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公开(公告)号：WO2010125028A3
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/EP2010/055546
申请日：2010-04-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WALTER, Robert , GROLIER, Vincent , SCHMAL, Michael , PERZLMAIER, Korbinian , EBERHARD, Franz
Inventor： WALTER, Robert , GROLIER, Vincent , SCHMAL, Michael , PERZLMAIER, Korbinian , EBERHARD, Franz
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216 , G02B5/08
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Halbleiterschichtenfolge (10) und einem reflektierenden Schichtsystem (20) angegeben. Das reflektierende Schichtsystem (20) weist eine an die Halbleiterschichtenfolge (10) angrenzende erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) und eine Metallschicht (23) an der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) auf. Die erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) enthält ein erstes dielektrisches Material. Zwischen der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) und der Metallschicht (23) ist eine zweite strahlungsdurchlässige Schicht (22) angeordnet, die ein haftverbesserndes Material enthält. Die Metallschicht (23) ist unmittelbar auf das haftverbessernde Material aufgebracht. Das haftverbessernde Material ist von dem ersten dielektrischen Material verschieden und derart ausgewählt, dass die Haftung der Metallschicht (23) im Vergleich zur Haftung auf dem ersten dielektrischen Material verbessert ist.
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52.发明申请
公开(公告)号：WO2021078480A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/EP2020/077257
申请日：2020-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR, Teresa , HOEPPEL, Lutz , LEBER, Andreas , NEVELING, Kerstin , PERZLMAIER, Korbinian , PFEUFFER, Alexander , RAFAEL, Christine
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Montage eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) angegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen zumindest eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) mit zumindest einer metallischen Anschlussschicht (2), - Bereitstellen eines Hilfsträgers (3), - Anbringen einer Opferschicht (4) zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) und dem Hilfsträger (3), die eine mechanisch stabile Verbindung zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) und dem Hilfsträger (3) vermittelt, - Erzeugen einer Vielzahl von Kontaktelementen (5) in der Opferschicht (4), die elektrisch leitend ausgebildet ist, - Entfernen der Opferschicht (4), derart, dass der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) durch die Kontaktelemente (5) an dem Hilfsträger (3) befestigt ist. Des Weiteren wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben.
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公开(公告)号：WO2021037568A1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：PCT/EP2020/072652
申请日：2020-08-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER, Alexander F. , MEYER, Tobias , PERZLMAIER, Korbinian , SCHWARZ, Thomas , HOIBL, Sebastian
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips (1) angegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers (2), - Aufbringen erster Kontaktschichten (5) auf den Halbleiterwafer (2), - Befestigen einer Trägeranordnung (8) an dem Halbleiterwafer (2), - Vereinzeln des Halbleiterwafers (2) zu Halbleiterkörpern (13), und - Aufbringen zweiter Kontaktschichten (14) auf die Halbleiterkörper (13). Weiterhin werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip und ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
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54.发明申请
公开(公告)号：WO2021028484A1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：PCT/EP2020/072648
申请日：2020-08-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MEYER, Tobias , PERZLMAIER, Korbinian
Abstract: Ein Verfahren zum Aufnehmen und Ablegen von optoelektronischen Halbleiterchips (11) umfasst, dass Elektron-Loch-Paare in optoelektronischen Halbleiterchips (11) erzeugt werden und dadurch in der Umgebung des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips (11) ein elektrisches Dipolfeld erzeugt wird, ein Aufnahmewerkzeug (13) ein elektrisches Feld erzeugt und die optoelektronischen Halbleiterchips (11) während oder nach der Erzeugung der Elektron-Loch-Paare mit dem Aufnahmewerkzeug (13) aufgenommen und an vorgegebenen Stellen abgelegt werden.
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公开(公告)号：WO2020099324A1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：PCT/EP2019/080873
申请日：2019-11-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WITTMANN, Sebastian , PERZLMAIER, Korbinian
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente (12) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Verbunds (6) mit einer Vielzahl an Verbindungsträgern (9), wobei - jeder Verbindungsträger (9) eine lichtdurchlässige Matrix (7) aufweist, in der Durchkontaktierungen (8) angeordnet sind, die sich von einer ersten Hauptfläche des Verbindungsträgers (9) zu einer zweiten Hauptfläche des Verbindungsträgers (9) hindurch erstrecken, und - die Verbindungsträger (9) durch Rahmen (4) voneinander beabstandet sind, die jeden Verbindungsträger (9) umlaufen, - Anordnen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (11) auf zwei Durchkontaktierungen (8), und - Vereinzeln der Bauelemente (12) durch vollständiges oder teilweises Entfernen der Rahmen (4). Außerdem werdenein strahlungsemittierendes Bauelement, ein Verfahren zur Herstellung eines Verbindungsträgers und ein Verbindungsträger angegeben.
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Patent Agency Ranking56.发明申请
公开(公告)号：WO2020088877A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/EP2019/076768
申请日：2019-10-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TÅNGRING, Ivar , PERZLMAIER, Korbinian
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (20) angegeben mit: - einem x-dotierten Bereich (21), - einem y-dotierten Bereich (22), - einem aktiven Bereich (23), welcher zwischen dem x-dotierten Bereich (21) und dem y-dotierten Bereich (22) angeordnet ist, und - einem x-Kontaktbereich (24), wobei - der x-Kontaktbereich (24) an der dem aktiven Bereich (23) abgewandten Seite des x-dotierten Bereichs (21) angeordnet ist, - der x-Kontaktbereich (24) mindestens einen ersten Bereich (25) und mindestens einen zweiten Bereich (26) aufweist, und - der x-Kontaktbereich (24) dazu ausgelegt ist, dass im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (20) mehr Ladungsträger über den zweiten Bereich (26) als über den ersten Bereich (25) in den x-dotierten Bereich (21) injiziert werden. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (20) angegeben.
