公开(公告)号：CN116997690A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202180093245.1

申请日：2021-11-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  今井克宏 ,  小林弘季

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明提供一种偏离角分布较小的III族元素氮化物半导体基板。本发明的一个实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，该III族元素氮化物半导体基板的特征在于，该第一面的结晶面的翘曲具有多个极点。

公开(公告)号：CN116034186A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180054548.2

申请日：2021-04-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  坂井正宏 ,  小林弘季

IPC: C30B9/10

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，对于该III族元素氮化物半导体基板，通过肉眼观察容易区别第一面和第二面，利用光学传感器容易检测出端部，能够确保有效面积(可用于器件制作的面积)较大，整个基板的翘曲减少。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，该第一面为镜面，该第二面具有第二面中央区域和第二面外周区域，该第二面中央区域为镜面，该第二面外周区域为非镜面。

公开(公告)号：CN114341410A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080058516.5

申请日：2020-07-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  吉野隆史 ,  今井克宏 ,  仓冈义孝

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/10 ,  C30B25/18 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。

公开(公告)号：CN108699728B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201780010205.X

申请日：2017-02-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  仓冈义孝 ,  市村干也 ,  平尾崇行

IPC: H01L33/16

Abstract: 在取向多晶第13族元素氮化物自立基板中减小单晶粒子的倾角，另外减小倾角的波动。自立基板包含由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物。自立基板具有上表面和底面。多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，以1×1017原子/cm3～1×1020原子/cm3的浓度含有锌。

公开(公告)号：CN107002284B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580064055.1

申请日：2015-11-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C30B9/00 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/0079 ,  C23C16/01 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4418 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007

Abstract: 准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)；1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。

公开(公告)号：CN109863262A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201780062316.5

申请日：2017-09-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 矶田佳范 ,  野口卓 ,  内川哲哉 ,  平尾崇行 ,  下平孝直 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种具有第一主面及第二主面的13族元素氮化物层。13族元素氮化物层具备：设置于第一主面侧的第一空隙缺乏层、设置于第二主面侧的第二空隙缺乏层、以及设置于第一缺乏层与第二缺乏层之间的空隙分布层。

公开(公告)号：CN108779578A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780011093.X

申请日：2017-02-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  仓冈义孝 ,  市村干也 ,  平尾崇行

IPC: C30B29/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L33/32

Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物自立基板中，使自立基板的上表面的蚀坑减少。自立基板12由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，所述自立基板具有上表面和底面，含有锌和钙中的至少一者，自立基板的上表面的均方根粗糙度Rms为3.0nm以下。

公开(公告)号：CN108138361A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680052907.X

申请日：2016-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  岩井真 ,  今井克宏 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208

Abstract: 作为本发明的一个实施方式的基底基板(14)在蓝宝石基板(15)上具备第13族氮化物的晶种层(16)。在晶种层(16)的主面以条纹状重复出现凸部(16a)和凹部(16b)，凸部(16a)的阶差(ha)为0.3～40μm，凸部(16a)的宽度(wa)为5～100μm，凹部(16b)的厚度(tb)为2μm以上，凹部(16b)的宽度(wb)为50～500μm。

公开(公告)号：CN105378158B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201480039424.7

申请日：2014-08-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  东原周平 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/10 ,  C30B19/10 ,  C30B29/406

Abstract: 在包含13族元素和至少含有碱金属的助熔剂的熔液中，在含氮气体气氛下，制备13族元素氮化物结晶。以熔液中的助熔剂、13族元素以及碳的合计量为100原子％时，使碳量为0.005～0.018原子％。

公开(公告)号：CN105830237A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069022.1

申请日：2014-12-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润 ,  七泷努 ,  今井克宏 ,  杉山智彦 ,  吉野隆史 ,  武内幸久 ,  佐藤圭

IPC: H01L33/32 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。