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公开(公告)号:KR1020170025415A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:KR1020150121826
申请日:2015-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/373 , H01L23/14
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4846 , H01L23/145 , H01L23/49838 , H05K1/03 , H05K1/0366 , H05K3/0011 , H05K2201/0287 , H05K2201/029 , H05K2201/0293 , H05K2201/2009
Abstract: 본발명의기술적사상에의한기판은, 회로층; 및상기회로층과적층구조를형성하고, 제1 방향으로연장되는부직조(non-woven) 형태의제1 섬유(fiber)를포함하는섬유층;을포함할수 있다. 또한, 본발명의기술적사상에의한프리프레그(prepreg)는, 일방향으로연장되는중심축을가지는부직조형태의제1 섬유; 상기제1 섬유와이격되어배치되고, 직조형태를갖는복수의제2 섬유들; 및상기제1 섬유및 복수의제2 섬유들사이를채우는절연층;을포함할수 있다.
Abstract translation: 封装板包括包括电路层和纤维层的堆叠结构。 纤维层包括至少一个沿第一方向延伸并且是无纺纤维的第一纤维。 此外,预浸料坯包括作为无纺纤维的第一纤维; 与第一纤维间隔开并且是编织纤维的多个第二纤维; 以及填充第一纤维和多个第二纤维之间的间隙的绝缘层。
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公开(公告)号:KR1020170017531A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:KR1020150111613
申请日:2015-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B17/309 , H04B17/20
CPC classification number: H04W76/023 , H04L5/0042 , H04W4/70 , H04W76/14
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본개시는무선통신시스템에서전체시스템전송대역폭내에서일부서브밴드만지원하는단말의라디오링크모니터링 (radio link monitoring; RLM) 방법을제안한다. 구체적으로, 상기일부서브밴드만지원하는단말은라디오링크모니터링을위해측정하는대역의위치를사전에미리설정해서운용되거나, 혹은기지국스케쥴링에따라동적으로운용하는방법이제안된다.
Abstract translation: 提供了一种用于在无线通信系统中执行无线电链路监视(RLM)的方法。 该方法包括:被限制为使用与系统传输带宽的一部分相对应的子带的UE确定用于RLM的至少一个子带,其中该子带是系统传输带宽的预配置部分,在确定的至少一个子带中执行RLM ,以及基于所述RLM确定所述至少一个子带的无线电链路质量。
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公开(公告)号:KR101692956B1
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:KR1020100092507
申请日:2010-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/498 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L23/49838 , H01L24/06 , H01L2224/0603 , H01L2224/06155 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은, 미세한피치를가지는입출력부를다량으로제공할수 있는테이프패키지를제공한다. 본발명의일부실시예들에따른테이프패키지는, 제1 배선및 제2 배선을포함하는테이프배선기판; 및테이프배선기판상에실장되고, 제1 에지를포함하고, 제1 에지로부터인접하여위치하는제1 패드및 제1 에지로부터제1 패드보다이격되어위치하는제2 패드를포함하는반도체칩;을포함하고, 제1 배선은제1 패드의제1 에지로부터가까이위치하는부분에연결되고, 제2 배선은제2 패드의제1 에지로부터멀리위치하는부분에연결된다.
