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    共振子及び共振装置
    51.
    发明申请
    共振子及び共振装置 审中-公开
    谐振器和谐振器装置

    公开(公告)号：WO2018008480A1

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：PCT/JP2017/023622

    申请日：2017-06-27

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 後藤　雄一 ,  福光　政和

    IPC: H03H9/24

    CPC classification number: H03H9/10 ,  B81B3/0045 ,  B81B3/0097 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0163 ,  H01L41/1138 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/1035 ,  H03H9/15 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2489 ,  H03H2009/155 ,  H03H2009/241 ,  H03H2009/2442

    Abstract: 保持部上の絶縁体層に帯電した電荷が共振周波数に与える影響を抑制する。 圧電膜と、当該圧電膜を間に挟んで対向するように設けられた下部電極及び上部電極とを有し、所定の振動モードで振動する振動部と、振動部における振動の変位が最大となる変位最大領域の周囲に少なくとも設けられ、絶縁膜を有する保持部と、振動部と保持部とを接続する保持腕と、保持部における少なくとも振動部の変位最大領域に対向する領域において、保持部の絶縁膜に接して形成された導電部と、を備え、導電部は、下部電極又は前記上部電極と電気的に接続されるか、又は、接地される。

    Abstract translation:

    抑制在谐振频率上保持部分上的绝缘层中充电的电荷的影响。 一种压电膜，和一个下部电极和设置成面对所述压电膜和振动以规定的振动模式中的振动部之间彼此的上电极，在所述振动部的振动的位移是最大 提供至少围绕所述最大位移区域，和具有绝缘膜，和一个保持臂用于连接所述夹持部分和在相对至少所述保持部的振动部，所述保持部分的最大位移区域的区域中的振动部的保持部 并且导电部分形成为与绝缘膜接触，其中导电部分电连接到下电极或上电极，或者接地。

    BI-METALLIC ACTUATORS
    53.
    发明申请
    BI-METALLIC ACTUATORS 审中-公开
    双金属致动器

    公开(公告)号：WO2012177954A2

    公开(公告)日：2012-12-27

    申请号：PCT/US2012043654

    申请日：2012-06-21

    Applicant: UNIV TEXAS ,  AYON ARTURO A ,  FICKLEN JUSTIN ,  CHEN CONGLIN

    Inventor： AYON ARTURO A ,  FICKLEN JUSTIN ,  CHEN CONGLIN

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H37/52

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/032 ,  H02N10/00

    Abstract: A method of fabricating thermal bimorph actuators using high permittivity ferroelectric thin films is disclosed. The device is a thermal can¬ tilever actuator employing barium titanate (BaTiO3) for RF applications. Com¬ pared to electrostatic actuators, this MEMS structure is designed to handle high RF transmitted power while maintaining a high capacitance ratio due to the high permittivity of the ferroelectric thin film employed and without the stiction problems normally associated with other MEMS actuators.

    Abstract translation: 公开了使用高介电常数铁电薄膜制造热双压电晶片致动器的方法。 该器件是采用钛酸钡（BaTiO3）进行RF应用的耐热瓷砖致动器。 与静电致动器相比，该MEMS结构设计用于处理高RF发射功率，同时由于所使用的铁电薄膜的高介电常数而保持高电容比，并且没有通常与其它MEMS致动器相关联的静态问题。

    METHOD OF FABRICATING MEMS DEVICES WITH ELECTRICAL COMPONENTS IN THEIR SIDEWALLS
    54.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING MEMS DEVICES WITH ELECTRICAL COMPONENTS IN THEIR SIDEWALLS 审中-公开
    在其侧壁上制造具有电子组件的MEMS器件的方法

    公开(公告)号：WO2010139034A4

    公开(公告)日：2011-06-30

    申请号：PCT/BG2010000007

    申请日：2010-06-01

    Applicant: AMG TECHNOLOGY LTD ,  STAVROV VLADIMIR

    Inventor： STAVROV VLADIMIR

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2203/0742

    Abstract: The method of fabricating devices for microelectromechanical systems (MEMS) with electrical components in their sidewalls is applicable for the production of microstructures with various electrical and mechanical properties that can be used for sensing in different technical areas. The method consists of three stages and through numerous repetitions of processes of creation of protective layers, photolithographical patterning, consecutive etching processes and doping via high temperature ion diffusion performed over non-deformable semiconductor basic structures, for example monocrystalline Silicon basic structures, it gives opportunity of building of electrical components in the sidewalls of MEMS devices. The electrical components so obtained can have equal or different parameters and can be disposed in parts of or the whole sidewalls of such devices. With MEMS devices realized according to the claimed method measurements with considerably increased accuracy, precision and sensitivity can be made.

