公开(公告)号：KR100199005B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950054540

申请日：1995-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 화합물 반도체 기판 상의 소정 부분에 높은 인덱스 면을 갖는 V홈을 소정 방향으로 길게 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판상에 제2도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑하지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑되지 않은 제1그레이디드인덱스층(GRIN), 불순물이 도핑되지 않은 활성층, 불순물이 도핑되지 않은 제2그레이디드인덱스층(GRIN), 불순물이 도핑되지 않은 제2스페이서층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층을 순차적으로 형성하되 InGaAs로 이루어진 상기 제1 및 제2그레이디드인덱스층(GRIN)들의 성장 온도를 변화시켜 In의 조성비가 포물선형으로 변화되도록 형성하는 공� ��과, 상기 캡층 상부의 V홈과 대응하는 부분에 제2도전형의 오믹 전극과 상기 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형의 오믹 전극을 형성하는 공정을 구비하여, 레이저 다이오드의 누설 전류 및 문턱 전류 값을 낮출 수 있으며, 또한, InGaAs의 제1 및 제2 그레이디드인덱스층들을 성장 온도를 변화시켜 In의 농도가 변화되도록 결정 성장시키므로 간단한 공정으로 양조 효율을 증가시킬 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100178491B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950053662

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안준태 ,  이규석 ,  이일항

IPC: H01S3/08

CPC classification number: H01S3/1109 ,  H01S3/082 ,  H01S3/1121

Abstract: 본발명은 능동형으로 로킹되어 출력광의 반복율을 두배로 높이기 위한 이중공진기형 레이저에 관한 것으로서,그 구성은 이득매질의 밀도 반전을 위한 펌핑장치를 구비한 공진기형 레이저에 있어서, 빛을 반사하기 위한 제1 반사수단과, 상기 제1 반사수단과 평행으로 배열된 제2 반사수단 및 제3 반사수단과, 상기 제1 반사수단과 상기 제2 반사수단 및 상기 제3 반사수단의 사이에 위치하며 상기 이득매질과 상기 펌핑장치로 구성된 증폭수단과, 상기 제1 반사수단과 상기 제2 반사수단 및 상기 제3 반사수단의 사이에 위치하고 상기 증폭수단과 직렬로 배열되며 레이저의 첨두출력을 높이기 위해 능동형 모드록킹을 위하여 공진기 안에 광손실을 주기적으로 변조시킬 수 있는 진폭 변조수단을 포함하여, 상기 제1 반사수단, 증폭수단, 진폭 변조수단 및 제2 반사수단이 하나의 공진기를 형성하고, 상기 제1 반사수단, 증폭수단, 진폭 변조수단 및 제3 반사수단이 다른 하나의 공전기를 형성하는 것을 특징으로 하여, 본 발명은 출력광의 반복율을 두배로 높일뿐만 아니라 광학적인 성질이 다른 두 종류의 출력광을 얻을 수 있으며, 광통신과 광 센서 등의 여러 분야에 이용 가능하다는 데에 그 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990024757A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970046097

申请日：1997-09-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현경숙 ,  이일항 ,  유병수

IPC: G02B6/40

Abstract: 본 발명은 여러 입력과 출력의 파장 채널로 광 신호의 경로차 없고 작은 손실의 초고속 광신호의 파장 분할 광 다중/역다중기에 관한 것이다. 종래 파장 분할 광 다중 /역다중기에서 광도파로 격자간의 경로차에 의한 광도파로의 굴곡등에서 벌생되는 빛의 손실을 막기 위한 본 발명은 광 다중역/다중기는 두 개의 동일한 구조의 광커플러가 광도파로 격자에 의해 연결되어 있고, 광도파로 격자는 중심 파장에서의 광의 진행 길이가 같아 서로 경로차가 없는 여러 개의 광도파로로 구성된다. 상기 각 광도파로는 파장에 따른 분산 특성이 다른 물질로 구성된 두 개의 광도파로의 결합으로 이루어 진다. 따라서, 본 발명의 광 다중/역다중기는 광도파로의 길이 차이를 이용하지 않고 광도파로의 분산 특성을 이용하므로 광도파로간의 경로차 없이 초고속 광 다중/역다중이 가능한 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100171023B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950053645

