公开(公告)号：FR2980304A1

公开(公告)日：2013-03-22

申请号：FR1158327

申请日：2011-09-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  SOITEC SILICON ON INSULATOR

Inventor： PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS ,  ALLIBERT FREDERIC ,  KONONCHUK OLEG

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image éclairé par la face arrière, comprenant une étape de formation, sur la face arrière d'un substrat semiconducteur (52), d'un empilement (44) oxyde/nitrure/oxyde (46/48/50) et une étape d'application d'une différence de potentiel (70) de part et d'autre dudit empilement pour stocker des charges dans la couche intermédiaire de nitrure.

公开(公告)号：FR2974239A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153179

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) amincir le substrat par sa face arrière ; b) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (44) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur ; et c) recuire à une température permettant de recristalliser le silicium amorphe (44) pour le stabiliser.

公开(公告)号：FR2955205B1

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

公开(公告)号：FR2955205A1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une réalisation d'un premier substrat (1) semiconducteur comportant une formation d'une première couche (5) et d'une deuxième couche (4) entre une première face (7) et une deuxième face (2) du substrat, une réalisation de premiers composants (10) et d'une partie d'interconnexion au niveau et au dessus de la deuxième face (2), un amincissement du substrat comprenant une première gravure sélective du premier substrat depuis la première face (7) avec arrêt sur la première couche (5) suivie d'une deuxième gravure sélective avec arrêt sur la deuxième couche (4).

公开(公告)号：FR2974237A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153177

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images (21) à éclairement par la face arrière formé à partir d'un substrat semiconducteur (23) aminci, dans lequel : une électrode (29) conductrice transparente, isolée du substrat par une couche isolante (27), s'étend sur toute la face arrière du substrat ; et des régions (37) conductrices, isolées du substrat par un revêtement isolant (39), s'étendent orthogonalement depuis la face avant du substrat jusqu'à ladite électrode.

公开(公告)号：FR2974240A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153183

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant, des régions (35) de silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat (33), s'étendant en profondeur orthogonalement à ladite face avant ; b) amincir le substrat par sa face arrière jusqu'à atteindre les régions (35) de silicium polycristallin ; c) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (41) dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat ; et d) recuire à une température adaptée à transformer la couche de silicium amorphe en une couche (43) cristallisée.

公开(公告)号：FR2976119A1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1154895

申请日：2011-06-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  LEVERD FRANCOIS ,  PRIMA JENS

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/14

Abstract: Dispositif intégré d'imagerie à illumination face arrière, et procédé de fabrication correspondant, caractérisé en ce qu'il comprend un empilement diélectrique (ISO) comportant une couche supérieure de dioxyde de silicium (OXS), une couche intermédiaire de nitrure de silicium (NI) et une couche inférieure de dioxyde de silicium (OXI), et une couche de silicium (SIS) au dessus de l'empilement diélectrique et ayant une face avant (F1), ledit dispositif comprenant au moins une tranchée d'isolation (TIS) s'étendant depuis la face avant (F1) jusque dans la couche intermédiaire de nitrure de silicium (NI).