公开(公告)号：KR100779099B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020060120078

申请日：2006-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  최규정 ,  유병곤 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  이남열 ,  류상욱

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L21/67069 ,  H01L45/141

Abstract: A method for manufacturing a phase-change memory device having a GST chalcogenide pattern is provided to form easily the GST chalcogenide pattern having a size of 100nm and less by performing a dry-etch process using a helicon plasma dry-etch apparatus. A GST chalcogenide layer used as a phase-change material is formed on the upper surface of a semiconductor substrate(200). A hard mask pattern is formed on the GST chalcogenide layer. A hard mask pattern is formed on the GST chalcogenide layer. A helicon plasma dry-etch apparatus performs a dry-etch process by using a mixed gas of an argon gas as an etch gas and a tetrafluorocarbon gas. The GST chalcogenide layer is etched by using a hard mask pattern having high etch selectivity to the GST chalcogenide layer, in order to form a GST chalcogenide pattern(202a).

Abstract translation: 提供了具有GST硫族化物图案的相变存储器件的制造方法，通过使用螺旋等离子体干蚀刻设备进行干蚀刻工艺，容易地形成尺寸为100nm以下的GST硫族化物图案。 在半导体衬底（200）的上表面上形成用作相变材料的GST硫族化物层。 在GST硫族化物层上形成硬掩模图案。 在GST硫族化物层上形成硬掩模图案。 螺旋等离子体干蚀刻装置通过使用氩气作为蚀刻气体和四氟化碳气体的混合气体进行干法蚀刻工艺。 通过使用对GST硫族化物层具有高蚀刻选择性的硬掩模图案来蚀刻GST硫族化物层，以便形成GST硫族化物图案（202a）。

公开(公告)号：KR100687755B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050107617

申请日：2005-11-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  최규정 ,  이남열 ,  류상욱 ,  박영삼 ,  이승윤 ,  유병곤

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

公开(公告)号：KR100651756B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050118054

申请日：2005-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  윤성민 ,  류상욱 ,  이남열 ,  최규정 ,  이승윤 ,  유병곤

IPC: H01L27/115

公开(公告)号：KR1020060071833A

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：KR1020050040378

申请日：2005-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  학교법인연세대학교

Inventor： 인민교 ,  이승윤 ,  소병한 ,  김동민 ,  이재용

IPC: H04L12/28 ,  H04L12/24

Abstract: 본 발명은 MANET 환경에서 QoS(Quality of Service)을 보장하기 위해 최선 트래픽(Best Efforts traffic)의 전송을 제어하는 장치에 관한 것이다.
본 명세서에서 개시하는 이동 애드혹 네트워크 환경에서의 트래픽 전송 제어 장치는 이동 애드혹 네트워크의 상태 정보를 산출/수집하는 네트워크 상태 정보 산출/수집부; 상기 산출/수집된 상태 정보를 이용하여, 상기 네트워크 환경에서 QoS 보장 트래픽의 전송을 위한 경로를 확립하고 자원을 예약하는 QoS 보장 라우팅 부; 및 상기 QoS 보장 트래픽의 QoS을 유지시키는 QoS 유지부를 포함하여 본 장치발명의 목적 및 기술적 과제를 달성한다.

公开(公告)号：KR100568863B1

公开(公告)日：2006-04-10

申请号：KR1020030097265

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  김상훈 ,  강진영

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 바이씨모스 소자에 포함된 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 성능을 향상시킴으로써 높은 주파수에서 동작하는 rf 집적회로를 구현할 수 있도록 하는 것으로, 종래의 기술로 바이씨모스 소자 제작시 발생하는 베이스 콘택부 식각에 의한 콘택 저항 증가 및 rf 특성 저하를 선택적 에피택셜 성장법을 도입하여 방지하는 방법을 제시한다.
이종접합 바이폴라 트랜지스터, 바이씨모스 소자, 베이스, 규소게르마늄

公开(公告)号：KR1020050066063A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097265

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  김상훈 ,  강진영

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 바이씨모스 소자에 포함된 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 성능을 향상시킴으로써 높은 주파수에서 동작하는 rf 집적회로를 구현할 수 있도록 하는 것으로, 종래의 기술로 바이씨모스 소자 제작시 발생하는 베이스 콘택부 식각에 의한 콘택 저항 증가 및 rf 특성 저하를 선택적 에피택셜 성장법을 도입하여 방지하는 방법을 제시한다.

公开(公告)号：KR1020050066045A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097243

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이강찬 ,  전종홍 ,  이원석 ,  이승윤 ,  박기식

IPC: G06F17/21

CPC classification number: G06F17/2247 ,  G06F17/272

Abstract: 본 발명은 확장성 생성 언어(extensible mark-up language ; XML) 처리에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 독립적인 하드웨어를 기반으로 XML 처리 기능의 일부를 하드웨어적으로 처리하도록 하여 시스템의 부담을 줄이면서도 XML 처리 속도를 개선하는 XML 처리 장치 및 이를 적용한 시스템의 XML 처리 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 XML 처리 장치는 XML 처리를 수행하기 위한 소프트웨어 실행시 필요한 변수, 값들을 저장하기 위한 제1메모리; XML 처리 기능의 일부를 하드웨어적으로 처리하는 하드웨어 처리 모듈; 상기 하드웨어 처리 모듈이 사용하는 제2메모리; 및 XML 처리기의 전반적인 제어를 담당하는 중앙처리장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 XML 처리기는 독립적인 하드웨어를 기반으로 XML 처리 기능의 일부를 하드웨어적으로 처리하도록 함으로써 기존의 소프트웨어적으로 처리하는 방법에 비하여 XML처리 속도를 개선하고, 시스템의 부담을 줄이는 효과를 가진다.