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  하정숙 ,  이일항

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 위에 금속박막을 형성하는 방법에 관한 것으로 특히, 초고진공내에서 계면활성제로서 Sb나 As을 이용하여 Si과 같은 반도체 기판 위에 균일하게 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판으로 사용될 반도체 단결정을 깨끗하게 진공 내에서 세척하여 오염되지 않고 균일한 면을 얻는 다음, 기판을 적절한 온도 정도로 가열하면서 계면활성제를 진공증착하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 형성된 계면활성제 박막 위에 금속을 진공 증착하는 제2단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100160582B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950047434

申请日：1995-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전민용 ,  오왕열 ,  이학규 ,  김경현 ,  이일항

IPC: H01S3/00

CPC classification number: H01S3/067 ,  G02F1/3519

Abstract: 본 발명은 광섬유 레이저에 관한 것으로 특히, 사냑(Sagnac) 루프 거울과 패러데이 회전 거울을 이용하여 편광에 매우 안정하고, 큰 에너지를 갖는 초단 펄스를 생성할 수 있는 광섬유 레이저에 관한 것이다.
본 발명은 광펌핑 레이저 다이오드; 이득매질 첨가 광섬유; 파장분할 광섬유 결합기; 위한 분산 천이 광섬유; 및 제1편광조절기가 루프 형으로 결합된 비선형 증폭 루프 거울: 제2편광조절기; 및 진행되는 광파의 편광면을 회전시키는 패러데이 회전 거울로 구성되는 선형 거울: 및 상기 비선형 증폭 루프 거울과 상기 선형 거울 사이에 연결되는 광섬유 방향성 결합기로 구성되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100152709B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019950054544

申请日：1995-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김광준 ,  현경숙 ,  권오균 ,  이일항

IPC: G02F3/00

Abstract: 본 발명은 투과광의 파장의 4분의 1의 두께를 가지는 적층거울을 이용한 광 강도 조절기에 관한 것으로서, 그 특징은 광 강도 조절기에 있어서, 빛을 이용한 정보 처리 장치에서 주어진 파장에 대해 투명하며 서로 다른 굴절율을 갖는 두 물질을 각각 그 물질 안에서 빛이 90도의 위상변화를 보이는 두께 즉, 빛이 사분의 일 파장 전진하는 거리만큼씩 교대로 쌓은 구조를 광창문의 앞에 배치하여 각 광창문마다 이 구조의 층의 수를 변화시켜 줌으로써 각 광창문에 입사되는 광 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 데에 있으므로, 본 발명은 첫째로 적층거울의 물리적 성질이 잘 알려져 있고 이를 쌓는 기술도 보편화되어 있으므로 정확하게 원하는 투과율(transmittance)을 얻을 수 있고, 둘째로 이 적층거울의 투과율과 반사율(reflectance)의 합이 늘 일정하므로 소자가 완성된 뒤에도 언제든지 반사율을 측정함으로써 비파괴적으로 투과율을 측정할 수 있으며, 셋째로 정보를 가진 빛의 일부가 반사되어 나오므로 이를 이용한 구도를 추가할 수 있고, 네째로 빛을 흡수하지 않으므로 흡수체를 쓴 경우에 비해 전체적인 열의 발생을 줄일 수 있다는 데에 그 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100148597B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940030898

申请日：1994-11-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  최영완 ,  김광준 ,  이일항

