公开(公告)号：KR101369167B1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：KR1020120080991

申请日：2012-07-25

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  어영주 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계; 숙성된 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 CI(G)S 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, CI(G)S계 태양전지 박막 제조 시 우수한 재현성 확보가 가능하고, 따라서 생산된 박막의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101282291B1

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020120022668

申请日：2012-03-06

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조준식 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  어영주 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01G9/204 ,  H01G9/2059 ,  H01G9/209 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/1888 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4233 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: A method for forming a ZnO concavo-convex structure and a solar cell using the same are provided to form a uniform thin film on a concavo-convex structure by using a wet etching method. CONSTITUTION: A substrate (10) is prepared. A nanostructure (20) of which height and width is nanometer scale is formed. A zinc oxide thin film (30) is formed on the substrate having the nanostructure. The zinc oxide thin film is wet-etched. A concavo-convex structure (35) is formed by etching the periphery of the nanostructure.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成ZnO凹凸结构的方法和使用其的太阳能电池，以通过使用湿式蚀刻方法在凹凸结构上形成均匀的薄膜。 构成：制备基材（10）。 形成高度和宽度为纳米级的纳米结构（20）。 在具有纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜（30）。 氧化锌薄膜被湿式蚀刻。 通过蚀刻纳米结构的周边形成凹凸结构（35）。

公开(公告)号：KR101279370B1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020110140283

申请日：2011-12-22

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막이 개시된다. 본 발명의 CZTSe계 박막의 제조방법은, (S1) Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 기판에 증착하는 단계; 및 (S2) 감소된 기판 온도에서 Sn과 Se을 동시진공증발법에 따라 추가로 증착시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 고온의 기판 온도에서 Cu, In, Sn, Se를 동시진공증발법을 이용하여 증착한 후 그보다 낮은 기판 온도에서 Sn과 Se을 추가로 증착함으로써 높은 기판 온도에서의 열처리에 의한 Sn 손실을 최소화하고, 박막 내 원소 분포를 균일하게 하여 궁극적으로 에너지 변환효율이 높은 태양전지용 CZTSe계 박막을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120009668A

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：KR1020100069933

申请日：2010-07-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  조아라 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CIS based compound thin film using a rapid thermal process and a method for manufacturing a thin film solar cell using the CIS based compound thin film are provided to improve the efficiency of a light absorbing layer by increasing the crystallization of the CIS based compound thin film. CONSTITUTION: A CIS based compound thin film is formed on a substrate. A thermal selenization process of the CIS based compound thin film is performed by using a rapid thermal process. The CIS based compound thin film includes a CIS compound thin film, a CIGS compound thin film, or CZTS compound thin film. Se vapor is produced by heating Se metal. Se is vacuously deposited on the CIS based compound thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种使用快速热处理制造CIS基复合薄膜的方法和使用该CIS基复合薄膜制造薄膜太阳能电池的方法，以通过增加光吸收层的结晶度来提高光吸收层的效率 CIS基复合薄膜。 构成：在基板上形成基于CIS的复合薄膜。 通过使用快速热处理进行CIS基复合薄膜的热硒化过程。 基于CIS的复合薄膜包括CIS复合薄膜，CIGS复合薄膜或CZTS复合薄膜。 Se蒸汽是通过加热Se金属来生产的。 Se被空泡沉积在基于CIS的复合薄膜上。

公开(公告)号：KR1020110068157A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020090125004

申请日：2009-12-15

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  김규호 ,  김진혁

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/20 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C23C14/0623 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: PURPOSE: A Cu-In-Zn-Sn-(Se,S) thin film for solar cell and a preparation method thereof are provided to cut down manufacturing costs by reducing the amount of usage of In. CONSTITUTION: In a Cu-In-Zn-Sn-(Se,S) thin film for solar cell and a preparation method thereof, the Cu-In-Zn-Sn-(Se,S) thin film for solar cell is used as a light absorption layer in a solar cell. The Cu-In-Zn-Sn-(Se,S) thin film for solar cell is a CuInZnSnS4 thin film, a CuInZnSnSe2 thin film, or a CuInZnSnS4Se2 thin film. In the Cu-In-Zn-Sn-(Se,S) thin film,(Zn+Sn) /(In+Zn+Sn) is between 0 and 0.5.

Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的Cu-In-Zn-Sn-（Se，S）薄膜及其制备方法，通过减少In的使用量来降低制造成本。 构成：在用于太阳能电池的Cu-In-Zn-Sn-（Se，S）薄膜及其制备方法中，将用于太阳能电池的Cu-In-Zn-Sn-（Se，S）薄膜用作 太阳能电池中的光吸收层。 用于太阳能电池的Cu-In-Zn-Sn-（Se，S）薄膜是CuInZnSnS4薄膜，CuInZnSnSe2薄膜或CuInZnSnS4Se2薄膜。 在Cu-In-Zn-Sn-（Se，S）薄膜中，（Zn + Sn）/（In + Zn + Sn）为0〜0.5。

公开(公告)号：KR1020110026652A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020090084397

申请日：2009-09-08

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  곽지혜 ,  신기식

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0445

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing an I-III-VI2 compound semiconductor thin film are provided to improve reactivity by using a cracker cell which controls the amount of selenium gas or sulfur gas. CONSTITUTION: A substrate holder(112) is formed in a chamber(110). A transparent window is formed on the bottom of the chamber. An upper lamp unit(120) including a heating lamp(122) is hinge-combined with the opened upper side of the chamber. A lower heating lamp including a heating lamp(132) is combined with the lower side of the chamber. A cracker cell(140) supplies selenium gas or sulfur gas to the chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造I-III-VI2化合物半导体薄膜的装置和方法，以通过使用控制硒气体或硫气的量的裂解池来提高反应性。 构成：衬底保持架（112）形成在腔室（110）中。 在室的底部形成透明窗。 包括加热灯（122）的上灯单元（120）与室的敞开的上侧铰接。 包括加热灯（132）的下部加热灯与腔室的下侧组合。 裂解池（140）向室提供硒气体或硫气。

公开(公告)号：KR100588603B1

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020050037495

申请日：2005-05-04

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤경훈 ,  김기현 ,  전영갑 ,  이정철 ,  윤재호 ,  안세진

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

公开(公告)号：KR102080729B1

公开(公告)日：2020-02-24

申请号：KR1020180113101

申请日：2018-09-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 홍성준 ,  안세진 ,  정인영 ,  이문수 ,  김기환 ,  이정인 ,  윤재호 ,  송희은 ,  곽지혜 ,  조준식 ,  어영주 ,  유진수 ,  안승규 ,  조아라 ,  조임현 ,  박주형 ,  김동석 ,  신동협 ,  강민구 ,  박성은

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

公开(公告)号：KR102069731B1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：KR1020180012318

申请日：2018-01-31

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  유진수 ,  조준식 ,  박주형 ,  어영주 ,  김기환 ,  조아라 ,  신동협 ,  정인영 ,  윤재호

IPC: H02S50/10 ,  H01L31/02 ,  G01R35/00 ,  G01R31/50 ,  G01R31/26

公开(公告)号：KR101880640B1

公开(公告)日：2018-07-23

申请号：KR1020170053967

申请日：2017-04-26

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  조준식 ,  윤재호 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  유진수 ,  안승규 ,  박주형 ,  어영주 ,  김기환

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H02S20/22

CPC classification number: Y02A30/62 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H02S20/22

Abstract: 본발명은태양전지및 이의제조방법에관한것으로서, 기판상에위치하는후면전극층; 상기후면전극층상에위치하는광흡수층; 상기광흡수층상에위치하는버퍼층및 전면전극층; 상기후면전극층을복수개로분할하는투광영역이형성된투광부; 상기투광부의일측에위치하며상기광흡수층과버퍼층을관통하여상기후면전극층의일부를노출시키는제1패턴부; 및, 상기제1패턴부에상기전면전극층을적층한상태에서전면전극층을관통하여후면전극층의일부를노출시키는제2패턴부를포함하되, 상기투광부는상기후면전극층의상면보다높게형성되는동시에광흡수층의상면보다낮게형성된것을특징으로한다.