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    System und Verfahren für einen Richtkoppler
    51.
    发明专利
    System und Verfahren für einen Richtkoppler 未知

    公开(公告)号：DE102016111856B4

    公开(公告)日：2019-04-04

    申请号：DE102016111856

    申请日：2016-06-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SOLOMKO VALENTYN ,  BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY

    IPC: H03H7/40 ,  H04B1/18 ,  H04B1/40

    Abstract: Ein Verfahren zum Betreiben eines Richtkopplers, umfassend:Bestimmen einer gekoppelten Leistungsvariation durchAnwenden eines Eingangssignals an einem Eingangsanschluss des Richtkopplers,Anwenden einer ersten Impedanz an einem Sendeanschluss des Richtkopplers,Messen einer ersten gekoppelten Leistung an einem gekoppelten Anschluss des Richtkopplers nach dem Anwenden der ersten Impedanz,Anwenden einer zweiten Impedanz an dem Sendeanschluss des Richtkopplers,Messen einer zweiten gekoppelten Leistung nach dem Anwenden der zweiten Impedanz, undBestimmen einer Differenz zwischen der ersten gekoppelten Leistung und der zweiten gekoppelten Leistung, um die gekoppelte Leistungsvariation zu bilden.

    Eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung und eine Vorrichtung zum Schutz einer Schaltung
    52.
    发明专利
    Eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung und eine Vorrichtung zum Schutz einer Schaltung 未知

    公开(公告)号：DE102017103803A1

    公开(公告)日：2018-08-23

    申请号：DE102017103803

    申请日：2017-02-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIMBUERGER WERNER ,  WIESBAUER ANDREAS ,  BAKALSKI WINFRIED ,  LISCHKA GEORG

    IPC: H04R3/00 ,  H01L23/60 ,  H04R1/04

    Abstract: Eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung umfasst mindestens eine nichtlineare Schaltung. Ferner umfasst die Integrierte-Schaltung-Vorrichtung mehrere mit der nichtlinearen Schaltung gekoppelte Anschlussschaltungen. Jede Anschlussschaltung umfasst einen zugehörigen Anschluss und ein induktives Element, das mit dem zugehörigen Anschluss und der mindestens einen nichtlinearen Schaltung gekoppelt ist. Eine Schutzvorrichtung zum Schutz einer Schaltung umfasst ein Elektrostatische-Entladung-Schutzelement, das dafür ausgelegt ist, mit einem Schaltungsanschluss verbunden zu werden, und ein induktives Element, gekoppelt mit dem Elektrostatische-Entladung-Schutzelement und dafür ausgelegt, mit der Schaltung verbunden zu werden. Das induktive Element weist eine geringe Güte auf.

    System und Verfahren für eine Ansteuerung eines Hochfrequenzschalters
    54.
    发明专利
    System und Verfahren für eine Ansteuerung eines Hochfrequenzschalters 未知

    公开(公告)号：DE102016108117A1

    公开(公告)日：2017-03-30

    申请号：DE102016108117

    申请日：2016-05-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  STELTENPOHL ANTON ,  TADDIKEN HANS

    IPC: H03K17/10 ,  H03K17/04

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Hochfrequenz- bzw. HF-Schaltschaltung mehrere in Reihe geschaltete HF-Schaltzellen, die einen Lastpfad und einen Steuerknoten umfassen, mehrere zwischen Steuerknoten angrenzender HF-Schaltzellen geschaltete erste Gatewiderstände und einen Eingangswiderstand mit einem ersten Ende, das mit einem Steuerknoten einer der mehreren HF-Schaltzellen gekoppelt ist, und einem zweiten Ende, das an einem Ausgang eines Schalttreibers konfiguriert ist. Jede der mehreren in Reihe geschalteten HF-Schaltzellen umfasst einen Schalttransistor.