Abstract translation: 一种提供多个具有最小间距的输入和输出部分的磁带封装。 所述带包装包括包括第一和第二布线的带布线基板,以及安装在所述带布线基板上的半导体芯片,并且包括第一边缘,邻近所述第一边缘设置的第一焊盘和设置成更远的间隔的第二焊盘 除了第一边缘之外,第一布线连接到第一焊盘的与第一边缘间隔开第一距离的部分,并且其中第二布线连接到第二焊盘的一部分, 与第一边缘间隔开大于第一距离的第二距离。
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公开(公告)号:KR1020160094548A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:KR1020150015356
申请日:2015-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/768 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L23/28 , H01L23/485
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체패키지의제조방법은지지기판상에반도체칩들을형성하는것, 상기반도체칩들의상면들을덮는보호막을형성하는것, 상기지지기판과상기보호막을덮는몰딩막을형성하는것, 및상기몰딩막을식각하여상기보호막을노출시키는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种具有更高可靠性的半导体封装及其制造方法。 根据本发明的实施例,制造半导体封装的方法包括:在支撑衬底上形成半导体芯片; 形成覆盖半导体芯片的上表面的保护层; 形成覆盖所述支撑基板和所述保护层的成型层; 并通过蚀刻成型层使保护层露出。
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公开(公告)号:KR1020160083977A
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:KR1020150000065
申请日:2015-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/28 , H01L23/522 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L23/28 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체패키지는반도체칩, 상기반도체칩의일측에배치된연결장치, 상기반도체칩의하부면및 상기연결장치의하부면을덮는절연막, 상기절연막상에배치되며, 상기반도체칩의하부면및 상기연결장치의하부면을덮는절연막, 상기절연막상에배치되며, 상기반도체칩의일측면, 상기연결장치의상부면및 양측면들을덮는몰딩막, 상기절연막내에배치되며, 상기반도체칩 및상기연결장치와전기적으로연결되는배선, 및상기절연막상에배치되며, 상기배선과전기적으로연결되는외부단자를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体封装可以包括半导体芯片; 布置在半导体船的一侧的连接装置; 绝缘层,其覆盖半导体芯片的下表面和连接装置的下表面; 配置在所述绝缘层上且覆盖所述半导体芯片的一个面的成型层,以及所述连接装置的上表面和两侧; 布置在绝缘层中并与半导体芯片和连接装置电连接的线; 以及布置在绝缘层上并与线路电连接的外部端子。 因此,可以提高半导体封装的可靠性。
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公开(公告)号:KR1020160080866A
公开(公告)日:2016-07-08
申请号:KR1020140192557
申请日:2014-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
IPC: H01M4/48 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/364 , C01G45/1228 , C01G45/125 , C01G45/1264 , C01G53/50 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/82 , C01P2006/40 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M2004/028 , H01M4/48 , Y02E60/12
Abstract: 층상(layered) 결정구조를가지는제 1 금속산화물; 및페로브스카이트(perovskite) 결정구조를가지는제 2 금속산화물을포함하며, 상기제 2 금속산화물이 12 개의산소원자에배위된(12-fold cubooctahedral coordinated) 제 1 금속및 제 2 금속을포함하는복합양극활물질, 이를채용한양극과리튬전지가제시된다.
Abstract translation: 公开了一种复合正极活性物质,正极和包含该正极活性物质的锂电池。 复合正极活性物质包括:具有层状晶体结构的第一金属氧化物; 和具有钙钛矿晶体结构的第二金属氧化物,其中所述第二金属氧化物包括与12个氧配位的第一金属和第二金属。
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公开(公告)号:KR1020160055072A
公开(公告)日:2016-05-17
申请号:KR1020150154748
申请日:2015-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W72/005 , H04L61/2069 , H04W4/06 , H04W12/08 , H04W52/243 , H04W52/367 , H04W52/383 , H04W72/0413 , H04W72/042 , H04W72/12
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 특히여러단말에게메시지를전달할경우멀티미디어의방송및 멀티캐스트서비스 (multimedia broadcast multicast service, 이하 MBMS) 서비스를이용해그룹메시지를전송할수 있다. 이때 단말은 MBMS 관련정보를획득해야하고, 네트워크는 MBMS 베어러를활성화시켜야하므로이러한동작을수행하기위한방법및 장치가필요하다. 이를위해 SCEF는 SCS/AS로부터 TMGI를요청하는요청메시지를수신하고, 상기요청메시지를기반으로메시지를전송한 SCS/AS가 TMGI를요청할자격이있는지확인하고, 가입자정보를요청하는요청메시지를 HSS로전송하고, HSS로부터라우팅정보가포함된가입자정보요청메시지에대한응답메시지를수신하고, BM-SC로 TMGI를요청하는메시지를전송하고, BM-SC로부터 TMGI를포함하는응답메시지를수신하고, TMGI를포함하는응답메시지를 SCS/AS로전송할수 있다.
