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公开(公告)号：KR1020140043554A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020120105889
申请日：2012-09-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/263 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L29/66742 , H01L21/324 , H01L29/7869
Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided. A method for manufacturing a thin film transistor includes forming a gate electrode on a substrate; forming an active layer which is adjacent to the gate electrode and includes an oxide semiconductor; forming an oxygen providing layer on the active layer; forming a gate insulating layer between the gate electrode and the active layer; forming source/drain electrodes which are combined with the active layer; forming a planarization layer which covers the gate electrode and the gate insulating layer; forming a hole which exposes the active layer; and performing a thermal process on the planarization layer in an oxygen atmosphere. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Forming source/drain electrodes on a substrate; (S20) Forming an active layer and an oxygen providing layer; (S30) Forming a gate insulating layer; (S40) Forming a gate electrode; (S50) Forming a planarization layer and a hole; (S60) Performing a thermal process in an oxygen atmosphere
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管的制造方法包括在基板上形成栅极电极; 形成与所述栅电极相邻并且包括氧化物半导体的有源层; 在活性层上形成氧提供层; 在栅电极和有源层之间形成栅极绝缘层; 形成与有源层组合的源/漏电极; 形成覆盖所述栅极电极和所述栅极绝缘层的平坦化层; 形成露出活性层的孔; 在氧气氛中对平坦化层进行热处理。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）在基板上形成源极/漏极; （S20）形成活性层和氧供给层; （S30）形成栅极绝缘层; （S40）形成栅电极; （S50）形成平坦化层和孔; （S60）在氧气氛中进行热处理
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公开(公告)号：KR1020140009727A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020120076275
申请日：2012-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/50 , G02F1/1368 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/5203 , G02F2201/44 , H01L27/3232 , H01L51/56 , H01L21/31056 , H01L21/67075 , H01L51/442
Abstract: In the present invention, a dual mode display apparatus and a manufacturing method of the same are disclosed. The apparatus comprises: a first substrate; a first electrode on the first substrate; a second substrate which opposes to the first electrode and the first substrate; a second electrode in between the second substrate and the first electrode; a third electrode in between the first electrode and the second electrode; an optical switching layer in between the first electrode and the third electrode; and an organic luminescent layer in between the second electrode and the third electrode.
Abstract translation: 在本发明中，公开了一种双模显示装置及其制造方法。 该装置包括：第一基板; 第一基板上的第一电极; 与第一电极和第一基板相对的第二基板; 第二电极，位于第二基板和第一电极之间; 第一电极和第二电极之间的第三电极; 在所述第一电极和所述第三电极之间的光学切换层; 和在第二电极和第三电极之间的有机发光层。
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公开(公告)号：KR101309263B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020100015052
申请日：2010-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 제공된다. 유기 박막 트랜지스터의 형성방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것, 기판 상에 게이트 전극을 덮으며 그 상부에 리세스 영역를 가지는 게이트 절연막을 형성하는 것, 리세스 영역 내에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것, 그리고 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 리세스 영역 내에 유기 반도체층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 소오스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 유기 반도체층 및 상기 게이트 전극을 형성하는 것은 상기 소오스 전극이 상기 유기 반도체층과 접하는 일 측면은 상기 게이트 전극의 일 측면과 정렬되고, 상기 드레인 전극이 상기 유기 반도체층과 접하는 일 측면은 상기 게이트 전극의 타 측면에 정렬되는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101301204B1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：KR1020090113221
申请日：2009-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/30
Abstract: 유기 절연막 형성용 조성물 및 이에 의해 형성된 유기 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다. 상기 유기 절연막 형성용 조성물은 하기의 화학식으로 표현되는 화합물을 포함하며, 상기 화학식에서, R
1 은 수소 원자, 히드록시기, 에스테르기, 아마이드기, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 알콕시기 중 어느 하나이고, R
2 는 전해질 작용기들 중 선택된 적어도 하나를 포함하며, a와 b는 양의 정수이고 a에 대한 b의 비율(b/a)은 0보다 크고 99보다 작다.
(화학식)
유기 절연막, 가교 결합, 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR101291320B1
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020090024624
申请日：2009-03-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 제공된다. 이 유기 박막 트랜지스터는 기판, 기판 상의 소오스 전극과 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 기판 상의 활성층, 활성층 상의 게이트 전극, 및 활성층과 게이트 전극 사이의 유기 절연층을 포함한다. 이 유기 절연층은 나노 입자, 나노 입자를 둘러싸는 친수성 중합체들, 및 소수성 중합체들을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT), 이중 블록 공중합체, 자기 조립(self assembly)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101243837B1
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：KR1020090101136
申请日：2009-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/4814 , H01L21/4867 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H05K1/0277 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/0313 , H05K1/09 , H05K3/105 , H05K3/125 , H05K3/4069 , H05K2203/1105 , H05K2203/125 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 다층 배선 연결 구조 및 그의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 다층 배선 연결 구조는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제 1 배선과, 상기 제 1 배선 상에 형성된 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 상에 형성된 제 2 배선과, 상기 제 2 배선 및 상기 제 1 배선 사이의 상기 층간 절연막을 관통하여 상기 제 1 배선 및 상기 제 2 배선에 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 전도성 필라멘트를 구비한 비어 콘택을 포함할 수 있다.