    Abstract translation: 制造具有在其侧壁中的电部件的微机电系统（MEMS）的器件的方法适用于制造具有可用于在不同技术领域中感测的各种电特性和机械特性的微结构。 该方法包括三个阶段，并且通过多次重复的保护层的创建，光刻图案化，连续的蚀刻工艺和经由在不可变形的半导体基础结构（例如单晶硅基础结构）上执行的高温离子扩散进行掺杂的过程的重复， 在MEMS器件的侧壁中构建电子组件。 如此获得的电气部件可以具有相同或不同的参数，并且可以布置在这些装置的部分或整个侧壁中。 根据所要求的方法测量实现的MEMS器件具有显着提高的精度，可以实现精度和灵敏度。

    METHOD OF FABRICATING MEMS DEVICES WITH ELECTRICAL COMPONENTS IN THEIR SIDEWALLS
    55.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING MEMS DEVICES WITH ELECTRICAL COMPONENTS IN THEIR SIDEWALLS 审中-公开
    将MEMS器件与其电气元件组合在一起的方法

    公开(公告)号：WO2010139034A3

    公开(公告)日：2011-05-12

    申请号：PCT/BG2010000007

    申请日：2010-06-01

    Applicant: AMG TECHNOLOGY LTD ,  STAVROV VLADIMIR

    Inventor： STAVROV VLADIMIR

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2203/0742

    Abstract: The method of fabricating devices for microelectromechanical systems (MEMS) with electrical components in their sidewalls is applicable for the production of microstructures with various electrical and mechanical properties that can be used for sensing in different technical areas. The method consists of three stages and through numerous repetitions of processes of creation of protective layers, photolithographical patterning, consecutive etching processes and doping via high temperature ion diffusion performed over non-deformable semiconductor basic structures, for example monocrystalline Silicon basic structures, it gives opportunity of building of electrical components in the sidewalls of MEMS devices. The electrical components so obtained can have equal or different parameters and can be disposed in parts of or the whole sidewalls of such devices. With MEMS devices realized according to the claimed method measurements with considerably increased accuracy, precision and sensitivity can be made.

    Abstract translation: 制造具有其侧壁中的电气部件的微机电系统（MEMS）的装置的方法适用于具有各种电气和机械特性的微结构的生产，所述微观结构可用于不同技术领域的感测。 该方法由三个阶段组成，通过多次重复制备保护层，光刻图案，连续蚀刻工艺和通过在非可变形半导体基本结构上执行的高温离子扩散（例如单晶硅基本结构）的掺杂过程，它给予机会 在MEMS器件的侧壁中构建电气部件。 如此获得的电气部件可以具有相等或不同的参数，并且可以设置在这些装置的部分或整个侧壁中。 利用根据所要求保护的方法实现的MEMS器件，可以显着提高精度，精度和灵敏度。

    ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE AND METHOD OF FORMING A ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE
    56.
    发明申请
    ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE AND METHOD OF FORMING A ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER DEVICE 审中-公开
    机电传感器装置及形成机电传感器装置的方法

    公开(公告)号：WO2010061364A2

    公开(公告)日：2010-06-03

    申请号：PCT/IB2009/056020

    申请日：2009-11-25

    Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. ,  COMMISSARIAT à L'ENERGIE ATOMIQUE (CEA) ,  PERRUCHOT, François ,  DEFAY, Emmanuel ,  REY, Patrice ,  LIU, Lianjun ,  PACHECO, Sergio

    Inventor： PERRUCHOT, François ,  DEFAY, Emmanuel ,  REY, Patrice ,  LIU, Lianjun ,  PACHECO, Sergio

    IPC: B81B3/00 ,  H01L41/09

    CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/032 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094

    Abstract: A micro or nano electromechanical transducer device (200) formed on a semiconductor substrate (210) comprises a movable structure (203) which is arranged to be movable in response to actuation of an actuating structure. The movable structure (203) comprises a mechanical structure (204) comprising at least one mechanical layer (204) having a first thermal response characteristic and a first mechanical stress response characteristic, at least one layer (202) of the actuating structure, the at least one layer having a second thermal response characteristic different to the first thermal response characteristic and a second mechanical stress response characteristic different to the first mechanical stress response characteristic, a first compensation layer (206) having a third thermal response characteristic and a third mechanical stress characteristic, and a second compensation layer (207) having a fourth thermal response characteristic and a fourth mechanical stress response characteristic. The first (206) and second (207) compensation layers are arranged to compensate a thermal effect produced by the different first and second thermal response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that movement of the movable structure (203) is substantially independent of variations in temperature and to adjust a stress effect produced by the different first and second stress response characteristics of the mechanical structure and the at least one layer (202) of the actuating structure such that the movable structure is deflected a predetermined amount relative to the substrate when the electromechanical transducer device (200) is in an inactive state.

