公开(公告)号：TW201037768A

公开(公告)日：2010-10-16

申请号：TW099101667

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 米利根 羅伯特B ,  李東 ,  馬庫斯 史蒂芬

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供使用電漿加強原子層沈積（PEALD）在介電層上形成導電金屬層的方法，以及相關組合物及結構。在藉由PEALD沈積所述導電層之前，藉由非電漿原子層沈積（ALD）製程將電漿障壁層沈積於所述介電層上。所述電漿障壁層減少或防止所述PEALD製程中之電漿反應物對所述介電層之有害影響，且可加強黏合。可在所述非電漿ALD製程及所述PEALD製程兩者中使用相同的金屬反應物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供使用等离子加强原子层沉积（PEALD）在介电层上形成导电金属层的方法，以及相关组合物及结构。在借由PEALD沉积所述导电层之前，借由非等离子原子层沉积（ALD）制程将等离子障壁层沉积于所述介电层上。所述等离子障壁层减少或防止所述PEALD制程中之等离子反应物对所述介电层之有害影响，且可加强黏合。可在所述非等离子ALD制程及所述PEALD制程两者中使用相同的金属反应物。

公开(公告)号：TW201030892A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：TW098142134

申请日：2009-12-09

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 懷特 卡爾L ,  雪洛 艾立克 ,  李德 朱歐

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68771

Abstract: 一種半導體處理裝置,包括:反應室(202、302、404)、可移動的基座(208、308、408、508、808)、移動件(210、310、810)及控制系統(211、811)。反應室(202、302、402)包括:基板(212、312、412、512、812),該基板(212、312、412、512、812)具有一開口(250、350、450、550)。可移動的基座(208、308、408、508、808)設置成保持工件(W)。移動件(210、310、810)設置成朝向基板(212、312、412、512、812)的開口(250、350、450、550)移動被基座(208、308、408、508、808)所保持的工件(W)。控制系統(211、811)設置成在處理位於反應室(202、302、402)的工件(W)的期間,藉由非密封的間隙(216、316、416、516、816)將基座(208、308、408、508、808)從基板(212、312、412、512、812)分隔開。清洗氣體可經由間隙(216、316、416、516、816)流入反應室(202、302、402)。在處理的期間維持間隙(216、316、416、516、816)的方法包括:在基座(208、308、408、508、808)從基板(212、312、412、512、812)分隔開時,校準襯墊(520、530)的高度與進行電容量量測。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体处理设备,包括:反应室(202、302、404)、可移动的基座(208、308、408、508、808)、移动件(210、310、810)及控制系统(211、811)。反应室(202、302、402)包括:基板(212、312、412、512、812),该基板(212、312、412、512、812)具有一开口(250、350、450、550)。可移动的基座(208、308、408、508、808)设置成保持工件(W)。移动件(210、310、810)设置成朝向基板(212、312、412、512、812)的开口(250、350、450、550)移动被基座(208、308、408、508、808)所保持的工件(W)。控制系统(211、811)设置成在处理位于反应室(202、302、402)的工件(W)的期间,借由非密封的间隙(216、316、416、516、816)将基座(208、308、408、508、808)从基板(212、312、412、512、812)分隔开。清洗气体可经由间隙(216、316、416、516、816)流入反应室(202、302、402)。在处理的期间维持间隙(216、316、416、516、816)的方法包括:在基座(208、308、408、508、808)从基板(212、312、412、512、812)分隔开时,校准衬垫(520、530)的高度与进行电容量量测。

公开(公告)号：TW201007873A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：TW098118569

申请日：2009-06-04

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 艾格渥 拉敏德 ,  海洛 鮑勃

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/46

Abstract: 一種單件式的載台環，適於容置至少一溫度量測裝置。此載台環包括：板件，具有通過該板件而形成的孔洞；與一對側肋，一體成型地連接至板件的下表面。這對側肋分別位於孔洞的相對兩側。此載台環更包括：形成於各個側肋內的軸孔。每個軸孔設置成：於該軸孔中接收一溫度量測裝置。

Abstract in simplified Chinese: 一种单件式的载台环，适于容置至少一温度量测设备。此载台环包括：板件，具有通过该板件而形成的孔洞；与一对侧肋，一体成型地连接至板件的下表面。这对侧肋分别位于孔洞的相对两侧。此载台环更包括：形成于各个侧肋内的轴孔。每个轴孔设置成：于该轴孔中接收一温度量测设备。

公开(公告)号：TW200929419A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW097143524

申请日：2008-11-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B33/12 ,  C30B35/00

