公开(公告)号：KR1019970011052B1

公开(公告)日：1997-07-05

申请号：KR1019930024335

申请日：1993-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 하정숙 ,  박성주 ,  이일항

IPC: H01L21/027

Abstract: A method which plays automatically after rewinding the VCR tape automatically to the beginning when the VCR tape is inserted to the deck or searches the end position of the program and perform stand-by mode. The said method comprising of the steps of : detecting the record preventing tab, performing rewinding to the beginning when the record preventing tab isn't there, performing rewinding VCR tape recorded all the VCR signal according to the VCR tape's control signal or VCR tape not recorded VCR signal to the beginning when the record preventing tab is there. standing by after rewinding the VCR tape recorded partly the VCR signal to the recording end position when the record preventing tab is there.

Abstract translation: 将VCR磁带自动倒带到VCR磁带插入到卡座的起始位置或搜索程序的结束位置并执行待机模式时自动播放VCR磁带的方法。 所述方法包括以下步骤：检测记录防止标签，当记录防止标签不在时，开始执行倒带，根据VCR带的控制信号或VCR磁带执行倒带VCR带记录所有VCR信号 当记录防止标签在那里时，录制的录像机信号开始。 当记录防止标签在那里时，在将VCR信号部分地记录到记录结束位置之后，将VCR磁带重新卷绕后立即站立。

公开(公告)号：KR1019960019644A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940029925

申请日：1994-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  하정숙 ,  박성주 ,  이일항

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 초고진공내에서 반도체 및 도체의 시료를 이동하고 특정한 목적으로 열처리하는 집게 및 시료대에 관한 것으로,기존의 조작기(Manipulator)가 가지고 있는 시료의 조작의 불편이나, 두발집게가 가지고 있는 시료대의 불안정성과 전자빔 가속에 의한 열처리의 난점 등을 극복한 네발집게와 시료대로서 본 발명 네발집게를 이용하면 외부에서 어떠한 크기나 형태를 가진 물건도 초고진공내에서의 조작과 이동이 가능하고, 반도체나 도체의 세척과정에서 필수적으로 수반되는 열처리의 과정이 훨씬 용이하게 된다.

公开(公告)号：KR100090761B1

公开(公告)日：1995-10-23

申请号：KR1019910007292

申请日：1991-05-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박효훈 ,  박경호 ,  박성주

IPC: H01L21/26

公开(公告)号：KR1019950011016B1

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：KR1019920024317

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성주 ,  노정래 ,  심재기 ,  하정숙 ,  이일항

IPC: H01L21/20

Abstract: The method comprises a step of chemically depositing the vapor of trimethylgallium and arsine onto a substrate, a step of thermally reacting the trimethylgallium and arsine with the paticles of the surface of the substrate, a step of removing hydride vapor from the substrate, and a step of combining the gallium particles with the arsinide particles on the surface of the substrate.

Abstract translation: 该方法包括将三甲基镓和胂的蒸气化学沉积到基材上的步骤，将三甲基镓和胂与基材表面的颗粒热反应的步骤，从基材中除去氢化物蒸汽的步骤和步骤 将镓颗粒与基质的表面上的酰亚胺颗粒结合。

公开(公告)号：KR1019950021913A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029090

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노정래 ,  박성주 ,  김성복 ,  이일항

IPC: H01S5/34

公开(公告)号：KR1019950021171A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930028672

申请日：1993-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 하정숙 ,  박성주 ,  이재열 ,  이일항

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제작하는데 있어 필수적인 미세 식각 패턴 형식을 STM을 이용하여 제작하는 방법에 관한 것으로써, 종래의 전자빔이나 불활성 기체 이온빔을 사용하는 방법에 비해 선폭이 훨씬 작고(수 Å), 식각부분의깊이를 원자 scale에서 조절할 수 있다. 본 발명에서는 si표면을 불소(F)나염소(Cl)등으로 패시베이트(passivate)되게 하고(단계a), 흡착된 원자들이 Si과 반응을 일으킬 수 있도록 표면온도를 유지하면서 STM의 금속탐침을 원하는 위치에 접근시킨후 짧은 시간동안 전압을 가해 SiCl
x (x=1,2,3,4)나 SiF
x (x=1,2,3,4)의 탈착에 의한 Si표면의 식각을 유도한다(단계b). 다시 같은 공정을 반복하여 Si의 두 번째 층을 식각한 패턴의 형성하는 공정(단계 c와단계 d)을 거쳐 저가의 장비로, 낮은 에너지 빔을 이용하여 표면결함이 적은 원자단위에서 넓이와 높이조절이 가능한 미세 식각 패턴의 제작이 가능하다. 이러한 식각방법은 Si과 GaAs 등의 화합물 반도체에도 적용 가능하다.

公开(公告)号：KR100081814B1

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：KR1019910006554

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  심재기 ,  박성주 ,  박경호

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：KR100078839B1

公开(公告)日：1994-11-02

申请号：KR1019910010394

申请日：1991-06-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경호 ,  박효훈 ,  박성주

IPC: H01L21/3205

公开(公告)号：KR1019940010155B1

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR1019910006554

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  심재기 ,  박성주 ,  박경호

IPC: H01L21/205

Abstract: The system controls the flow of the hidride gases (AsH 3, PH 3) and the organic metal gases (trimethyl galuim, trimethyl aluminum) used for manufacturing epitaxy thin film by CBE/ALE method. The gas supply system comprises a gas storage chamber (1) supplying the hidride gas at a regular pressure by use of pressure controllers (8,32,34); a gas control chamber (2) controlling the gas flow mass at automatic pressure controllers(12,24) by feeding back signals of pressure devices (14,26); a subsystem (3) for closing the gas from the gas control chamber (2): a subsystem (4) controlling the pressure and passageway of the gas.

Abstract translation: 该系统通过CBE / ALE方法控制用于制造外延薄膜的载气（AsH 3，PH 3）和有机金属气体（三甲基galuim，三甲基铝）的流动。 气体供给系统包括通过使用压力控制器（8,32,34）在常规压力下供应氮气的气体储存室（1）。 气体控制室（2），通过反馈压力装置（14,26）的信号来控制自动压力控制器（12,24）处的气体流量; 用于从气体控制室（2）关闭气体的子系统（3）：控制气体的压力和通道的子系统（4）。

公开(公告)号：KR1019940010154B1

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR1019910006553

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성주 ,  심재기 ,  박경호 ,  유병수

IPC: H01L21/00

Abstract: The system exhausts reactive toxic gas, manages a high vacuum state to prevent a thin film from being polluted, and performs a real time analysis of the thin film in the process of the CBE/ALE growth. The vacuum system comprises a long manipulator (11) equipped on one side of a load lock/analysis chamber (B) in order to transfer a base plate; gate valves (5,13,7,12) for preventing pollution between the growth chamber and the load lock/analysis chamber (B); a turbo molecular pump (5) connected to the chamber (A); an suction pump (13)/an ion pump (14) connected to the chamber (B); a titanium pump (8).

Abstract translation: 该系统排除反应性有毒气体，管理高真空状态，防止薄膜受到污染，并对CBE / ALE生长过程中的薄膜进行实时分析。 该真空系统包括一个装在锁定/分析室（B）的一侧上的长操纵器（11），以便传送一个底板; 用于防止生长室和负载锁定/分析室（B）之间的污染的闸阀（5,13,​​7,12）; 连接到所述室（A）的涡轮分子泵（5）; 连接到所述室（B）的抽吸泵（13）/离子泵（14）; 钛泵（8）。