公开(公告)号：KR1020140147109A

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020147029650

申请日：2013-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  우에다히로카즈

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/324 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78696

Abstract: 일 실시형태에 따른 성막 방법은, (a) 그 내부에 피처리 기체가 배치된 처리 용기 내에 반도체 재료의 제1 전구체 가스를 공급하는 공정으로서, 제1 전구체 가스를 피처리 기체에 흡착시키는, 제1 전구체 가스를 공급하는 공정과, (b) 처리 용기 내에 도펀트 재료의 제2 전구체 가스를 공급하는 공정으로서, 제2 전구체 가스를 피처리 기체에 흡착시키는, 제2 전구체 가스를 공급하는 공정과, (c) 처리 용기 내에 있어서 반응 가스의 플라즈마를 생성하는 공정으로서, 피처리 기체에 흡착한 층을 개질하도록 플라즈마 처리를 행하는, 플라즈마를 생성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100981474B1

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：KR1020087007720

申请日：2006-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이노우에마사지 ,  노자와도시히사

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 증착 장치의 처리 용기에 원료를 증발 또는 승화시켜서 공급하는 원료 공급 장치에 있어서, 내부에 상기 원료를 유지하는 원료 용기와, 상기 원료 용기의 내부에 캐리어 가스를 공급하는 가스 도입구와, 상기 캐리어 가스와 함께 증발 또는 승화된 상기 원료를 상기 처리 용기에 공급하기 위해서 배출하는 가스 배출구를 갖고, 상기 원료 용기의 내부에 상기 캐리어 가스의 흐름을 제어하는 가스 흐름 제어부를 마련한 것을 특징으로 하는 원료 공급 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100922904B1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：KR1020047019643

申请日：2003-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 수행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. 반사 부재(23a, 23b)의 측벽은 천판(15) 내를 직경 방향으로 전파하는 고주파를 반사하기 위한 파 반사 수단으로서 작용한다. 또는, 반사 부재가 없고, 천판(15)의 오목부의 측벽을 파 반사 수단으로 해도 좋다.

公开(公告)号：KR100921871B1

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：KR1020087002170

申请日：2004-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이시바시기요타카 ,  나카니시도시오

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 발생에 기인하는 피처리체로의 손상을 억제하면서, 바람직한 플라즈마 처리를 실행하는 것을 가능하게 한다. 본 발명은 피처리체에 플라즈마 처리를 하기 위한 플라즈마 처리실과, 상기 피처리체를 상기 플라즈마 처리실내에 배치하기 위한 피처리체 유지 수단과, 해당 플라즈마 처리실내에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생 수단을 적어도 포함하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생 수단에 단속적인 에너지 공급 가능한 것을 사용하고 있다.

公开(公告)号：KR100915725B1

公开(公告)日：2009-09-04

申请号：KR1020087018772

申请日：2003-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 수행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. 반사 부재(23a, 23b)의 측벽은 천판(15) 내를 직경 방향으로 전파하는 고주파를 반사하기 위한 파 반사 수단으로서 작용한다. 또는, 반사 부재가 없고, 천판(15)의 오목부의 측벽을 파 반사 수단으로 해도 좋다.

公开(公告)号：KR100843018B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：KR1020057022678

申请日：2004-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이시바시기요타카 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 발생에 기인하는 피처리체로의 손상을 억제하면서, 바람직한 플라즈마 처리를 실행하는 것을 가능하게 한다. 본 발명은 피처리체에 플라즈마 처리를 하기 위한 플라즈마 처리실과, 상기 피처리체를 상기 플라즈마 처리실내에 배치하기 위한 피처리체 유지 수단과, 해당 플라즈마 처리실내에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생 수단을 적어도 포함하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생 수단에 단속적인 에너지 공급 가능한 것을 사용하고 있다.

