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公开(公告)号：KR1020070053328A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020077008329
申请日：2005-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32522
Abstract: 본 발명은, 진공 처리 장치의 처리용기 내에 이용하는, 실드체로서, 가열 수단을 가지고, 단순한 구조로 박형화가 가능한 실드체를 이용한 진공 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 하고 있다.
그 때문에, 본 발명에서는, 처리용기와, 상기 처리용기 내부의 처리공간을 배기하는 배기 수단과, 피 처리 기판을 유지하는 유지대와, 상기 처리용기 내부에 설치되는 실드체와, 를 가지는 진공 처리 장치로서, 상기 실드체는, 상기 처리용기 내부의 감압된 처리공간에 노출되는 외벽 구조와, 상기 외벽 구조의 내부에 형성된, 상기 처리공간과 격절된 내부공간과, 상기 내부공간에 설치된, 상기 외벽 구조를 가열하는 가열 수단을 가지고, 상기 내부공간은 상기 진공 처리용기의 외부에 연통하고, 상기 가열 수단은 시트형상으로 상기 내부공간에 연장되도록 하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치를 이용하고 있다.-
公开(公告)号：KR1020060085943A
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020067008709
申请日：2004-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus wherein the efficiency in cooling a process gas supply unit is improved, thereby suppressing temperature rise in the process gas supply unit. In a plasma processing apparatus, a process gas supply unit (30) is arranged between a substrate (12) to be processed which is placed on a supporting stage (13) and a microwave antenna (25). The process gas supply unit (30) comprises a plurality of first opening portions (32) for passing a plasma generated in a processing vessel (11), a plurality of second opening portions (34A) communicated with a process gas channel (34), and a cooling medium channel (33) for flowing a cooling medium containing a mist. The cooling medium channel (33) may be connected with a cooling medium circulating system.
Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置，其中提高了处理气体供应单元的冷却效率，从而抑制了处理气体供应单元中的温度升高。 在等离子体处理装置中，处理气体供给部（30）配置在放置在支撑台（13）的被处理基板（12）和微波天线（25）之间。 处理气体供给单元（30）包括用于使在处理容器（11）中产生的等离子体通过的多个第一开口部（32），与处理气体通道（34）连通的多个第二开口部（34A） 以及用于使含有雾的冷却介质流动的冷却介质通道（33）。 冷却介质通道（33）可以与冷却介质循环系统连接。
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公开(公告)号：KR100876692B1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020067015082
申请日：2004-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4411 , H01J37/32522 , H01L21/67069
Abstract: In a substrate processing apparatus for processing a substrate for manufacturing a semiconductor device, a mist passage ( 5 ) is formed to pass through a part of a processing vessel ( 2 ) as an object to be cooled. There are disposed a mist generator ( 64 ) that generates a mist, and a gas supply source ( 62 ) that supplies a carrier gas for carrying the generated mist. A temperature of the part to be cooled is detected by a temperature sensor ( 49 ). When the detected temperature exceeds a predetermined temperature, a water mist, for example, is allowed to flow into the mist passage so as to cool the processing vessel by a heat of evaporation of the mist. Thus, the temperature of the processing vessel can be promptly lowered, and thus a plasma process can be performed under an atmosphere of a stable temperature.
Abstract translation: 在用于处理用于制造半导体器件的基板的基板处理设备中，雾通道（5）形成为穿过作为待冷却对象的处理容器（2）的一部分。 配置有产生雾的雾发生器（64）以及供应用于运送产生的雾的载气的气体供应源（62）。 待冷却部件的温度由温度传感器（49）检测。 当检测到的温度超过预定温度时，允许例如水雾流入雾通道，从而通过雾的蒸发热来冷却处理容器。 由此，能够迅速降低处理容器的温度，能够在稳定的温度的气氛下进行等离子体处理。
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公开(公告)号：KR100762052B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020067008709
申请日：2004-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 가스 공급부의 냉각 효율을 향상시켜, 당해 처리 가스 공급부의 온도 상승을 억제하는 것을 과제로 하고 있다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 유지대(13) 상의 피처리 기판(12)과 마이크로파 안테나(25) 사이에 처리 가스 공급부(30)가 마련되어 있다. 상기 처리 가스 공급부(30)는, 처리 용기(11) 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1 개구부(32)와, 처리 가스 통로(34)에 연통한 복수의 제 2 개구부(34A)와, 미스트(mist)를 포함한 냉각 매체가 흐르는 냉각 매체 통로(33)를 구비하고 있다. 냉각 매체 통로에는 냉각 매체 순환 장치가 접속되어도 좋다.Abstract translation: 本发明的目的在于提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制处理气体供给部的温度上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100920280B1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020087009214
申请日：2006-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32522
Abstract: 금속제의 통체형상의 처리용기내에 있어서 처리 가스를 이용하여 가열된 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 처리하는 처리 장치의 개량된 처리용기의 구조가 개시된다. 처리용기(34)는 상하 방향에 적층되어 서로 연결된 복수의 블럭체(80, 82, 84)로 구성된다. 인접하는 블럭체의 사이에는 진공단열층(86, 88)이 마련된다. 이것에 의해 각 블럭체간의 열 전달이 억제되고, 각 블럭체의 온도를 개별적으로 제어할 수 있어, 에너지효율이 향상한다.
