성식 ,  이귀로 ,  임동구 ,  김홍득

IPC: H03F1/26

CPC classification number: H03F1/26 ,  H03F1/223 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F2200/294

Abstract: A wide-band low-noise amplifier using a current mirror is provided to perform a positive current feedback operation by using the current mirror. First and second common gate amplifiers(500,510) convert input signals of first and second input terminals to current. First and second common source amplifiers(520,530) amplify output signals of the first and second common gate amplifiers and output the amplified output signals to first and second output terminals. First and second current mirrors(540,550) supply the current to the first and second common source amplifiers according to the current applied to the first and second common gate amplifiers and feeds back the forward current to the second and first input terminals.

Abstract translation: 提供使用电流镜的宽带低噪声放大器，以通过使用电流镜来执行正电流反馈操作。 第一和第二公共门放大器（500,510）将第一和第二输入端的输入信号转换为电流。 第一和第二公共源极放大器（520,530）放大第一和第二公共栅极放大器的输出信号，并将放大的输出信号输出到第一和第二输出端。 第一和第二电流镜（540,550）根据施加到第一和第二公共栅极放大器的电流将电流提供给第一和第二公共源放大器，并将正向电流反馈到第二和第一输入端。

公开(公告)号：KR100650329B1

公开(公告)日：2006-11-27

申请号：KR1020050105171

申请日：2005-11-04

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 남일구 ,  이귀로 ,  이준희

IPC: H04B1/06 ,  H04B1/16

Abstract: A receiver using a vertical BJT(Bipolar Junction Transistor) realized by a deep n-well CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) is provided to reduce I/f noise, consequently linearity is improved while mismatch between I(In-phase) and Q(Quadrature) channels is solved. An input unit(210) amplifies a small input signal so as to have little noise deterioration, and outputs an output signal. A converter(220) converts the output signal into the first and second differential signals without distortion, and outputs the converted signals. The first and second differential signals are cross-coupled together in a transmitter(230), and the cross-coupled signals are outputted from the transmitter(230). A mixer unit(240) consists of the first mixer stage(241) for mixing the first differential signal with I and Q local oscillation signals, and the second mixer stage(242) for mixing the second differential signal with the I and Q local oscillation signals.

Abstract translation: 为了降低I / f噪声，提供使用由深n阱CMOS（互补金属氧化物半导体）实现的垂直BJT（双极结晶体管）的接收器，因此线性改善，同时I（同相）和Q（ 正交）通道解决。 输入单元（210）放大小的输入信号以使噪声恶化很小，并输出输出信号。 A转换器（220）将输出信号无失真地转换为第一和第二差分信号，并输出转换后的信号。 第一和第二差分信号在发射器（230）中交叉耦合在一起，并且交叉耦合信号从发射器（230）输出。 混合器单元（240）由用于将第一差分信号与I和Q本地振荡信号混合的第一混合器级（241）组成，以及第二混合器级（242）用于将第二差分信号与I和Q本地振荡 信号。

公开(公告)号：KR100616233B1

公开(公告)日：2006-08-25

申请号：KR1020050069155

申请日：2005-07-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  남일구 ,  김영진

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 통신 시스템에 관한 것으로서, 본 발명은 DC 오프셋, I/Q회로 간 정합 특성, 및 잡음 특성이 개선된 수신 감도가 우수한 직접 변환 수신기에 관한 것이다.
본 발명에 따른 깊은 엔웰을 갖는 3중웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터 제조방법은 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터를 포함하는 바이-씨모스(BiCMOS) 트랜지스터 제조방법에 있어서, 깊은 N웰을 갖는 3중웰 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 CMOS 공정의 N+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 CMOS 공정의 P웰 및 P+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 CMOS 공정의 깊은 N웰, N웰 및 N+ 콘텍트에 의하여 형성되며, 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터의 P웰은 쉘로우(shallow) p-베이스 임플란트(p-base implant) 공정에 의하여 P웰의 두께가 감소되는 것을 특징으로 이루어진다.
수직형 바이폴라 접합 트랜지스터, 표준 CMOS 공정, 수신기, 믹서, 증폭기

Abstract translation: 本发明涉及通信系统，更具体地说，涉及具有优异的直流偏移，I / Q电路之间的匹配特性以及改善的噪声特性的直接转换接收器。

公开(公告)号：KR100575938B1

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：KR1020030015725

申请日：2003-03-13

Applicant: 한국과학기술원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 손미현 ,  이성수 ,  이귀로 ,  최필순

IPC: H04B7/005

CPC classification number: H03D3/007 ,  H04L27/22 ,  H04L2027/0024 ,  H04L2027/0046 ,  H04L2027/0065

