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公开(公告)号：KR1020120078556A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110046952
申请日：2011-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
CPC classification number: G09G3/36 , G09G3/3614 , G09G2310/08 , H01L2924/13069 , H01L2924/13091 , H02M3/07
Abstract: PURPOSE: A DC voltage conversion circuit of liquid crystal display apparatus is provided to be used in driving of liquid crystal display devices by generating a higher voltage from a clock signal and limited DC voltage. CONSTITUTION: A main pumping circuit unit(710) includes a first TFT through eighth TFT. The main pumping circuit unit outputs a voltage to drive a liquid crystal device. A gate control signal generator(720) controls a voltage applied to a gate of a plurality of TFT by a reversal of a clock signal. The gate control signal generator includes a eleventh TFT through sixteenth TFT. The main pumping circuit unit and gate control signal generator generate a voltage by sharing each other's nodes.
Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示装置的直流电压转换电路，用于通过从时钟信号和有限的直流电压产生较高的电压来驱动液晶显示装置。 构成：主泵电路单元（710）包括第一TFT至第八TFT。 主泵电路单元输出驱动液晶装置的电压。 门控制信号发生器（720）通过反转时钟信号来控制施加到多个TFT的栅极的电压。 栅极控制信号发生器包括第十一TFT至第十六TFT。 主泵电路单元和门控信号发生器通过共享彼此的节点产生电压。
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公开(公告)号：KR1020120006218A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020100066837
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/22 , H01L29/516 , H01L29/78391 , H01L27/11502
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory transistor with a dual gate structure is provided to apply operating voltage by connecting a first gate electrode and a second gate electrode, thereby improving electric field mobility characteristics. CONSTITUTION: A first gate electrode(102) is arranged on a substrate(100). A first gate insulating film(104) is arranged on the first gate electrode. Source and drain electrodes(106) are arranged on the first gate insulating film. A channel film is arranged on the first gate insulating film between the source and drain electrodes. A second gate insulating film(112A) is arranged on the channel film. A second gate electrode(118) is arranged on the second gate insulating film.
Abstract translation: 目的：提供具有双栅极结构的非易失性存储晶体管，通过连接第一栅电极和第二栅电极来施加工作电压，从而提高电场迁移率特性。 构成：第一栅电极（102）布置在基板（100）上。 第一栅极绝缘膜（104）布置在第一栅电极上。 源极和漏极（106）布置在第一栅极绝缘膜上。 沟道膜布置在源极和漏极之间的第一栅极绝缘膜上。 第二栅极绝缘膜（112A）布置在沟道膜上。 第二栅极电极（118）布置在第二栅极绝缘膜上。
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公开(公告)号：KR101061737B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020080131626
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 투명 디스플레이를 이용한 투명 전광판에 관한 것으로, 투명 OLED(Organic Light Emitting Diode)를 디스플레이 패널로 이용하여 투명 상태에서도 정보의 디스플레이가 가능한 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 투명 전광판을 이용하면, 전광판에 표시된 정보를 확인하기 위해 시야를 돌리지 않아도 되므로 사람들에게 편의성을 제공할 수 있으며, 기존에 사용하지 못했던 공간을 효율적으로 활용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 투명 전광판은 텍스트 이외에 이미지나 동영상의 디스플레이가 가능하며, 제조 비용이 저렴하므로 여러 분야에 다양하게 적용될 수 있을 것으로 예상된다. 또한, 본 발명에 따른 투명 전광판에 터치 필름 기술을 적용하면, 단방향으로 정보를 전달하는 형태에서 획기적으로 발전하여 양방향의 정보 전달이 가능하게 된다.
투명, OLED(Organic Light Emitting Diode), 전광판Abstract translation: 本发明涉及使用透明显示器的透明显示面板，并且其特征在于通过使用透明OLED（有机发光二极管）作为显示面板，即使在透明状态下也可以显示信息。 因此，使用根据本发明的透明电子基板时，这样以确保在电子板显示不持有视图可以给那些谁可以采取房间的优点并没有有效地利用传统的提供舒适性的信息。 另外，根据本发明的透明电子广告牌由于除文本以外还能够显示图像和动态图像并且制造成本低，所以可以应用于各种领域。 另外，当将触摸膜技术应用于根据本发明的透明电子招牌时，信息可以在一个方向上传输，并且信息可以在两个方向上传输。
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公开(公告)号：KR1020100121107A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040094
申请日：2009-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/1159 , G11C11/15 , H01L21/28291 , H01L21/3065 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device using organic ferroelectric thin film and a manufacturing method thereof are provided to improve the manufacturing yield and operation performance of a transparent and flexible non-volatile memory by offering the most appropriate photoresist stripping liquid and a photo lithography process. CONSTITUTION: A conductive thin film layer or a semiconductor film layer(202) is formed on a substrate(200). An organic ferroelectric thin film layer(204) is formed on the top of the conductive thin film layer or the semiconductor film layer. A top electrode layer(206) is formed on the top of the organic ferroelectric thin film layer.
Abstract translation: 目的：提供使用有机铁电薄膜的非易失性存储器件及其制造方法，以通过提供最合适的光致抗蚀剂剥离液体和光刻工艺来提高透明和柔性非易失性存储器的制造成品率和操作性能 。 构成：在衬底（200）上形成导电薄膜层或半导体膜层（202）。 在导电薄膜层或半导体膜层的顶部形成有机铁电薄膜层（204）。 顶部电极层（206）形成在有机铁电薄膜层的顶部。
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公开(公告)号：KR1020100107799A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A transparent non-volatile memory thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to be perform under lower temperature by forming an auxiliary insulating film on a transparent semiconductor thin film and an organic ferroelectric thin film. CONSTITUTION: Source and drain electrodes(102) are formed on a transparent substrate(100). A transparent semiconductor thin film(104) is formed between the source and the drain electrodes. An organic ferroelectric thin film(108) is formed on the transparent semiconductor thin film. A gate electrode(116) is formed on the organic ferroelectric thin film. A first auxiliary insulating film(106) is formed on the transparent semiconductor thin film. A second auxiliary insulating film(110) is formed on the organic ferroelectric thin film.