    Abstract translation: 形成在半导体衬底（210）上的微型或纳米机电换能器装置（200）包括可移动结构（203），其被布置成响应于致动结构的致动而是可移动的。 可移动结构（203）包括机械结构（204），其包括具有第一热响应特性和第一机械应力响应特性的至少一个机械层（204），所述致动结构的至少一个层（202） 具有与第一热响应特性不同的第二热响应特性和与第一机械应力响应特性不同的第二机械应力响应特性的至少一个层，具有第三热响应特性和第三机械应力的第一补偿层（206） 以及具有第四热响应特性和第四机械应力响应特性的第二补偿层（207）。 第一（206）和第二（207）补偿层布置成补偿由机械结构和致动结构的至少一个层（202）的不同的第一和第二热响应特性产生的热效应， 可移动结构（203）基本上独立于温度变化并且调节由机械结构和致动结构的至少一个层（202）的不同的第一和第二应力响应特性产生的应力效应，使得可移动的结构 当机电换能器装置（200）处于非活动状态时，结构相对于基板偏转预定量。

    국부적 햅틱 작동 시스템
    58.
    发明公开
    국부적 햅틱 작동 시스템 审中-公开
    当地的激励制度

    公开(公告)号：KR20180026351A

    公开(公告)日：2018-03-12

    申请号：KR20170111744

    申请日：2017-09-01

    Applicant: IMMERSION CORP

    Inventor： KHOSHKAVA VAHID ,  CRUZ HERNANDEZ JUAN MANUEL ,  LEVESQUE VINCENT

    IPC: G06F3/01 ,  H01L41/047 ,  H01L41/09 ,  H01L41/193

    CPC classification number: F03G7/065 ,  B06B1/0688 ,  B81B7/0083 ,  B81B2201/03 ,  B81B2201/031 ,  B81B2201/032 ,  C22F1/006 ,  G06F3/016

    Abstract: 햅틱작동기디바이스는국부화된온도변화들에응답하는기계적특성을갖는표면을포함한다. 이표면은형상-기억재료를포함하는층 또는시트를포함할수 있다. 햅틱작동기디바이스는시트내의복수의영역을선택적으로변형시키도록구성된작동기; 및복수의영역의온도들을제어하도록적응된온도제어기를더 포함할수 있다. 국부화된작동의방법은복수의영역의온도들을형상-기억재료의형상-기억전이온도위로되도록선택적으로제어하는단계; 영역들중 적어도하나의영역을선택적으로변형시키는단계; 적어도하나의영역의변형을유지하면서, 적어도하나의영역의온도를형상-기억전이온도아래로낮추는단계; 후속적으로가해진응력을중단시키는단계; 및그 이후에적어도하나의영역을형상-기억전이온도위로가열하여, 영역을그것의변형전 형상으로복귀시키는단계를포함한다.

    Abstract translation: 触觉致动器装置包括具有响应于局部温度变化的机械特性的表面。 表面可以包括包含形状记忆材料的层或片。 触觉致动器装置可进一步包括致动器，致动器构造成选择性地使片材中的多个区域变形; 以及适于控制多个区域的温度的温度控制器。 局部致动的方法包括选择性地将多个区域的温度控制在形状记忆材料的形状记忆转变温度以上; 选择性地使至少一个区域变形; 同时保持所述至少一个区域的变形，将所述至少一个区域的温度降低到低于形状记忆转变温度; 随后撤回施加的应力; 然后将该至少一个区域加热到高于形状记忆转变温度，使该区域恢复到其预变形形状。

    열작동 마이크로미러와 전자기기
    60.
    发明公开
    열작동 마이크로미러와 전자기기 失效
    加热微型镜和电子设备

    公开(公告)号：KR1020040002706A

    公开(公告)日：2004-01-07

    申请号：KR1020030041646

    申请日：2003-06-25

    Applicant: 소니 주식회사

    Inventor： 이시카와히로이치 ,  요코미조간지

    IPC: G02F1/00

    CPC classification number: G02B26/0866 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/058

    Abstract: PURPOSE: A heat-driven micro mirror and an electronic apparatus are provided to prevent the movement of the reflecting position of light on a mirror surface by preventing that the rotary center of the mirror surface is deviated and miniaturizing the size of the mirror surface. CONSTITUTION: A thermally driven micro mirror(10) includes a mirror surface(20) and a supporting structure part(14) supporting the mirror surface and having a laminated structure. The supporting structure part applies electricity and generates heat. The supporting structure part is deflected in the laminated structure by the difference of a thermal expansion coefficient, and the mirror surface is tilted in a certain angle. The supporting structure part is disposed between the mirror surface and an electrode part(30) supplying the electricity. A longitudinal axis(LL) of the supporting structure part is perpendicular to a center axis(CL) of the mirror surface(20). A longitudinal center of the supporting structure part(14) is located in the center axis of the mirror surface.

    Abstract translation: 目的：提供一种热驱动微镜和电子设备，通过防止镜面的旋转中心偏离并使镜面的尺寸小型化，防止光反射位置在镜面上的移动。 构成：热驱动的微反射镜（10）包括镜面（20）和支撑结构部分（14），支撑镜面并具有层压结构。 支撑结构部分施加电力并产生热量。 支撑结构部分通过热膨胀系数的差异在层叠结构中偏转，并且镜面以一定角度倾斜。 支撑结构部分设置在镜面与供电的电极部分（30）之间。 支撑结构部分的纵向轴线（LL）垂直于镜面（20）的中心轴线（CL）。 支撑结构部件（14）的纵向中心位于镜面的中心轴线上。

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