公开(公告)号：KR1020130103627A

公开(公告)日：2013-09-23

申请号：KR1020137022018

申请日：2012-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  하야시데루유키 ,  마츠오카다카아키 ,  오노유지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 기판 상의 피처리막을 에칭할 때의 마스크가 되는 정해진 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법은, 기판의 피처리막 상에 유기막의 패턴을 형성하는 유기막 패턴 형성 공정과, 그 후, 상기 유기막의 패턴 상에 실리콘 질화막을 성막하는 성막 공정과, 그 후, 상기 실리콘 질화막이 상기 유기막의 패턴의 측벽부에만 남도록 이 실리콘 질화막을 에칭한 후, 상기 유기막의 패턴을 제거하고, 기판의 피처리막 상에 상기 실리콘 질화막의 상기 정해진 패턴을 형성하는 실리콘 질화막 패턴 형성 공정을 포함한다. 상기 성막 공정은, 기판의 온도를 100℃ 이하로 유지한 상태에서, 처리 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마에 의한 플라즈마 처리를 수행하여, 100 ㎫ 이하의 막 스트레스를 갖는 실리콘 질화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020100044227A

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：KR1020107003818

申请日：2008-08-14

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  우베 고산 가부시키가이샤 ,  우베 에쿠시모 가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  이노쿠치아츠토시 ,  와타누키고헤이 ,  고이케다다시 ,  아다치다츠히코

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An insulative coat film comprising one or two or more kinds of oxides having a dielectric constant (k) of 2.5 or smaller and expressed by a general formula of ((CH)SiO)(SiO)(where n=1 to 3, x

Abstract translation: 包含一种或两种以上介电常数（k）为2.5以下并由通式（（CH）SiO）（SiO）表示的氧化物的绝缘涂膜）（其中n = 1〜3，x < = 1）用于形成层间绝缘膜。 通过旋涂施加的绝缘涂膜是平坦的，没有反射下面的不均匀，并且热处理膜在Ra中的表面粗糙度为1nm以下，P-V值为20nm以下。 含有绝缘涂膜的层间绝缘膜可以具有布线结构和仅通过蚀刻形成的电极，而不需要CMP工艺。

公开(公告)号：KR100510610B1

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020037009785

申请日：2002-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카다카아키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67739

Abstract: LCD 기판을 열처리 유닛의 반응 용기내에 반입한 후, 미리 가열한 열교환용 헬륨 가스를, LCD 기판의 표면과 대향하는 가스 공급부로부터 LCD 기판의 표면 전체에 걸쳐 분출한다. 히터에 의한 복사열과, 헬륨 가스와의 열교환에 의해 LCD 기판을 승온시킨다. 반응 용기내에서 CVD, 어닐링 등을 실행한 후, 실온 정도의 온도의 열교환용 가스를 가스 공급부로부터 LCD 기판의 표면 전체에 걸쳐 분출하여 LCD 기판을 냉각한다. 냉각한 LCD 기판을 반송실을 거쳐 캐리어실내의 캐리어로 복귀시킨다.

公开(公告)号：KR1020130064104A

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：KR1020137005899

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카다카아키 ,  노자와도시히사 ,  호리도시야스

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2041 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122

Abstract: 피처리 기판이 되는 실리콘 기판 상에, 플루오르 카본층을 형성한다(A). 형성된 플루오르 카본층 위에, 레지스트층을 형성한다(B). 그 후, 레지스트층에 대하여 포토레지스트에 의한 노광을 행하고, 정해진 형상으로 패터닝을 행한다(C). 정해진 형상으로 패터닝된 레지스트층을 마스크로 하여 플루오르 카본층을 에칭한다(D). 다음에, 마스크로서의 레지스트층을 제거한다(E). 그 후, 남은 플루오르 카본층을 마스크로 하여 실리콘 기판을 에칭한다(F). 플루오르 카본층의 1층만으로 반사 방지막, 및 하드 마스크로서의 기능을 구비하기 때문에, 처리의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 비용을 저렴하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101166396B1

公开(公告)日：2012-07-23

申请号：KR1020097021033

申请日：2008-03-28

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347

Abstract: 회전 마그넷 스퍼터 장치에 있어서, 타깃의 소모에 의해 타깃 표면이 변화하고, 성막 레이트가 시간 경과적으로 변화하는 것을 줄이기 위해, 타깃의 소모 변위량을 측정하고, 측정 결과에 따라 회전 자석군과 타깃 사이의 거리를 조정하여, 균일한 성막 레이트를 장시간에 걸쳐 실현한다. 타깃의 소모 변위량을 측정하는 수단으로는, 초음파 센서를 사용해도 되고, 레이저 송수신 장치를 사용해도 된다.
회전 마그넷 스퍼터 장치, 스퍼터 성막법, 회전 자석군, 고정 외주 판자석, 소모 변위량

公开(公告)号：KR101046902B1

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：KR1020087011261

申请日：2006-11-07

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 복수의 배관으로 형성된 플라즈마 처리용 샤워 플레이트 (31) 로서, 배관 (31A3) 은, 배관을 따라 배치된 원료 가스에 대하여 소정의 기공률을 갖고 외측에 대하여 볼록 형상의 다공질 재료 부재 (44), 및 다공질 재료 부재 (44) 에 대향하여 배치되며 다공질 재료 부재 (44) 와 함께 원료 가스 유로 (43) 를 형성하는 금속 부재 (41) 로 형성되어 있는 플라즈마 처리용 샤워 플레이트가 제공된다. 확산되도록 함으로써, 원료 가스를 방출할 수 있는 노즐 구조를 실현할 수 있다.
플라즈마, 샤워 플레이트, 다공질 재료, 기공률, 금속 세선