Abstract: 一種用於選擇性磊晶膜形成之方法及裝置將反應性物種(10、20)分離地注入化學氣相沈積腔室(300)。所述方法尤其可用於使用前軀體(10)與蝕刻劑(20)之揮發性組合進行選擇性沈積。形成製程包含同時供應前軀體(10)及蝕刻劑(20)用於選擇性沈積,或依序供應以用於循環毯覆沈積及選擇性蝕刻。在任一情況下,沿在相對開放之反應空間(340)中而非較受限制之上游位置中相交的分離流動路徑提供前軀體(10)及蝕刻劑(20)。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于选择性磊晶膜形成之方法及设备将反应性物种(10、20)分离地注入化学气相沉积腔室(300)。所述方法尤其可用于使用前躯体(10)与蚀刻剂(20)之挥发性组合进行选择性沉积。形成制程包含同时供应前躯体(10)及蚀刻剂(20)用于选择性沉积,或依序供应以用于循环毯覆沉积及选择性蚀刻。在任一情况下,沿在相对开放之反应空间(340)中而非较受限制之上游位置中相交的分离流动路径提供前躯体(10)及蚀刻剂(20)。

公开(公告)号：TW200917377A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：TW097133445

申请日：2008-09-01

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 湯瑪斯 蕭恩 THOMAS, SHAWN ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  Y10T428/2462

Abstract: 一種半導體基板,其具有填充有異質磊晶含矽材料之凹區,其中不同部分具有不同之雜質濃度。應變層可以分級、由下而上方式填充凹入源極/汲極區域。層亦可以一種濃度之應變誘發雜質來內襯凹區側壁,而用較低濃度之所述雜質填充凹區之剩餘部分。在後者情況下,側壁襯墊可為漸縮的。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体基板,其具有填充有异质磊晶含硅材料之凹区,其中不同部分具有不同之杂质浓度。应变层可以分级、由下而上方式填充凹入源极/汲极区域。层亦可以一种浓度之应变诱发杂质来内衬凹区侧壁,而用较低浓度之所述杂质填充凹区之剩余部分。在后者情况下,侧壁衬垫可为渐缩的。

公开(公告)号：TW200828487A

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW096141029

申请日：2007-10-31

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 哈維 艾里斯G HARVEY, ELLIS G.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/6838

Abstract: 一種用於傳輸半導體晶圓之白努利桿(50)。白努利桿(50)具有頭部部分(54),頭部部分(54)具有經組態以沿晶圓之上表面產生氣流從而在晶圓之上表面與晶圓之下表面之間產生壓力差的多個氣體出口(74、75)。利用白努利原理,壓力差產生以實質上不接觸之方式來支撐位於白努利桿之頭部部分(54)下方之晶圓的提昇力。白努利桿(50)具有可獨立控制之氣體通道(70、80),其經組態以向氣體出口孔(74、75)之不同集合提供氣流。氣體出口孔(74、75)以及氣體通道(70、80)經組態以使用白努利原理來支撐晶圓。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于传输半导体晶圆之白努利杆(50)。白努利杆(50)具有头部部分(54),头部部分(54)具有经组态以沿晶圆之上表面产生气流从而在晶圆之上表面与晶圆之下表面之间产生压力差的多个气体出口(74、75)。利用白努利原理,压力差产生以实质上不接触之方式来支撑位于白努利杆之头部部分(54)下方之晶圆的提升力。白努利杆(50)具有可独立控制之气体信道(70、80),其经组态以向气体出口孔(74、75)之不同集合提供气流。气体出口孔(74、75)以及气体信道(70、80)经组态以使用白努利原理来支撑晶圆。

公开(公告)号：TW200811308A

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW096124005

申请日：2007-07-02

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克J SHERO, ERIC J. ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645

Abstract: 本發明提供形成金屬矽酸鹽膜之方法。所述方法包括使基板與金屬源化學品、矽源化學品以及氧化劑之交替且依序的氣相脈衝接觸。在較佳實施例中,使用烷基醯胺金屬化合物以及鹵化矽化合物。根據較佳實施例之方法可用於形成矽酸鉿以及矽酸鋯膜,其在包括高縱橫比特徵(例如,通孔及/或溝渠)之基板表面上具有實質上均一的薄膜覆蓋率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成金属硅酸盐膜之方法。所述方法包括使基板与金属源化学品、硅源化学品以及氧化剂之交替且依序的气相脉冲接触。在较佳实施例中,使用烷基酰胺金属化合物以及卤化硅化合物。根据较佳实施例之方法可用于形成硅酸铪以及硅酸锆膜,其在包括高纵横比特征(例如,通孔及/或沟渠)之基板表面上具有实质上均一的薄膜覆盖率。

公开(公告)号：TW200805460A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：TW096118850

申请日：2007-05-25

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

Abstract: 磊晶層(125)是透過重複地循環全面沈積與選擇性蝕刻而選擇性地形成在半導體窗(114)中。全面性沈漬會留下非磊晶材料(120)在例如場氧化物的絕緣區域(112)上,且選擇性蝕刻傾向移除非磊晶材料(120)而且所沈積磊晶材料(124)會一次一次的建立起。磊晶材料(125)的品質會改善相對的在絕緣物(112)上不會產生沈積的選擇製程。在上述製程的蝕刻過程中,使用鍺催化劑可以促進蝕刻率並且能夠使等溫及/或等壓的條件在循環中較容易維持。另外,使用三矽烷、在絕緣區域(112)上形成非晶材料(120)以及在蝕刻沈積時最小化非晶對磊晶材料的厚度比例可以改善產率與品質。