公开(公告)号：KR100388492B1

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020000080737

申请日：2000-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  김용진

IPC: H04N21/2387

Abstract: PURPOSE: A dynamic frame selecting method in video on demand is provided to minimize deterioration in service quality and to variably adjust traffic while dynamically controlling service quality in VCR performance. CONSTITUTION: A current user session is converted into an interactive service mode according to a user's request for a video cassette recorder function(206). An available band width capacity is calculated using the converted service situation and the entire band width capacity to check the traffic state(207). It is determined if service is provided or not according to the traffic state(208). A corresponding frame select parameter is decided and a dynamic frame for video selected by the decided select parameter is chosen(209). The amount of traffic generated according to the decided frame select parameter and service quality are variably controlled to transmit the chosen frame(210).

Abstract translation: 目的：提供视频点播中的动态帧选择方法，以最小化服务质量的恶化，并在VCR性能中动态地控制服务质量的同时可变地调整流量。 构成：当前用户会话根据用户对盒式磁带录像机功能的请求转换成交互式服务模式（206）。 使用经转换的服务情况和整个带宽容量来计算可用带宽容量以检查通信量状态（207）。 根据交通状态确定是否提供服务（208）。 确定相应的帧选择参数，并选择由决定的选择参数选择的用于视频的动态帧（209）。 根据所确定的帧选择参数和服务质量产生的业务量被可变地控制以发送所选帧（210）。

公开(公告)号：KR100345304B1

公开(公告)日：2002-07-25

申请号：KR1020000060004

申请日：2000-10-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심규환 ,  김홍승 ,  이승윤 ,  강진영

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 고품질의 반도체박막인 Si, SiGe, SiGe:C와 같은 에피결정을 성장하는 수직형 초고진공 화학증착장치에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 고진공하에서 에피택셜층 성장의 균일성을 유지하고 웨이퍼에서 전달되는 열전달을 최소화하는 이중구조의 석영관을 구비한 성장챔버; 상기 성장챔버의 하측에 연결되어, 에피택셜층 성장이 이루어지는 웨이퍼를 수직전송하는 수직이송장치를 포함하는 웨이퍼전송챔버; 상기 웨이퍼전송챔버의 하측에 구비되어 상기 웨이퍼를 수직전송시키는데 있어 웨이퍼전송챔버와의 압력 차이에 의해 전송기어에 응력이 가해지는 것을 방지하는 완충챔버; 및 상기 웨이퍼전송챔버의 일측에 연결되어 에피택셜층 성장시 외부로부터의 오염을 감소시키고 에피택셜층 성장이 완료된 웨이퍼를 수평이송시켜 외부로 배출하기 위한 로드락챔버를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020020012077A

公开(公告)日：2002-02-15

申请号：KR1020000045522

申请日：2000-08-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심규환 ,  이승윤 ,  김홍승 ,  강진영

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a hetero-junction bipolar transistor(HBT) is provided to reduce a modulation degree of a base, by uniformly controlling the flow of current injected to an emitter while precisely controlling the density in a very thin region. CONSTITUTION: A lower collector(2) and a collector Si epitaxial layer(3) are formed on a silicon substrate(1). An isolation layer is formed on the silicon substrate. A collector plug(6) and a selective implanted collector(SIC) region are formed in the active region of the silicon substrate. A mask insulation layer pattern wherein the SIC region is opened is formed on the resultant structure. A Si epitaxial layer is selectively grown by using the mask insulation layer pattern such that the Si epitaxial layer is partially and laterally over-grown on the mask insulation layer pattern. A SiGe base epitaxial layer(10) is grown on the resultant structure, and a plurality of second-dimensional doping layers are formed in the SiGe base epitaxial layer. The SiGe base epitaxial layer is patterned to define a base region. The emitter in contact with the SiGe base epitaxial layer is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造异质结双极晶体管（HBT）的方法，通过均匀地控制注入发射极的电流流动，同时精确地控制非常薄的区域的密度，来降低基极的调制度。 构成：在硅衬底（1）上形成下集电体（2）和集电极Si外延层（3）。 在硅衬底上形成隔离层。 在硅衬底的有源区域中形成集电极插塞（6）和选择性注入集电极（SIC）区域。 在所得结构上形成其中SIC区域被打开的掩模绝缘层图案。 通过使用掩模绝缘层图案选择性地生长Si外延层，使得Si外延层在掩模绝缘层图案上部分和横向过度生长。 在所得结构上生长SiGe基极外延层（10），并且在SiGe基极外延层中形成多个第二维掺杂层。 将SiGe基底外延层图案化以限定基极区域。 形成与SiGe基极外延层接触的发射极。