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公开(公告)号：KR1020080000020A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060057207
申请日：2006-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67303 , B08B17/04 , H01L21/67306 , H01L21/6773
Abstract: A carrier with a cleaning function is provided to reduce a manufacturing cost by coating an inner surface of a wafer carrier using a vinyl film and removing the vinyl film after a semiconductor manufacturing process. A carrier with a cleaning function includes a carrier body(10), plural slots(12), a front door(22), and coating films(18,24). The carrier body includes an opening portion. A semiconductor wafer is contained in the carrier body, such that the carrier body moves the semiconductor wafer. The slots are formed inside the carrier body. Semiconductor wafers are mounted in parallel to each other in the respective slots. The front door is attached to the opening of the carrier body and encloses or opens the carrier body. The coating films are coated on an inner surface of the carrier body and a rear surface of the front door.
Abstract translation: 提供具有清洁功能的载体，以通过使用乙烯基膜涂覆晶片载体的内表面并在半导体制造过程之后除去乙烯基膜来降低制造成本。 具有清洁功能的载体包括载体（10），多个槽（12），前门（22）和涂膜（18,24）。 载体主体包括开口部分。 半导体晶片被容纳在载体主体中，使得载体主体移动半导体晶片。 槽形成在承载体的内部。 半导体晶片在相应的槽中彼此平行地安装。 前门连接到承载体的开口，并包围或打开载体主体。 涂层膜涂覆在载体主体的内表面和前门的后表面上。
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公开(公告)号：KR1020070053831A
公开(公告)日：2007-05-28
申请号：KR1020050111522
申请日：2005-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: G03F7/70625 , H01L22/12
Abstract: 공정 시간을 단축시키기 위한 기판 표면 검사 방법에 있어서, 우선, 패턴이 샷 단위로 형성된 기판을 기초하여 포토 맵을 획득하고, 상기 포토 맵의 중심 좌표를 검출하고, 상기 중심 좌표를 기준으로 다수의 정렬 좌표들을 설정한다. 또한, 상기 다수의 샷들을 구분하기 위한 구분선들의 교차 좌표들을 등록하여 검사 공정 레서피를 설정한다. 이어서, 반도체 기판을 검사 스테이지 상으로 로딩시키고, 상기 중심 좌표, 정렬 좌표들 및 교차 좌표들을 이용하여 상기 기판의 위치를 인식한다. 상기 정렬 좌표들 및 교차 좌표들을 이용하여 상기 기판의 측정 위치를 검출하여 상기 측정 위치에 해당하는 막 또는 패턴의 두께를 측정한다. 여기서, 상기와 같이 샘플 반도체 기판 없이 포토 맵으로 공정 레서피를 설정함으로써, 공정 레서피 설정 시간을 단축시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070040515A
公开(公告)日：2007-04-17
申请号：KR1020050095945
申请日：2005-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 분석되는 분석면이 평탄한 시편을 제조하는 방법에 있어서, 우선, 기판을 절단하여 금속 영역 및 비금속 영역으로 이루어진 분석 부위를 포함하는 제1 예비 시편을 형성한다. 상기 제1 예비 시편의 양 측면을 1차 식각하여 돌출된 금속 영역과 함몰된 비금속 영역을 갖는 제2 예비 시편을 형성한다. 상기 함몰된 비금속 영역 상에 식각 방지막을 형성하여, 상기 제2 예비 시편을 2차 식각하여 평탄한 분석면을 갖는 시편을 형성한다. 분석면이 평탄한 시편을 제조함으로써 이후 시편을 분석하는 동안 이미지 왜곡 또는 화질 저하의 문제들을 미연에 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100685738B1
公开(公告)日：2007-02-26
申请号：KR1020050072471
申请日：2005-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/02079
Abstract: 절연막을 효과적으로 제거할 수 있는 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법 및 기판의 재생 방법에 있어서, 절연 물질 제거용 조성물은 산화제 1 중량% 내지 50 중량%, 불소 화합물 0.1 중량% 내지 35 중량% 및 여분의 순수를 포함한다. 절연 물질 제거용 조성물을 저유전율막 및/또는 보호막이 형성된 기판에 적용하여, 기판의 손상 없이 저유전율막 및/또는 보호막을 제거할 수 있고, 경제적으로 기판을 재생할 수 있다.