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L31/108

Abstract: 본 발명은 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 화합물 반도체에서 전기광 흡수 효과를 갖는 다중양자우물(Multiple Quantum Well)구조를 금속/반도체접하 쇼트키 다이오드의 중간층으로 사용하는 광소자에 관한 것이다.
특징적인 구성으로는 반 절연성 갈륨비소기판 위에 갈륨비소거울층과 알미늄비소거울층이 다수 주기적으로 성장되어 있고 그 위에 다시 n
+ 혹은 p
+ 반도체층이 성장되고 상기의 반도체층위에 전극 및 거울역할을 위한 쇼트키금속층을 성장시키기 위해 갈륨비소완충층을 성장시킨 금속/반도체접합 다이오드소자에 있어서, 상기 반도체층과 접합시 쇼트키 특성을 갖는 금속막사이의 중간층에 전기광흡수특성을 갖는 다중양자우물구조를 두어 금속층/다중양자층/반도체층으로 다이오드를 구성한 다이오드 구조로 구성함에 있으며, 또한 상기 다이오드는 전극, 열전도 및 거울 역할을 하는 금속막과 다층 반도체막 거울 사이에 공명 및 비공명조건을 갖는 구조로 단결정기판을 광학적 투명층으로 하기 위해 반도체거울층 및 다이오드 구조층의 일부 혹은 전부를 왜곡층으로 성장함에 있으며, 다이오드층이 성장된 기판의 반대면은 광학적 무반사막으로 처리하여 구성함에 있다.

公开(公告)号：KR100138857B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940029925

申请日：1994-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  하정숙 ,  박성주 ,  이일항

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 초고진공내에서 반도체 및 도체의 시료를 이동하고 특정한 목적으로 열처리하는 집게 및 시료대에 관한 것으로, 기존의 조작기(Manipulator)가 가지고 있는 시료의 조작의 불편이나, 두발집게가 가지고 있는 시료대의 불안정성과 전자빔 가속에 의한 열처리의 난점 등을 극복한 네발집게와 시료대로서 본 발명 네발집게를 이용하면 외부에서 어떠한 크기나 형태를 가진 물건도 초고진공내에서의 조작과 이동이 가능하고, 반도체나 도체의 세척과정에서 필수적으로 수반되는 열처리의 과정이 훨씬 용이하게 된다

公开(公告)号：KR1019970056120A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052667

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김경헌 ,  이학규 ,  이일항

IPC: H04J14/00

Abstract: 본 발명은 파장(또는 주파수)분할다중 대용량 광통신에 있어서, 다파장(또는 주파수)채널의 파장(도는 주파수)의 안정화 및 표준화와 더불어 다파장 채널 신호를 분리하는데 응용이 가능하고 실용화가 쉽도록 집적이 가능한 다파장 광필터 구도를 제안하고 있다.
여러개의 루우프가 1×N 광분파기 또는 결합기(splitter or combiner)로 연결된 샤낙 루우프(Sagnac loop)의 각 루우프 중앙에 파장 선택성이 다른 브레그 격자(Bragg grating)를 형성하여 다파장 채널투과형 광필터를 구성하는 구도가 제안되었다.
이 구조에 각 브레그 격자의 파장 선택성을 변화시키기 위하여 그리고 샤낙 루우프에서 서로 반대로 진행한 광신호의 위상을 조절하는 기능을 추가하기 위해 브레그 격자와 루우프의 한쪽에 열팽창이나 인장 및 수축 기능이 첨가되었으면, 아울러 이 전체 구도를 고아섬유와 광섬유 커플러 등으로 구성하거나 평면형으로 집적화 하기 위해 실리카 재료 또는 유기물, 반도체 재료 등을 이용하는 방법이 제안되었다.
본 발명은 앞으로 여러 파장(또는 주파수)를 사용하는 파장(또는 주파수) 분할다중 광통신에 있어서 광 소스(optical source)의 파장(또는 주파수) 안정화(frequency stabilizing) 또는 표준화(frequency standard)소자, 잡음 제거용 소자등으로도 활용이 가능하고, 아울러 광 네트워크에서의 다파장(또는 주파수)채널 분리(channel drop) 소자로 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019970051984A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052670

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노정래 ,  김성복 ,  이일항

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 인듐갈륨아세나이츠의 PN 접합구조의 형성방법에 관한것으로 특히, 사전 열분해 공정을 거치지 않은 V 족 화합물의 원료 기체와 사전열분해 공정을 거친 Ⅲ 족의 화합물을 원료기체로 하여 N 형 전도특성을 갖는 인듐갈륨아세나이드와 P 형의 전기전도도를 나타내는 InGaAs 를 성장온도의 조절만으로 형성하는 방법에 관한것이다.