비어(Via), 콘택(contact), 배선(line), 층간 절연막, 전도성(contact)Abstract translation: 提供一种多层互连结构及其制造方法。 多层互连结构包括基板; 在基板上的第一布线; 第一布线上的层间绝缘层; 层间绝缘层上的第二布线; 以及通孔接触，其包括穿过所述第二布线和所述第一布线之间的所述层间绝缘层的至少一个导电丝，以电连接到所述第一布线和所述第二布线。
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公开(公告)号：KR1020120055755A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100116325
申请日：2010-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An offset printing device is provided to increase a service time of a printing roll and to maximize productivity and production yield. Productivity and production yield can be increased and be maximized. CONSTITUTION: An offset printing device comprises a printing roll(30), a coating part(20), a patterning part(40), a printing part(60), and a cleaning part. The coating part spreads printing materials on a printing roll. The patterning part patterns the printing materials spread on the printing roll by the coating part. The cleaning unit cleans the printing materials remaining on the printing roll using a dry method.
Abstract translation: 目的：提供胶版印刷装置，以增加印刷卷的使用时间，并最大限度地提高生产率和产量。 可以提高生产力和产量，并最大化生产率。 构成：胶版印刷装置包括印刷辊（30），涂布部分（20），图形部分（40），印刷部分（60）和清洁部分。 涂布部分将印刷材料铺展在印刷辊上。 图案形成部分通过涂覆部分图案印刷在印刷辊上的印刷材料。 清洁单元使用干法清洁印刷辊上剩余的印刷材料。
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公开(公告)号：KR101140135B1
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：KR1020090026256
申请日：2009-03-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 자기 정렬이 개선되는 박막 트랜지스터의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 제1 기판 상의 희생층 상에 제1 도핑 영역, 제2 도핑 영역 및 채널 영역을 구비하는 반도체층을 형성한다. 다음, 반도체층을 제1 기판에서 분리하고, 제2 기판에 결합한다. 다음, 제2 기판과 반도체층 상에 절연층을 형성하고, 절연층 상에 제1 포토레지스트층을 형성한다. 이후, 제2 기판의 배면으로부터 제1 도핑 영역과 제2 도핑 영역을 마스크로 제1 포토레지스트층을 노광하고 현상하여 제1 마스크 패턴을 형성한다. 다음, 제1 마스크 패턴을 마스크로 절연층 상에 채널 영역과 중첩하는 게이트 전극을 형성하고, 제1 도핑 영역과 제2 도핑 영역 각각에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 제조한다.
셀프 얼라인, 자기 정렬, 박막 트랜지스터, 제조 방법-
59.发明公开금속 산화물 나노입자의 제조방법, 이로부터 제조된 금속산화물 나노입자, 금속 산화물 박막의 제조방법, 금속산화물 박막을 포함하는 전자 소자 无效制备金属氧化物纳米颗粒的方法，通过该方法制备的金属氧化物纳米颗粒，用于制备金属氧化物薄膜的方法和包含金属氧化物薄膜的电子器件
公开(公告)号：KR1020100011167A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020080072271
申请日：2008-07-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C01B13/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64 , C09D1/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing metal oxide nanoparticle is provided to be applicable in the plastic substrate weak on heat by forming a thin film at relatively low temperature in range of the room temperature to about 100°C. A manufacturing method of the metal oxide nanoparticle is provided to make an electric component including the metal oxide. CONSTITUTION: A method of manufacturing metal oxide nanoparticle comprises: a step(S11) of preparing an alcoholic solution including basic chemical species; a step(S12) of preparing a metal oxide precursor solution; a step(S13) of reacting the metal oxide precursor solution with the mixture of alcoholic solution to form metal oxide nanoparticle; a step(S14) of refining the metal oxide nanoparticle. The alcoholic solution comprises C1-C6 alcohol and basic chemical species is selected in the group consisting of LiOH, NaOH, KOH, NH4OH, their hydrate and their mixture.
Abstract translation: 目的：提供一种制造金属氧化物纳米颗粒的方法，该方法适用于在室温至约100℃范围内较低温度下形成薄膜的弱热塑性基材。 提供金属氧化物纳米颗粒的制造方法以制造包括金属氧化物的电子部件。 构成：制造金属氧化物纳米颗粒的方法包括：制备包含碱性化学物质的醇溶液的步骤（S11） 制备金属氧化物前体溶液的步骤（S12） 使金属氧化物前体溶液与醇溶液的混合物反应形成金属氧化物纳米颗粒的步骤（S13）; 精炼金属氧化物纳米粒子的步骤（S14）。 醇溶液包含C1-C6醇，碱性化学物质选自LiOH，NaOH，KOH，NH4OH，它们的水合物及其混合物。
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公开(公告)号：KR100907822B1
公开(公告)日：2009-07-14
申请号：KR1020070116014
申请日：2007-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 방법 및 장치에 관한 것으로서, 메모리 셀로 동작하는 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져, 일정 비트의 데이터를 저장하는 하나 이상의 메모리 블럭과, 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져 상기 하나 이상의 메모리 블럭에 각각 대응하여, 상기 대응한 메모리 블럭의 사용 상태를 표시하는 하나 이상의 상태 지시자를 구비하고, 메모리 블럭에 데이터 쓰기, 삭제, 수정시에 상기 상태 지시자의 상태 값을 변경하여 표시함으로써, 안티퓨즈 셀 기반의 비휘발성 메모리에서 데이터 쓰기뿐만 아니라 데이터 수정 및 삭제가 가능해진다.
비휘발성 메모리, 안티퓨즈, 유기물 반도체 소자, RFID,Abstract translation: 本发明是一个可编程的非相关于指示易失性存储器的方法和装置的状态下，所述存储器单元进行操作的至少一个耐熔熔丝单元包括，至少具有用于在比特存储数据的一个或多个存储块，一个反熔丝单元，所述至少一个由 对应于存储块，由具有表示对应的存储块的使用状态，并且将数据写入至少一个状态指示符标记，修改所述状态指示器，抗的状态时删除存储器，改变的块 可以在基于熔丝单元的非易失性存储器中写入数据以及修改和删除数据。
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