Abstract translation: 本公开涉及通信技术和将用于支持具有物联网(IoT)技术的4G系统之外的更高数据传输速率的5G通信系统相结合的系统。 本公开可以应用于智能服务(例如,智能家居,智能建筑,智能城市,智能汽车或连接的汽车,医疗保健,数字教育,零售业务,安全和安全相关服务等) 。)基于5G通信技术和IoT相关技术。 特别地,在向多个终端发送消息的情况下,可以通过使用多媒体广播和多播服务(以下称为MBMS)来发送组消息。 此时,终端必须获得MBMS相关信息,并且由于网络必须激活MBMS承载,所以用于执行这种操作的方法和装置是必需的。 为此,服务能力曝光功能(SCEF)接收从服务能力服务器/应用服务器(SCS / AS)请求临时移动组标识符(TMGI)的请求消息,并确认是否发送消息的SCS / AS 基于该请求消息,可以申请TMGI,向本地用户服务器(HSS)发送请求用户信息的请求消息,从HSS接收到其中包含路由信息的用户信息请求消息的响应消息,发送 用于向广播/多播服务中心(BM-SC)请求TMGI的消息从BM-SC接收包括TMGI的响应消息,并将包括TMGI的响应消息发送到SCS / AS。
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公开(公告)号:KR1020160021032A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:KR1020150108372
申请日:2015-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W36/14 , H04W8/065 , H04W24/04 , H04W28/08 , H04W36/0022 , H04W76/046 , H04W76/27
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명에따르면, 단말은적절한서비스를제공받기위해단말의전용코어네트워크(dedicated core network)를다시선택할필요성이있다. 본발명은이동통신시스템의향상된노드 B (enhanced Node B, eNB)에서의신호송수신방법에있어서, 제 1 MME(mobile management entity)로제 1 요청메시지를전송하는단계; 상기제 1 요청메시지를기반으로한 경로변경명령메시지를상기제 1 MME으로부터수신하는단계; 및상기경로변경메시지를기반으로제 2 MME로제 2 메시지를전송하는단계를포함하고, 상기경로변경명령메시지는제 1 요청메시지및 적어도하나의 MME 식별자및 단말식별자를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 提供了用于第五代(5G)通信系统和物联网(IoT)技术之间的融合的通信技术和相关系统。 根据本发明,该装置可以应用于各种领域,例如智能家居,智能建筑,智能城市,智能汽车或连接的汽车,医疗保健,数字教育,零售业务和 安全和安全相关的服务。 需要用户设备(UE)重新选择专用的核心网络,以便接收合适的服务。 在发送和接收信号的方法中,移动通信系统的增强型节点B(eNB)的操作方法包括以下步骤:向第一移动管理实体(MME)发送第一请求消息; 基于来自第一MME的第一请求消息接收重路由命令消息; 以及基于所述重路由命令消息向第二MME发送第二消息。 这里,重路由命令消息包含第一请求消息,至少一个MME标识符和UE标识符。
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公开(公告)号:KR1020150126133A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:KR1020140053253
申请日:2014-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/14 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 반도체패키지는반도체칩, 상부구조물및 하부구조물을포함한다. 상부구조물은상기반도체칩의상부에위치한다. 상부구조물은제 1 열팽창계수를갖는다. 하부구조물은상기반도체칩의하부에위치한다. 하부구조물은상기제 1 열팽창계수이하인제 2 열팽창계수를갖는다. 따라서, 하부구조물보다상부구조물이상대적으로더 많이팽창하게되어, 반도체패키지가상부로볼록하게휘어지는것을억제할수 있다.
Abstract translation: 半导体封装包括半导体芯片,上部结构和下部结构。 上部结构位于半导体芯片的上部。 上部结构具有第一热膨胀系数。 下部结构位于半导体芯片的下部。 下部结构具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。 因此,随着上部结构的膨胀比下部结构的膨胀相对更高,防止了半导体封装变得凸起。
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公开(公告)号:KR101349174B1
公开(公告)日:2014-01-09
申请号:KR1020070112165
申请日:2007-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/67092 , B28D5/0011 , H01L21/78
Abstract: 반도체 웨이퍼의 절단방법이 제공된다. 상기 반도체 웨이퍼의 절단방법은 스크라이브 영역 및 칩 영역을 포함하는 반도체 웨이퍼를 준비하는 것, 상기 스크라이브 영역에 그루브(groove)를 형성하는 것, 상기 그루브가 형성된 상기 반도체 웨이퍼를 챔버에 로딩하는 것, 그리고 상기 챔버의 압력을 제1의 압력 변화율로 상승시킨 후, 제2의 압력 변화율로 상기 챔버의 압력을 감소시켜 상기 반도체 웨이퍼를 다수의 칩으로 절단하는 것을 포함한다.
반도체 웨이퍼 절단, 그루브, 압력 챔버
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