Abstract: 본 발명은 이동통신시스템의 수신장치에서 수신신호가 가지는 주파수 오프셋을 보상하는 장치 및 방법을 제안한다. 이를 위해 본 발명에서는 데이터 심벌들의 열에 삽입된 훈련 시퀀스를 다운 컨버팅함으로써 출력되는 동 위상 채널신호와 직교 위상 채널신호를 가산 및 감산하여 정형파 성분과 여현파 성분을 구하고, 서로 다른 두 시점에서 구하여진 정형파 성분들과 여현파 성분들에 의해 상기 두 시점에서의 정접파 성분들에 의해 제1 및 제2위상 값들을 얻을 수 있다. 주파수 오프셋은 제1 및 제2위상 값에 의해 그려지는 2차 직선의 기울기에 의해 계산됨으로써 수신신호에 대한 주파수 오프셋을 보정할 수 있다.
OFDM, 주파수 오프셋, 주파수 보상, 훈련 시퀀스, 주파수 오프셋 추정 값

公开(公告)号：KR1020050001966A

公开(公告)日：2005-01-07

申请号：KR1020030042986

申请日：2003-06-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김진봉

IPC: G11C17/00

CPC classification number: G11C17/16

Abstract: PURPOSE: An OTP(one time programmable) ROM with 3-Transistor using CMOS Gate Oxide Antifuse is provided to embody OTP ROM without an additional masking process, to have uniform breakdown by using an antifuse transistor. CONSTITUTION: An OTP(one time programmable) ROM cell, which has the first, the second, and the third input terminals, and stores data by voltage from the first or the third input terminal, comprises a cell access transistor(MN11) having a gate and drain for the second input terminal(102), and having a source for the first input terminal(101), and activating by voltage from the gate and the source; a high-voltage blocking transistor(MN12) having a gate, a drain and a source connected to the drain of the cell access transistor, and preventing high-voltage of the third input terminal from being applied directly to the cell access transistor by making a current flow from the drain to the source through a bias voltage of the gate; an antifuse transistor(MN13) having a gate for the third input terminal(103), a source and a drain for connecting the drain of the high-voltage blocking transistor, and shorted by a breakdown of a gate oxide when the high-voltage is applied to the third input terminal and the cell access transistor is activated.

Abstract translation: 目的：提供使用CMOS栅极氧化物隔离器的具有3晶体管的OTP（一次可编程）ROM，以体现OTP ROM而无需额外的掩蔽工艺，通过使用反熔丝晶体管进行均匀击穿。 构成：具有第一，第二和第三输入端的OTP（一次可编程）ROM单元，并且通过来自第一或第三输入端的电压存储数据，包括一个单元存取晶体管（MN11），具有一个 第二输入端子（102）的栅极和漏极，并具有用于第一输入端子（101）的源极，并且通过来自栅极和源极的电压激活; 具有连接到电池存取晶体管的漏极的栅极，漏极和源极的高压阻断晶体管（MN12），并且防止第三输入端子的高电压直接施加到电池存取晶体管，通过使 电流通过栅极的偏置电压从漏极流到源极; 具有用于第三输入端子（103）的栅极的反熔丝晶体管（MN13），用于连接高压阻断晶体管的漏极的源极和漏极，并且当高电压为栅极氧化物时，栅极氧化物的击穿而短路 施加到第三输入端子并且单元存取晶体管被激活。

公开(公告)号：KR1019990081344A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980015216

申请日：1998-04-28

Applicant: 현대자동차주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 조영호 ,  곽병만 ,  이귀로 ,  박관흠

IPC: G01P3/00

Abstract: 본 발명은 질량체의 일부를 접합하여 전체 질량체를 대칭적으로 형성함을 특징으로 하는 가속도계 제조공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 에어 백, ABS(antilock braking system), 능동현기, 항법시스템 등 자동차용 전장시스템이나 변위, 속도, 진동, 가속도 및 각 가속도의 측정과 응용을 위한 가전, 의료, 산업용 제품구성에 사용할 목적으로 실리콘 등의 단일 동질평판소재의 한쪽 면만 가공하여 보와 하부 질량체를 형성함으로써, 보와 하부질량체의 가공되지 않은 평면상에 감지구조물 및 자체진단(self-diagnosis)용 구조물의 설치를 용이하게 하고, 또한 하부질량체와 동일질량의 상부질량체를 접합하여 상·하부 질량체가 보를 기준으로 질량대칭을 이루도록 하여 질량편심을 없앰으로써 횡방향 감도(cross-axis sensititviy) 향상을 꾀하였으며, 보와 하부 질량체 로 구성된 가속도계를 일렬로 배치 제작하고, 이에 다시 일렬로 제작된 상부 질량체를 접합한 후 절삭에 의해 일렬의 가속도계로부터 단위 가속도계를 분리하는 공정을 고안함으로써 제조공정의 수율 및 생산성 향상을 도모하고, 식각단차를 이용하여 보의 두께를 조절하는 새로운 제조방법에 의한 대칭 질량형 가속도계 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990071058A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980006277