Abstract translation: 可以实施优选的等离子体处理，同时抑制由于等离子体产生而导致的对待处理物体的损坏。 本发明包括一个等离子体生成装置，用于产生等离子体到工件保持装置，用于为等离子体的等离子体处理室中等离子体处理处理工件，将所述对象在所述等离子体处理室内部将被处理的至少 在等离子体处理装置中，等离子体产生装置使用间歇能量供给源。

公开(公告)号：KR100770232B1

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：KR1020057009241

申请日：2004-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  마츠오카다카아키

IPC: H01L21/68 ,  B65G49/00

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67742 ,  Y10S414/139

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치는 내부에 수용한 기판에 대하여 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실(20)과, 수용한 기판을 처리실(20)까지 반송하는 반송 케이스(24)와, 반송 케이스(24)를 이동 경로를 따라서 이동시키는 이동 기구를 갖는다. 반송 케이스(24)는 외부 분위기로부터 격리된 상태로 기판을 수용한다. 복수의 처리실(20)은 반송 케이스(24)의 이동 경로의 양측에 정렬한 상태로 배치되고, 반송 케이스(24)는 2 열로 정렬하여 배치된 처리실(20)의 반송구(20a)에 대응하여 2 개의 반송구(24a)를 갖는다.

Abstract translation: 本发明的基板处理装置包括：多个处理腔室20，用于处理容纳在其中的基板;运送壳体24，用于将所容纳的基板运送到处理腔室20; 沿着运动路径移动。 携带箱24以与外部大气隔离的状态接收基板。 多个处理室20在分配箱24的移动路径的两侧排列配置，分配箱24相当于配置成两列的处理室20的输送口20a 并具有两个输送口24a。

公开(公告)号：KR1020070053328A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020077008329

申请日：2005-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32522

Abstract: 본 발명은, 진공 처리 장치의 처리용기 내에 이용하는, 실드체로서, 가열 수단을 가지고, 단순한 구조로 박형화가 가능한 실드체를 이용한 진공 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 하고 있다.
그 때문에, 본 발명에서는, 처리용기와, 상기 처리용기 내부의 처리공간을 배기하는 배기 수단과, 피 처리 기판을 유지하는 유지대와, 상기 처리용기 내부에 설치되는 실드체와, 를 가지는 진공 처리 장치로서, 상기 실드체는, 상기 처리용기 내부의 감압된 처리공간에 노출되는 외벽 구조와, 상기 외벽 구조의 내부에 형성된, 상기 처리공간과 격절된 내부공간과, 상기 내부공간에 설치된, 상기 외벽 구조를 가열하는 가열 수단을 가지고, 상기 내부공간은 상기 진공 처리용기의 외부에 연통하고, 상기 가열 수단은 시트형상으로 상기 내부공간에 연장되도록 하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치를 이용하고 있다.

公开(公告)号：KR1020060085943A

公开(公告)日：2006-07-28

申请号：KR1020067008709

申请日：2004-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus wherein the efficiency in cooling a process gas supply unit is improved, thereby suppressing temperature rise in the process gas supply unit. In a plasma processing apparatus, a process gas supply unit (30) is arranged between a substrate (12) to be processed which is placed on a supporting stage (13) and a microwave antenna (25). The process gas supply unit (30) comprises a plurality of first opening portions (32) for passing a plasma generated in a processing vessel (11), a plurality of second opening portions (34A) communicated with a process gas channel (34), and a cooling medium channel (33) for flowing a cooling medium containing a mist. The cooling medium channel (33) may be connected with a cooling medium circulating system.

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置，其中提高了处理气体供应单元的冷却效率，从而抑制了处理气体供应单元中的温度升高。 在等离子体处理装置中，处理气体供给部（30）配置在放置在支撑台（13）的被处理基板（12）和微波天线（25）之间。 处理气体供给单元（30）包括用于使在处理容器（11）中产生的等离子体通过的多个第一开口部（32），与处理气体通道（34）连通的多个第二开口部（34A） 以及用于使含有雾的冷却介质流动的冷却介质通道（33）。 冷却介质通道（33）可以与冷却介质循环系统连接。

公开(公告)号：KR1020060072089A

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：KR1020050127847

申请日：2005-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이노우에마사지

IPC: C23C14/24 ,  G01B11/06

CPC classification number: C23C14/547 ,  C23C14/12

Abstract: 본 발명은 증착막을 형성하는 경우, 형성되는 증착막의 막 두께 제어성이 양호해지는 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
내부에 피처리 기판을 유지하는 처리 용기와, 상기 피처리 기판에 증착하는 증착 재료를 유지하는 증착원을 갖는 증착 장치로서, 상기 처리 용기 내에 퇴적된 증착막의 막 두께를 측정하는 측정 수단을 포함하며, 상기 측정 수단은 상기 증착막에 광을 조사함으로써 상기 막 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.