Abstract in simplified Chinese: 磊晶层(125)是透过重复地循环全面沉积与选择性蚀刻而选择性地形成在半导体窗(114)中。全面性沈渍会留下非磊晶材料(120)在例如场氧化物的绝缘区域(112)上,且选择性蚀刻倾向移除非磊晶材料(120)而且所沉积磊晶材料(124)会一次一次的创建起。磊晶材料(125)的品质会改善相对的在绝缘物(112)上不会产生沉积的选择制程。在上述制程的蚀刻过程中,使用锗催化剂可以促进蚀刻率并且能够使等温及/或等压的条件在循环中较容易维持。另外,使用三硅烷、在绝缘区域(112)上形成非晶材料(120)以及在蚀刻沉积时最小化非晶对磊晶材料的厚度比例可以改善产率与品质。

公开(公告)号：TW200701341A

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW095108719

申请日：2006-03-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 努頓 莎貝之聖E. 凡 NOOTEN, SEBASTIAN E. VAN ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  馬庫斯 史蒂芬 MARCUS, STEVEN ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN ,  拉薩內尼 佩托 RAISANEN, PETRI ,  艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: H01L

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/045 ,  C23C16/403 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L29/66181

Abstract: 藉由電漿增强原子層沉積之變化而形成非共形層的方法,其中脈衝持續時間、間隔、RF功率工作時間、反應物濃度、壓力及電極間距中之一或多者違背真實自飽和反應,以在空乏效應模式下操作。因此接近基板表面發生沉積,但控制其在到達開口內之指定距離後終止。適合於此調變之反應器組態有簇射頭如原位電漿反應器,其具有可調整電極間距。另外,使有開口的基板與至少兩不同反應物交替且依序接觸,其中已預定至少一反應物之不飽和劑量且在基板表面均一地提供不飽和劑量,再沉積不完全覆蓋開口表面的膜,以導致基板表面較不可及區域中的空乏效應。

Abstract in simplified Chinese: 借由等离子增强原子层沉积之变化而形成非共形层的方法,其中脉冲持续时间、间隔、RF功率工作时间、反应物浓度、压力及电极间距中之一或多者违背真实自饱和反应,以在空乏效应模式下操作。因此接近基板表面发生沉积,但控制其在到达开口内之指定距离后终止。适合于此调制之反应器组态有簇射头如原位等离子反应器,其具有可调整电极间距。另外,使有开口的基板与至少两不同反应物交替且依序接触,其中已预定至少一反应物之不饱和剂量且在基板表面均一地提供不饱和剂量,再沉积不完全覆盖开口表面的膜,以导致基板表面较不可及区域中的空乏效应。

公开(公告)号：TW200618109A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW094129189

申请日：2005-08-26

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 史維特斯 强瀚 SWERTS, JOHAN ,  懷特 海蒂 迪 WITTE, HILDE DE ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  波馬瑞德 克里斯多夫 POMAREDE, CHRISTOPHE ,  海凡寇特 魯班 HAVERKORT, RUBEN ,  萬月玫 WAN, YUET MEI ,  迪 柏雷克 瑪琳俄斯J. DE BLANK, MARINUS J. ,  樊 德 捷 康奈爾斯A. VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  布雷斯 雅各布斯 約翰尼斯 BEULENS, JACOBUS JOHANNES

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

Abstract: 已藉由暴露於一遠端受激物種而被啟動的一氮前驅(precursor)被做為反應物以形成含氮層。遠端受激物種例如可以是已在一微波基產生器受激的氮氣、氬及／或氦。在微波基產生器之下游與基板之上游，受激物種流與氨流混合。受激物種啟動氨。基板同時暴露於被啟動的氨與受激物種。基板也可在化學氣相沈積中暴露於其他物種的前驅以形成一化合物層。此外，已沈積層可藉由暴露於被啟動的氨與受激物種而被氮化，其較只使用受激氮氣的電漿氮化或只使用氨的熱氮化導致更高階的氮組織，並具有相同製程溫度與氮化持久性。

Abstract in simplified Chinese: 已借由暴露于一远程受激物种而被启动的一氮前驱(precursor)被做为反应物以形成含氮层。远程受激物种例如可以是已在一微波基产生器受激的氮气、氩及／或氦。在微波基产生器之下游与基板之上游，受激物种流与氨流混合。受激物种启动氨。基板同时暴露于被启动的氨与受激物种。基板也可在化学气相沉积中暴露于其他物种的前驱以形成一化合物层。此外，已沉积层可借由暴露于被启动的氨与受激物种而被氮化，其较只使用受激氮气的等离子氮化或只使用氨的热氮化导致更高级的氮组织，并具有相同制程温度与氮化持久性。