申请日：1998-02-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  윤상식

IPC: G11C11/413

Abstract: 본 발명은 캠 셀을 이용하여 램 및 프로그래머블 로직 어레이를 겸용할 수 있으면서 임의로 메모리 구조를 변경할 수 있도록 한 캠 셀 구조 및 캠 셀을 이용한 필드 컨피규어러블 램과 프로그래머블 로직 어레이 겸용 메모리에 관한 것으로서 , 다수의 기본 메모리 블록(21)을 일정 개수로 연결하여 이루어지는 컨피규어러블 메모리 블록(20)과 원하는 데이터를 입, 출력하는 입출력 제어기(10, 30)로 구성되는 메모리에 있어서, 상기 기본 메모리 블록(21)은 소정의 캠 셀(24)로 구성하고 내부연결회로(40)에 의해 선택적으로 연결되며, 상기 컨피규어러블 메모리 블록(20)은 프로그래머블 로직 어레이의 곱 기능을 수행하는 캠 블록(23a)과 선택적으로 프로그래머블 로직 어레이의 합 기능이나 램 기능을 수행하는 램 블록(23)으로 분리되어 면적의 손해 없이 출력 � �이터 길이나 메모리 블록 개수를 조절할 수 있게 하였다.
본 발명은 캠 셀(24)의 워드 라인(25a)과 정합 라인(25b)을 공유함으로써 속도 및 면적 문제를 개선하였다.

公开(公告)号：KR1019910001984B1

公开(公告)日：1991-03-30

申请号：KR1019880010795

申请日：1988-08-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  고요한

IPC: H01L27/108

Abstract: SMART (Selfaligned Merged And Registered Trench) Capacitor for mega DRAM is manufactured by; forming a trench in P--type epitaxial layer (34) grown on the P+-type Si-substrate (35); forming a poly-Si (38) at inner side of trench; forming field oxide (39) on the top of trench; forming a P-wall (43) and source (42)-drain (44) on P-type epitaxial layer; forming a gate oxide (36); forming side walls (49) and gate electrode (30) on the gate oxide; forming a electrode (40) connecting to the source (42) through contact hole of oxide film (41). Specically the poly-Si is deposited by LPCVD method.

Abstract translation: SMART（自对准合并和注册沟槽）大容量DRAM的电容由...制造; 在P +型Si衬底（35）上生长的P型外延层（34）中形成沟槽; 在沟槽的内侧形成多晶硅（38）; 在沟槽顶部形成场氧化物（39）; 在P型外延层上形成P-壁（43）和源极（42） - 引线（44） 形成栅极氧化物（36）; 在栅极氧化物上形成侧壁（49）和栅电极（30）; 通过氧化膜（41）的接触孔形成连接到源极（42）的电极（40）。 特别地，通过LPCVD法沉积多晶硅。

公开(公告)号：KR101780299B1

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：KR1020150108609

申请日：2015-07-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김민식 ,  박승현 ,  조태의

IPC: G01J5/20

Abstract: 본발명에따른마이크로볼로미터어레이센서는, 볼로미터어레이센서로서, 단위웜셀은, 서미스터를포함하는바디부, 바디부의모서리로부터연장된 2개의레그, 레그의종단으로부터각각연장되는 2개의앵커및 자기가열또는원격적외선신호에의해생성된열을, 자기혹은인접하는웜셀의앵커로배출시키는열전달경로를포함하고, 단위웜셀은, 감지셀과동일한바디부, 레그및 앵커구조를갖는다. 이에의하여, 고정패턴잡음을월등히감소시킴으로써, 하드웨어/소프트웨어적요소, 열전냉각기, 셔터등의추가설비를제거하거나줄일수 있다. 또한, 자기가열(self-heating)을상쇄할수 있는웜셀어레이를스키밍회로에이용하기때문에, 적외선검출기의반응도와동적범위를월등히향상시킬수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，辐射热测量计阵列传感器单元womsel，第二从主体部分延伸的微辐射阵列传感器，所述主体部分的边缘包括所述腿的一个热敏电阻，所述两个锚和自产生的热量或其中每个从腿端延伸 包括用于排出由所述远程红外信号所产生的热量，或者磁锚womsel相邻和单元womsel是传热路径，它具有相同的主体部，腿和锚定结构和所述感测单元。 因此，通过显着减少固定模式噪声，可以消除或减少诸如硬件/软件元件，热电冷却器，百叶窗等附加设备。 另外，由于在撇除电路中使用可以抵消自加热的蜗杆单元阵列，因此可以大大提高红外检测器的响应和动态范围。