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公开(公告)号：KR1019980029967A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960049301
申请日：1996-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01R23/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고주파 측정의 오차를 보정하는 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
일반적인 오차 보정방법으로 계산된 측정용 보조기구의 특성으로 부터 보정기구의 특성 임피던스를 구하여 일단 계산되었던 측정용 보조기구의 특성을 재계산함으로써, 특성이 검증되지 않은 표준 보정기구를 사용하더라도 고주파 측정오차를 정확히 보정하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
측정용 보조기구를 두 개의 전송선(104,105)과 전송선 연결부위의 기생성분(106)으로 모델링 하고, 각 전송선의 전달특성을 이용하여 측정 기준점을 이동함으로써 2 단자가 서로 만나게 하였을 경우의 반사계수 차이로부터 측정용 보조기구의 특성 추출에 사용된 표준 보정기구의 특성 임피던스를 계산하는 단계로 이루어짐.
4. 발명의 중요한 용도
측정장치에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100141339B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940010640
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 알루미늄 갈륨비소의 불순물 초핑층(chopping layer)을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조에 관한 것으로서, 종래의 갈륨비소의 반 절연성 기판(1) 위에 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2), 저농도로 도핑된 갈륨비소의 콜렉터층(3), 갈륨비소의 베이스층(4), 알루미늄 갈륨비소의 에미터층(5) 및 갈륨비소의 캡층(6)을 순차로 형성한 에피기판 구조에서 상기 갈륨비소의 반절연성 기판(1)과 상기 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2) 사이에 누설전류를 제거하기 위한 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초격자층(7)을 삽입하고, 상기 갈륨비소의 베이스층(4) 대신에 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초핑층(8)을 삽입하므로써 고주파 특성을 좋게하고, 누설전류의 원인이되고 있는 탄소오염 경계면의 효과를 차폐하 므로서 고효율의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970033088A
公开(公告)日：1997-07-22
申请号：KR1019950050107
申请日：1995-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B08B3/12
Abstract: 본 발명은 초음파 세척장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 초음파 세척장치의 진동자를 세척조의 일측면에 부설하거나 진동자를 세척조의 하면에 세척조 저면과 일정한 각도로 경사지게 부설함으로써, 세척하고자 하는 물체의 형상에 관계없이 높은 세척효과로 물체를 균일하게 세척할 수 있는 초음파 세척장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 세척장치는, 세척장치 본체와 세척물을 세척하기 위한 매질이 충진되는 세척조 및 초음파를 발생시키는 진동자로 구성된 초음파 세척장치에 있어서, 상기한 진동자가 세척조의 일측면에 부설된 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 초음파 세척장치는, 세척장치 본체와 세척물을 세척하기 위한 매질이 충진되는 세척조 및 초음파를 발생시키는 진동자로 구성된 초음파 세척장치에 있어서,복수개의 진동자가 세척조의 하부에 세척조 저면과 일정한 각도로 경사지게 부설된 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019970011764B1
公开(公告)日：1997-07-15
申请号：KR1019930027630
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: A substrate structure of power devices suitable for digital mobile telecommunication is provided to improve the linearity. The substrate structure comprises: a buffer layer(4) formed on a GaAs substrate(1); a barrier layer(5) formed on the buffer layer(4) for preventing current path; a second active layer(6) formed on the barrier layer(5) and doping dopants of high concentration for improving the linearity of trans-conductance; and a second capping layer(7) formed on the active layer(6) and having graded composition for increasing the breakdown voltage.