Abstract translation: 有效绝缘膜的组合物用于去除可去除的绝缘材料，在除去的再生方法和使用其的绝缘膜的衬底，除去组合物的绝缘材料是氧化剂以重量计1％至50％（重量），氟化合物为0.1重量％〜35重量 ％和额外的纯净水。 通过施加绝缘材料以除去所述组合物为低介电常数膜和/或基板中形成的保护膜，也能够除去该低介电常数膜和/或保护层，而不损坏基片，有可能在经济上玩的基板。
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公开(公告)号：KR1020050116287A
公开(公告)日：2005-12-12
申请号：KR1020040041442
申请日：2004-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B21/00
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정용 투과 전자 현미경에서의 다수의 광섬유를 구비하는 바이프리즘 홀더 장치에 관한 것이다. 바이프리즘 홀더 장치는 전자 빔을 이용하여 시료의 불순물 차이에 의한 간섭 무늬(interference fringe)를 발생시키기 위한 다수의 광섬유를 구비하는 바이프리즘과, 바이프리즘을 장착하는 홀더 및 홀더를 통하여 광섬유들로 동일한 정전압을 공급하는 정전압 공급부를 포함한다. 본 발명에 의하면, 다중의 바이프리즘 광섬유를 통하여 시료의 스캐닝 시간을 감소시킴으로써, 광섬유에 가해지는 전압의 변동을 방지할 수 있으며, 정확한 접합 규정(junction define)을 할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100527687B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1020020076410
申请日：2002-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 반도체 소자의 커패시터 형성방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 상부의 일부가 서로 연결되어 지지되는 복수개의 실린더형 노드들을 형성하고, 상기 연결부위를 포함하여 복수개의 실린더형 노드들 표면에 유전막을 형성한다. 상기 연결부위를 포함하여 복수개의 실린더형 노드들을 매립하도록 제1 도전막을 형성한다. 상기 제1 도전막 및 상기 연결부위를 차례로 식각하여 상기 복수개의 실린더형 노드들을 분리한다. 이와 같이, 반도체 소자의 축적용량을 증가시키기 위해 커패시터의 하부전극을 높이 형성하여도 하부전극이 쓰러지거나 휘어져 소자의 불량을 초래하는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020006561A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：KR1020000038231
申请日：2000-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김영남
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a barrier layer of a semiconductor device is provided to prevent an out-diffusion phenomenon of oxygen and an out-gassing phenomenon of N2 gas, by controlling surface oxidation of a TiN layer. CONSTITUTION: A Ti layer(12) is formed on a semiconductor substrate(10). The TiN layer is formed on the Ti layer. An annealing process is performed regarding the resultant structure while N2 gas is supplied. A wet layer is formed on the annealed TiN layer(14a). The wet layer is a TiON layer in a chamber having a titanium target by a non-collimator sputtering method while Ar gas and N2 gas are supplied.
Abstract translation: 目的：通过控制TiN层的表面氧化，提供了制造半导体器件的阻挡层的方法，以防止氧气的扩散现象和N 2气体的排气现象。 构成：在半导体衬底（10）上形成Ti层（12）。 在Ti层上形成TiN层。 在提供N 2气体的同时进行关于所得结构的退火处理。 在退火的TiN层（14a）上形成湿层。 湿层是通过非准直器溅射法在具有钛靶的室中的TiON层，同时供给Ar气体和N 2气体。
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公开(公告)号：KR1019980068161A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004645
申请日：1997-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 인-시투 어닐링(In-situ Annealing) 공정에 사용되는 샘플홀더에 있어서 지지대상에 시료를 수용하는 수용홈을 형성하여 시료를 안정적으로 고정시킬 수 있는 시료분석용 샘플홀더에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 샘플홀더에 있어 시료샘플을 탑재하는 지지대상에 시료샘플을 수용하기 위한 수용홈이 형성된다. 바람직하게 수용홈은 사각형상으로 가로, 세로가 각각 1㎝정도이다.
이와 같이 구성함으로써, 시료샘플을 소정크기로 절단하여 샘플홀더의 지지대의 수용홈에 넣기만 하면 되기 때문에 분석을 위한 준비시간을 상당히 줄일 수 있다. 또한 인-시투 어닐링 분석의 경우 온도를 1000℃ 정도의 고온으로 올려도 시료샘플은 지지대의 수용홈속에 안정되게 놓여있기 때문에 안정되게 분석을 진행할 수 있다. -
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