Abstract translation: 目的：通过在透明半导体薄膜和有机铁电薄膜上形成辅助绝缘膜，提供透明非易失性存储器薄膜晶体管及其制造方法，以在较低温度下进行。 构成：源极和漏极（102）形成在透明衬底（100）上。 在源极和漏极之间形成透明半导体薄膜（104）。 在透明半导体薄膜上形成有机铁电薄膜（108）。 在有机铁电薄膜上形成栅电极（116）。 在透明半导体薄膜上形成第一辅助绝缘膜（106）。 在有机铁电薄膜上形成第二辅助绝缘膜（110）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100974884B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020080048419
申请日：2008-05-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 접촉 저항을 개선한 무인듐 투명 전도막을 포함한 다층 전자 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 다층 전자 소자는 기판, 기판상에 형성된 n개의 산화물층과 n-1개의 금속층이 교대로 적층되어 있는 투명 전도막, 및 상기 투명 전도막 상에 형성된 상부 기능층을 포함하며, 상기 상부 기능층과 접촉하는 상기 투명 전도막의 상부 산화물층은 접촉 저항이 감소되는 소정 형태로 패터닝된 접촉 부위를 갖는다. 이와 같이 인듐을 사용하지 않으면서 접촉저항이 낮은 저저항 투명 전도막을 형성할 수 있음에 따라 층간 접촉 저항이 커서 일어나는 전자 소자 특성의 저하를 방지할 수 있다.
투명 전도막, 무인듐, 패터닝-
公开(公告)号：KR100961184B1
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：KR1020080081818
申请日：2008-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C04B35/10 , C04B35/453
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막의 스퍼터링 타겟용 조성물, 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟용 조성물은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 포함하고, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 주성분으로 하는 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계; 상기 분말을 소정 형태로 성형하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계로부터 제조된다.
스퍼터링 타겟, 조성물, 산화물 반도체, 박막-
公开(公告)号：KR100943708B1
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：KR1020080015768
申请日：2008-02-21
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H03K19/0175
Abstract: 본 발명은 레벨 시프트 회로에 관한 것으로서, 특히 게이트 전압을 제어하여 단락 회로 전류를 감소시키는 레벨 시프트 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레벨 시프트 회로는 소스 및 드레인이 각각 출력단 및 전원단과 연결되는 제 1 트랜지스터; 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 및 상기 출력단 사이에 위치하는 커패시터; 소스 및 드레인이 각각 접지단 및 상기 출력단과 연결되고, 게이트가 입력단과 연결되는 제 2 트랜지스터; 및 상기 입력단 및 상기 제 1 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 제어하는 게이트 전압 제어부로 구성된다. 본 발명은 트랜지스터 크기를 증가시킬 필요없이 게이트 전압 제어부를 통해 단락 회로 전류를 감소시킴으로써, 저전력 동작이 가능하고 작은 면적을 차지하는 레벨 시프트 회로를 제공할 수 있다.
레벨 시프트, 단일형 트랜지스터, 부트스트랩, 디스플레이 장치 구동 회로-
公开(公告)号：KR100901778B1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020080016665
申请日：2008-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: An active matrix organic light-emitting diode pixel circuit and an operating method thereof are provided to apply a constant current according to an inputted data signal in regardless of threshold voltage change and unevenness by storing and compensating a threshold voltage of the driving transistor at each line. In an active matrix organic light-emitting diode pixel circuit and an operating method thereof, a driving transistor(N1) transmits a driving voltage from a power terminal. A second transistor(N2) applies a current from the first transistor in an organic light-emitting DIODE, and a third transistor(N3) connects the power terminal and a gate of first transistor. A first capacitor is connected between the gate of the transistor and a first electrode of the first capacitor, and a fourth transistor(N4) is between a second electrode of the first capacitor and a source of the first transistor. The first electrode of the second is connected with the second electrode of the first capacitor.
Abstract translation: 提供一种有源矩阵有机发光二极管像素电路及其操作方法，通过存储和补偿每行的驱动晶体管的阈值电压，根据输入的数据信号施加恒定电流，而不管阈值电压变化和不均匀性 。 在有源矩阵有机发光二极管像素电路及其操作方法中，驱动晶体管（N1）从电源端子发送驱动电压。 第二晶体管（N2）在有机发光二极管中施加来自第一晶体管的电流，第三晶体管（N3）连接第一晶体管的电源端子和栅极。 第一电容器连接在晶体管的栅极和第一电容器的第一电极之间，第四晶体管（N4）位于第一电容器的第二电极和第一晶体管的源极之间。 第二电极的第一电极与第一电容器的第二电极连接。
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公开(公告)号：KR102256360B1
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：KR1020190006440
申请日：2019-01-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른마이크로디스플레이는기판상에배치되고일 방향으로이격된제 1 화소및 제 2 화소를정의하는전극, 상기제 1 화소상에배치된제 1 유기발광다이오드, 상기제 2 화소상에배치된제 2 유기발광다이오드, 상기제 1 유기발광다이오드상의제 1 컬러필터및 상기제 2 유기발광다이오드상의제 2 컬러필터를포함하되, 상기제 1 컬러필터의상기제 1 부분및 상기제 2 컬러필터의상기제 2 부분은수직으로중첩할수 있다.
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