    Mobiltelefon
    55.
    发明专利
    Mobiltelefon 未知

    公开(公告)号：DE102011003880B4

    公开(公告)日：2016-12-29

    申请号：DE102011003880

    申请日：2011-02-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS

    IPC: H03K17/04 ,  H04B1/38 ,  H04B1/44

    Abstract: Mobiltelefon (1000), das folgende Merkmale umfasst: eine Hochfrequenz-Schaltschaltung (100; 200; 600; 900; 1200), die folgende Merkmale umfasst: einen Hochfrequenz-Schalttransistor (110), der derart zwischen einen Sender und eine Antenne eines Mobiltelefons oder zwischen einen Empfänger und die Antenne des Mobiltelefons geschaltet ist, dass sich ein Hochfrequenzsignalweg zwischen dem Sender und der Antenne oder zwischen dem Empfänger und der Antenne über einen Kanalweg des Hochfrequenz-Schalttransistors (110) erstreckt; und eine Steuerschaltung (120), die konfiguriert ist, um zumindest zwei unterschiedliche Vorspannungspotentiale an ein Substrat (130) des Hochfrequenz-Schalttransistors (110) anzulegen, abhängig von einem Steuersignal (140), das durch die Steuerschaltung (120) empfangen wird, wobei das Vorspannungspotential des Hochfrequenzschalttransistors unabhängig von dem Schaltzustand des Hochfrequenzschalttransistors ist; und einen Prozessor (1100), wobei der Prozessor (1100) konfiguriert ist, um das Steuersignal (140) abhängig von einem Zustand des Mobiltelefons (1000) der Hochfrequenz-Schaltschaltung (1200) bereitzustellen, wobei Intermodulationsverzerrungen des Mobiltelefons (1000) geringer sind, wenn das Mobiltelefon (1000) in einem ersten Zustand ist als wenn es in einem zweiten Zustand ist; und wobei eine Stromaufnahme des Mobiltelefons (1000) niedriger ist, wenn das Mobiltelefon (1000) in dem zweiten Zustand ist, als wenn es in dem ersten Zustand ist.

    Serieller Kapazitätstuner
    56.
    发明专利
    Serieller Kapazitätstuner 未知

    公开(公告)号：DE102016105359A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：DE102016105359

    申请日：2016-03-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED

    IPC: H03H11/40

    Abstract: Ein Impedanzanpassnetzwerk umfasst einen ersten Signalanschluss, der konfiguriert ist, ein Signal von einer Quellenschaltung zu empfangen, und einen zweiten Signalanschluss, der konfiguriert ist, das Signal einer Lastschaltung bereitzustellen. Das Netzwerk umfasst ferner einen Reihenzweig, der eine variable kapazitive Komponente zwischen dem ersten Signalanschluss und den zweiten Signalanschluss umfasst. Die variable kapazitive Komponente umfasst eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten kapazitiven Abschnitten, wobei mindestens einer der kapazitiven Abschnitte ein schaltendes Element umfasst, das einen Stapel von in Reihe geschalteten Transistoren umfasst. Das Impedanzanpassnetzwerk umfasst zudem eine Steuerkomponente, die konfiguriert ist, eine Kapazität der variablem kapazitiven Komponente zu steuern, indem der mindestens eine der kapazitiven Abschnitte auf der Grundlage eines vorbestimmten Algorithmus gesteuert wird.

    Schaltung mit einem Beschleunigungselement
    58.
    发明专利
    Schaltung mit einem Beschleunigungselement 未知

    公开(公告)号：DE102014213163A1

    公开(公告)日：2015-01-08

    申请号：DE102014213163

    申请日：2014-07-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SOLOMKO VALENTYN ,  BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  SIMBUERGER WERNER

    IPC: H03K17/04

    Abstract: Eine Schaltung umfasst ein Schaltelement mit einem ersten Anschluss, einem zweiten Anschluss und einem Steueranschluss. Die Schaltung umfasst auch ein Impedanznetz, das zwischen den Steueranschluss und einen Schaltknoten geschaltet ist. Die Schaltung umfasst auch ein erstes Beschleunigungselement, das zwischen den Steueranschluss und einen ersten Knoten geschaltet ist. Der erste Knoten ist vom Schaltknoten verschieden. Die Schaltung ist ausgelegt, das erste Beschleunigungselement temporär zu aktivieren, wenn ein Schaltzustand des Schaltelements zu ändern ist.

    System und Verfahren für eine schaltbare Kapazität
    59.
    发明专利
    System und Verfahren für eine schaltbare Kapazität 未知

    公开(公告)号：DE102014106633A1

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：DE102014106633

    申请日：2014-05-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED

    IPC: H03H11/28 ,  H03L7/085 ,  H04B1/40

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform weist eine schaltbare Kapazitätsschaltung eine Vielzahl von Kapazitätsschaltzellen auf, die jeweils einen ersten Halbleiterschaltschaltkreis und eine Kapazitätsschaltung mit einem ersten Anschluss, der mit dem ersten Halbleiterschaltschaltkreis verbunden ist, aufweisen. Ein Widerstand des ersten Halbleiterschaltschaltkreises einer ersten Kapazitätsschaltzelle der Vielzahl von Kapazitätsschaltzellen liegt innerhalb einer ersten Toleranz eines Widerstands des ersten Halbleiterschaltschaltkreises einer zweiten Kapazitätsschaltzelle der Vielzahl von Kapazitätsschaltzellen, und eine Kapazität der Kapazitätsschaltung der ersten Kapazitätsschaltzelle liegt innerhalb einer zweiten Toleranz einer Kapazität der Kapazitätsschaltung der zweiten Kapazitätsschaltzelle.

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