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公开(公告)号：KR100887440B1
公开(公告)日：2009-03-10
申请号：KR1020077008329
申请日：2005-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32522
Abstract: 본 발명은, 진공 처리 장치의 처리용기 내에 이용하는, 실드체로서, 가열 수단을 가지고, 단순한 구조로 박형화가 가능한 실드체를 이용한 진공 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 하고 있다.
그 때문에, 본 발명에서는, 처리용기와, 상기 처리용기 내부의 처리공간을 배기하는 배기 수단과, 피 처리 기판을 유지하는 유지대와, 상기 처리용기 내부에 설치되는 실드체와, 를 가지는 진공 처리 장치로서, 상기 실드체는, 상기 처리용기 내부의 감압된 처리공간에 노출되는 외벽 구조와, 상기 외벽 구조의 내부에 형성된, 상기 처리공간과 격절된 내부공간과, 상기 내부공간에 설치된, 상기 외벽 구조를 가열하는 가열 수단을 가지고, 상기 내부공간은 상기 진공 처리용기의 외부에 연통하고, 상기 가열 수단은 시트형상으로 상기 내부공간에 연장되도록 하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치를 이용하고 있다.-
公开(公告)号：KR1020080046284A
公开(公告)日：2008-05-26
申请号：KR1020087009214
申请日：2006-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32522
Abstract: Provided is a structure of an improved processing container for a processing apparatus which processes a subject to be processed, such as a semiconductor wafer, which is heated in the metal tube-like processing container by using a processing gas. The processing container (34) is composed of a plurality of block bodies (80, 82, 84) mutually connected by being stacked in the vertical direction. Vacuum heat insulating layers (86, 88) are arranged between the adjacent block bodies. Thus, heat transfer between block bodies is suppressed, temperature of each block body can be separately controlled, and energy efficiency is improved.
Abstract translation: 提供了一种处理装置的改进处理容器的结构，该处理装置用于处理通过使用处理气体在金属管状处理容器中加热的半导体晶片等待处理对象。 处理容器（34）由沿垂直方向堆叠而相互连接的多个块体（80,82,84）构成。 真空隔热层（86,88）设置在相邻块体之间。 因此，能够抑制块体之间的热传递，能够单独控制各块体的温度，提高能量效率。
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公开(公告)号：KR1020170137196A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020177033083
申请日：2016-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67173 , C23C16/4412 , C23C16/45561 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/02 , H01L21/67017 , H01L21/67063 , H01L21/67167 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67201 , H01L21/68707
Abstract: 처리시스템은, 하나이상의처리유닛(20)을구비한다. 각각의처리유닛(20)은, 복수의처리챔버(22)와, 유틸리티모듈(30)을갖는다. 각각의처리챔버(22)는, 공급된처리가스를이용하여피처리체를처리한다. 유틸리티모듈(30)은, 복수의처리챔버(22) 각각에공급되는처리가스의유량을제어하는유량제어부(31)를포함한다. 복수의처리챔버(22)는, 상하방향으로중복되게배치된다. 유틸리티모듈(30)은, 복수의처리챔버(22) 중, 상하방향으로인접하는 2개의처리챔버(22) 사이에배치된다.
Abstract translation: 处理系统包括至少一个处理单元（20）。 每个处理单元20具有多个处理室22和公用设施模块30。 每个处理室22使用供应的处理气体处理待处理的物体。 公用程序模块30包括流量控制部分31，流量控制部分31控制供应给多个处理室22中的每一个的处理气体的流量。 多个处理室22在上下方向上重叠配置。 公用设施模块30设置在多个处理室22中的在垂直方向上彼此相邻的两个处理室22之间。
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公开(公告)号：KR101015683B1
公开(公告)日：2011-02-22
申请号：KR1020087021314
申请日：2007-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67126 , C23C16/4412 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32834 , H01L21/67017 , Y10T137/85978
Abstract: 본 발명은 밸브 개방도를 실용 영역에서 사용할 때에 처리공간의 분위기를 탑재대의 주위에 균등하게 분산시켜 배기할 수 있는 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 바닥부에 배기구(50)를 갖고 진공배기 가능하게 이루어진 처리용기(42)와, 피처리체(W)를 탑재하기 위해 처리용기내에 마련된 탑재대(44)와, 배기구에 연결됨과 동시에 슬라이드식의 밸브체(94)에 의해 밸브구(98)의 개구 영역의 면적을 바꿀 수 있는 압력 제어 밸브(88)와, 압력 제어 밸브에 접속된 배기계(90)를 구비하고 피처리체에 대해 소정의 프로세스 압력하에서 소정의 처리를 실시하도록 한 낱장식의 처리 장치에 있어서, 압력 제어 밸브의 밸브 개방도의 실용 영역에 의해서 형성되는 개구 영역내에 상기 탑재대의 중심축이 위치하도록 압력 제어 밸브를 편심시켜 마련한다.
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