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公开(公告)号：WO2018234121A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/EP2018/065687
申请日：2018-06-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER, Korbinian , EICHINGER, Christian
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/44 , H01L33/64 , H01L2224/1403 , H01L2224/14519 , H01L2224/16014 , H01L2933/0066
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: - einem Halbleiterkörper (1) umfassend: - eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktive Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, - einer Strahlungsaustrittsfläche, von der die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird, - einer rückseitigen Hauptfläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei - ein Mehrschichtenstapel (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4'') und einer Lotschicht (6) auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist, - die Barriereschicht (4) zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet ist, und - die Lotschicht (6) von außen frei zugänglich ist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung angegeben.
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公开(公告)号：WO2018024914A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：PCT/EP2017/069949
申请日：2017-08-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER, Korbinian , LEIRER, Christian
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/0095 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Filament (1) mit einem Träger (12), wobei auf dem Träger (12) wenigstens zwei Leuchtdioden-strukturen (2, 3) mit einer p-n Halbleiterschichtstruktur (6,7) mit einer aktiven Zone (38) zum Erzeugen elektromagne- tischer Strahlung angeordnet sind, wobei eine p-Schicht (8) der ersten Leuchtdiodenstruktur (2) mit einem elektrischen Verbindungskontakt (13) elektrisch leitend verbunden ist, wobei eine n-Schicht (7) der zweiten Leuchtdiodenstruktur (3) mit dem elektrischen Verbindungskontakt (13) elektrisch leitend verbunden ist, wobei der elektrische Verbindungskontakt (13) auf einer ersten Seite (14) des Trägers (12) angeordnet ist, und wobei zwei Versorgungskontakte (10,17) zum Betreiben des Filaments (1) am Träger (12)vorgesehen sind, wobei der erste Versorgungskontakt mit einer n-Schicht (7) der ersten Leuchtdiodenstruktur (2) elektrisch leitend verbunden ist, und wobei der zweite Versorgungskontakt (17) mit einer p-Schicht (8) der zweiten Leuchtdiodenstruktur (3) elektrisch leitend verbunden ist.Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Filaments.
Abstract translation: 本发明涉及具有载体（12）的灯丝（1），其中在载体（12）上具有pn半导体层结构（6）的至少两个发光二极管结构（2,3） ，7）设置有用于产生电磁辐射的有源区（38），其中具有电连接触点（13）的所述第一发光二极管结构（2）的p层（8）电连接，其中n层 （7）第二发光二极管结构（3）与所述电连接触点（13）的导电连接，其中，所述电连接触点（13）上Tr的＆AUML的第一侧（14）;热尔（12）布置，并且其中，两个电源触头（ 10,17），用于操作所述灯丝（1）在Tr的BEAR是GER（12），其中有n层的第一供应（7）接触的第一发光结构的（2）的导电连接，并且其中所述第二电源触头（ 17）与p层（8） 此外，本发明涉及生产长丝的方法。
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公开(公告)号：WO2018024509A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：PCT/EP2017/068470
申请日：2017-07-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： OTTO, Isabel , PERZLMAIER, Korbinian
Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer optisch aktiven Schicht (23) angegeben, bei dem der Träger eine metallische Trägerschicht (3) aufweist, die zusammenhängend ausgebildet ist und das Bauelement mechanisch stabilisiert. Des Weiteren weist der Träger eine Spiegelschicht (5) auf, die zwischen dem Halbleiterkörper und der Trägerschicht angeordnet ist. Der Träger weist außerdem eine Ausgleichsschicht (4) auf, die unmittelbar an die Trägerschicht angrenzt und zur Kompensierung innerer mechanischer Verspannungen des Bauelements eingerichtet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung einer Mehrzahl von solchen Bauelementen geeignet ist.
Abstract translation: 具有载体（1）和半导体本体（2）的具有光学有源层（23）的组件（100），其中所述载体 金属载体层（3）整体形成并机械稳定该部件。 此外，载体具有布置在半导体本体和载体层之间的镜面层（5）。 载体还具有与载体层紧邻的流平层（4），并布置成补偿装置的内部机械应力。 此外，提供了适用于生产多个这种部件的方法。
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60.发明申请
公开(公告)号：WO2018019846A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：PCT/EP2017/068791
申请日：2017-07-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TÅNGRING, Ivar , PERZLMAIER, Korbinian
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (10) mit den folgenden Merkmalen angegeben: - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (4), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und - einem Substrat (11), auf dem die Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist und das transparent für die in der aktiven Schicht (4) erzeugte elektromagnetische Strahlung ist, - eine reflektierende Schicht (9), die auf einer Hauptfläche des Substrats (11) angeordnet ist, die von der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandt ist, wobei die reflektierende Schicht (9) aus einem Harz gebildet ist, in das reflektierende Partikeln eingebettet sind. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (10), ein Strahlungsemittierendes Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
Abstract translation:
本发明提供具有以下特征的发射辐射的半导体芯片（10）： - 一个半导体层序列（2）与活性层（4），其适于产生电磁辐射，以及 - 基底 （11）被设置在半导体层序列（2）和（4）中产生的电磁辐射，所述有源层的透明˚F导航使用的R - 形成在基板的一个主试BEAR表面上的反射层（9）（11 设置），（半导体层序列2）的被接通了，其中所述反射层（9）由树脂形成，嵌在反射颗粒。 此外，用于产生多个发射辐射的半导体芯片（10），发射辐射的装置和制造可以给出一个发射辐射的器件的方法的方法。
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