Abstract translation: 多个管，管道（31A3）形成的簇射极板（31），用于等离子处理是相对于与用于沿管道的材料气体的预定孔隙率的外侧的凸形状的多孔材料元件44和多孔 提供一种用于等离子体处理的喷淋板，其由与材料构件44相对设置的金属构件41形成，并与多孔材料构件44一起形成原料气体流动路径43。 可以实现能够喷出原料气体的喷嘴结构。

公开(公告)号：KR1020100043089A

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：KR1020107004518

申请日：2008-08-14

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  우베 고산 가부시키가이샤 ,  우베 에쿠시모 가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  이노쿠치아츠토시 ,  와타누키고헤이 ,  고이케다다시 ,  아다치다츠히코

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: Intended is to manufacture a semiconductor device including a shallow trench element separating region and an inter-layer insulating film of a multi-layered structure. A method for manufacturing the semiconductor device has to use a CMP repeatedly, but this CMP itself takes a high cost so that the manufacturing cost is raised by the repeated uses of the CMP. The insulating film to be used in a shallow trench (ST) element separating region and/or the inter-layer insulating film as the lowermost layer is exemplified by an insulating coating film, which can be applied by a spin-coating method. This insulating coating film has such a composition as is expressed by (CH)SiO)(SiO)(wherein n = 1 to 3, and 0

Abstract translation: 本发明是制造包括浅沟槽元件分离区域和多层结构的层间绝缘膜的半导体器件。 半导体器件的制造方法必须重复使用CMP，但是CMP本身需要高成本，从而通过CMP的重复使用来提高制造成本。 用作浅沟槽（ST）元件分离区域和/或作为最下层的层间绝缘膜的绝缘膜的例子是可以通过旋涂法施加的绝缘涂膜。 这种绝缘涂膜具有由（CH）SiO）（SiO）（其中n = 1至3，且0 <= x <= 1.0）表示的组成，并且形成不同比介电常数k的膜 通过选择热处理条件。 此外，可以通过将绝缘涂膜完全改性为SiO膜来形成STI元件分离区域，并且可以通过使其成为不完全改性的状态来形成小介电常数k的层间绝缘膜。

公开(公告)号：KR1020090116820A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020097020501

申请日：2008-03-14

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

Abstract: Intended is to solve a problem that the percent defective of a substrate to be treated is raised at the time of a plasma ignition or extinction in a magnetron sputtering apparatus constituted to have the magnetic pattern of a target surface moved with the time by a rotating magnet group, thereby to provide a magnetron sputtering apparatus, in which the percent defective of the treated substrate is lower than that of the prior art. The magnetron sputtering apparatus provided comprises a plasma shielding member having a slit on the opposite side of the rotating magnet group with respect to the target, thereby to make the distance between the plasma shielding member and the treated substrate shorter than either the average free path of electrons or a sheath width. Moreover, the slit width and length are controlled to protect the treated substrate against the bombardment of plasma. It is, therefore, possible to reduce the percent defect of the treated substrate.

Abstract translation: 本发明是为了解决在磁控管溅射装置中的等离子体点火或消光时提高待处理基板的百分比不良的问题，该磁控管溅射装置构成为目标表面的磁性图案随着时间旋转而移动 从而提供一种磁控溅射装置，其中处理过的衬底的缺陷百分比低于现有技术。 提供的磁控管溅射装置包括等离子体屏蔽构件，其在相对于靶的旋转磁体组的相对侧上具有狭缝，从而使等离子体屏蔽构件和处理过的衬底之间的距离比平均自由程 电子或鞘宽。 此外，控制狭缝宽度和长度以保护经处理的基板免受等离子体的轰击。 因此，可以减少经处理的基材的百分比缺陷。

公开(公告)号：KR1020070113299A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：KR1020077023939

申请日：2006-03-28

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/32

Abstract: This invention provides an apparatus for film formation, comprising a blowout vessel having a construction for blowing out an organic EL molecular gas. The apparatus comprises a plurality of organic EL material vessels and a piping system for connecting the plurality of organic EL material vessels to the blowout vessel. The plurality of organic EL material vessels constructed so as to be selectively brought to an organic EL molecule feed state. The piping system is constructed so that the transport gas is fed into each organic EL material vessel in such a manner that the pressure during film formation and the pressure during non-film formation are equal to each other. During non-film formation, the transport gas is allowed to flow from one of the organic EL material vessels to other material vessel.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于成膜的装置，包括具有吹出有机EL分子气体的结构的吹出容器。 该装置包括多个有机EL材料容器和用于将多个有机EL材料容器连接到吹出容器的管道系统。 多个有机EL材料容器被构造成选择性地进入有机EL分子进料状态。 管道系统被构造成使得输送气体以这样的方式进给到每个有机EL材料容器中，使得成膜期间的压力和非成膜期间的压力彼此相等。 在非成膜期间，允许运输气体从有机EL材料容器之一流动到其他材料容器。

公开(公告)号：KR1020120034824A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020127006088

申请日：2008-03-28

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347

Abstract: 회전 마그넷 스퍼터 장치에 있어서, 타깃의 소모에 의해 타깃 표면이 변화하고, 성막 레이트가 시간 경과적으로 변화하는 것을 줄이기 위해, 타깃의 소모 변위량을 측정하고, 측정 결과에 따라 회전 자석군과 타깃 사이의 거리를 조정하여, 균일한 성막 레이트를 장시간에 걸쳐 실현한다. 타깃의 소모 변위량을 측정하는 수단으로는, 초음파 센서를 사용해도 되고, 레이저 송수신 장치를 사용해도 된다.