Abstract translation: 提供适用于数字移动电信的功率器件的衬底结构，以提高线性度。 衬底结构包括：形成在GaAs衬底（1）上的缓冲层（4）; 形成在缓冲层（4）上用于防止电流通路的阻挡层（5） 形成在所述阻挡层（5）上的第二有源层（6）和掺杂高浓度的掺杂剂以改善反电导的线性; 以及形成在有源层（6）上并具有用于增加击穿电压的渐变组成的第二覆盖层（7）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960012323A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940023880
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 박막을 성장할때 가열된 기판에 초음파를 인가하여 기판에 형성되는 박막의 질을 개선하는 장치에 관한 것으로, 종래의 박막성장장치에 고품질의 성장박막을 얻기 위하여 성장중인 기판에 초음파를 인가하는 장치를 제공하는데 목적이 있다. 이러한 목적으로 본 발명은 기판에 성장박막을 강하게 융착시킬 수 있고, 성장이 어려운 물질도 쉽게 성장이 가능하도록 하여 박막의 질을 향상시킬 수 있고 전기적, 광학적 특성이 좋은 박막을 제조할 수 있다. 본 발명은 상술한 작용으로 박막성장 중 기판에 인가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수가 반인 물질은 배로 증가하게 되므로 결정성장 중 배경압력을 충분히 낮추어 성장박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950034821A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010640
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 알루미늄 갈륨비소의 불순물 초핑층(chopping layer)을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조에 관한 것으로서, 종래의 갈륨비소의 반 절연성 기판(1)위에 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2), 저농도로 도핑된 갈륨비소의 콜렉터층(3), 갈륨비소의 베이스층(4), 알루미늄 갈륨 비소의 에미터층(5) 및 갈륨비소의 캡층(6)을 순차로 형성한 에피기판 구조에서 상기 갈륨비소의 반절연성 기판(1)과 상기 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2) 사이에 누설 전류를 제거하기 위한 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초격자층(7)을 삽입하고, 상기 갈륨비소의 베이스층(4) 대신에 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초핑층(8)을 삽입하므로써 고주파 특성을 좋게하고, 누설전류의 원인이 되고 있는 탄소오염이 경계면의 효과를 차 하므로서 고효율의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950034418A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010642
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제조하는데 있어서 경사면을 이용한 저항성 접촉의 형성방법에 관한 것으로서, 종래의 합금화에 의한 제조방법에서 반절연성 기판(1) 상에서 서로다른 물성을 가진 여러층을 통하여 저항성 접촉(6)을 합금화 시켜야 하기 때문에 고온의 열처리 과정과 이로 인한 원하지 않는 화합물 재료의 생성과 특성의 변질이 발생되는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 저항성 접촉부분을 2차원 전자가스 채널층까지 경사면으로 습식식각하고 저항성 접촉용 금속층을 증착하여 저항성 접촉과 2차원 전자가스 채널층이 경사면에서 직접 접하도록 하는 공정들을 제공하므로써 접촉면적을 극대화하고, 서로다른 물성을 가진 여러층과 저항성 접촉의 금속과의 복잡한 반응기구를 이해하여 제어할 필요가 없으며, 게이트 방향으로의 확산 작으므로 정확한 채널 길이를 제어할 수 있어 재현성 있는 소자 제작에 유리하다.
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公开(公告)号：KR1019930002319B1
公开(公告)日：1993-03-29
申请号：KR1019890012067
申请日：1989-08-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The transistor is mfd. by forming a non-doped Ga-As layer (2) on the semi-insulating substrate (1), forming a non-doped Al-Ga-As layer (3) on the layer (2), forming a silicon impurity-doped Al-Ga-As source layer (4) on the layer (3), forming a non-doped semi- insulating Al-Ga-As layer (5) on the layer (4), forming a silicon impurity-doped Ga-As layer (6) on layer (5), and partially etching the layer (6) to form a short key contact gate (7) on the layer (5) and to form a resistible contact source (8) and drain (9) on the layer (6).
Abstract translation: 晶体管是mfd。 通过在半绝缘性基板（1）上形成非掺杂Ga-As层（2），在层（2）上形成非掺杂Al-Ga-As层（3），形成杂质掺杂硅 在层（3）上形成Al-Ga-As源层（4），在层（4）上形成非掺杂半绝缘Al-Ga-As层（5），形成掺杂硅杂质的Ga-As 在层（5）上的层（6），并且部分地蚀刻层（6）以在层（5）上形成短键接触栅极（7），并且形成可接触的接触源（8）和漏极（9） 层（6）。
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