公开(公告)号：FR3008826A1

公开(公告)日：2015-01-23

申请号：FR1357064

申请日：2013-07-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L29/762 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne une cellule (300) de capteur d'image formée dans et sur un substrat (201) d'un premier type de conductivité, comportant : une région de lecture (211) du second type de conductivité ; et accolée à la région de lecture (211), une région de stockage (315) du premier type de conductivité surmontée par une première électrode de grille isolée (317), dans laquelle ladite première électrode (317) est agencée pour recevoir, dans un premier mode de fonctionnement, une première tension (LCG) provoquant l'inversion du type de conductivité de la région de stockage (315), de façon que la région de stockage (315) se comporte comme une extension de la région de lecture (211), et, dans un deuxième mode de fonctionnement, une deuxième tension (LCG) ne provoquant pas l'inversion de la région de stockage (315).

公开(公告)号：FR2990294A1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：FR1254125

申请日：2012-05-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ODDOU JEAN-PIERRE ,  ROY FRANCOIS ,  GROS D AILLON PATRICK ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  CARRERE JEAN-PIERRE

IPC: H01L21/30 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce de circuit intégré comportant des niveaux d'interconnexion (19) séparés par des couches isolantes contenant de l'hydrogène, comprenant les étapes consistant à a) revêtir le dernier niveau d'interconnexion d'au moins une couche isolante supérieure (23, 40) ; b) réaliser un niveau supérieur d'aluminium (45) au-dessus du dernier niveau d'interconnexion ; le procédé comprenant, entre les étapes a) et b), une étape de recuit en présence d'hydrogène.

公开(公告)号：FR2980304A1

公开(公告)日：2013-03-22

申请号：FR1158327

申请日：2011-09-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  SOITEC SILICON ON INSULATOR

Inventor： PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS ,  ALLIBERT FREDERIC ,  KONONCHUK OLEG

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image éclairé par la face arrière, comprenant une étape de formation, sur la face arrière d'un substrat semiconducteur (52), d'un empilement (44) oxyde/nitrure/oxyde (46/48/50) et une étape d'application d'une différence de potentiel (70) de part et d'autre dudit empilement pour stocker des charges dans la couche intermédiaire de nitrure.

公开(公告)号：FR2978612A1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：FR1156861

申请日：2011-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/146

Abstract: Structure comprenant au moins une tranchée d'isolation (20) de type profonde dans un substrat (1), ladite tranchée étant en périphérie d'au moins une zone active du substrat formant un pixel, la tranchée d'isolation (20) comprenant une cavité (2) remplie d'un matériau diélectrique, les parois internes de la cavité (2) étant recouvertes d'une couche (3) à base d'un matériau dopé bore.

公开(公告)号：FR2976119A1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1154895

申请日：2011-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  LEVERD FRANCOIS ,  PRIMA JENS

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/14

Abstract: Dispositif intégré d'imagerie à illumination face arrière, et procédé de fabrication correspondant, caractérisé en ce qu'il comprend un empilement diélectrique (ISO) comportant une couche supérieure de dioxyde de silicium (OXS), une couche intermédiaire de nitrure de silicium (NI) et une couche inférieure de dioxyde de silicium (OXI), et une couche de silicium (SIS) au dessus de l'empilement diélectrique et ayant une face avant (F1), ledit dispositif comprenant au moins une tranchée d'isolation (TIS) s'étendant depuis la face avant (F1) jusque dans la couche intermédiaire de nitrure de silicium (NI).

公开(公告)号：FR2971887A1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR1151318

申请日：2011-02-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L27/146

Abstract: Photosite comprenant dans un substrat (10) semi-conducteur une photodiode (20) pincée dans la direction de la profondeur du substrat (10) comportant une zone de stockage de charges (30), et un transistor de transfert de charges (TG) apte à transférer les charges stockées. La zone de stockage de charge (30) comprend au moins un pincement selon une première direction passant par le transistor de transfert de charges (TG) définissant au moins une zone d'étranglement (90) adjacente au transistor de transfert de charges (TG).

公开(公告)号：FR2968877A1

公开(公告)日：2012-06-15

申请号：FR1060456

申请日：2010-12-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/347

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une matrice de pixels (30) rectangulaires, chaque pixel comprenant une microlentille adaptée à focaliser des rayons lumineux atteignant l'ensemble de la surface du pixel vers une zone de photodétection (36, 38, 40, 42, 44) associée, les pixels étant agencés en lignes et étant voisins dans chaque ligne par leurs largeurs, les pixels de lignes adjacentes étant décalés les uns par rapport aux autres de la moitié de la longueur d'un pixel.

公开(公告)号：FR2963187A1

公开(公告)日：2012-01-27

申请号：FR1055962

申请日：2010-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/359

Abstract: Dispositif d'imagerie comprenant au moins un photosite comprenant une zone semi-conductrice de stockage de charges, une zone semi-conductrice de collecte de charges (9) et des moyens de transfert configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges et la zone de collecte de charges (9), caractérisé en ce que la zone semi-conductrice de stockage de charges comprend une zone semi-conductrice inférieure (3) et un canal de conduction (8) enterré sous la surface supérieure du photosite et reliant ladite zone semi-conductrice inférieure (3) à la zone de collecte de charges (9).

公开(公告)号：FR2955701A1

公开(公告)日：2011-07-29

申请号：FR1050572

申请日：2010-01-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  BARBIER FREDERIC

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant : une pluralité de zones de pixel délimitées par des tranchées d'isolement (412), chaque zone de pixel comprenant une photodiode (414, 416) ; une grille de transfert (406) associée à chacune des zones de pixel et agencée pour transférer une charge à partir de la photodiode vers un noeud de lecture (420) ; et un circuit de lecture pour lire la tension sur au moins un des noeuds de lecture, le circuit de lecture comprenant une pluralité de transistors dont au moins un est disposé au moins partiellement au dessus d'une zone de pixel de la pluralité de zones de pixel.

公开(公告)号：FR2955700A1

公开(公告)日：2011-07-29

申请号：FR1050565

申请日：2010-01-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/142

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels dont chacun comprend : une région de recueil de charge (208) comprenant une région de type N (208) délimitée par des régions de type P (202, 210) et surmontée d'une couche (218) de type P ; et une électrode de grille isolée (216) disposée au-dessus de ladite couche de type P et agencée pour recevoir une tension de grille pour transporter des charges stockées dans la région de recueil de charge à travers la couche de type P.