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公开(公告)号：KR1020020016748A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：KR1020010002574
申请日：2001-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C16/18
CPC classification number: C07C225/14 , C07F7/28 , C23C16/409 , C23C16/45531 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel group IV metal precursor is provided which displays superior volatility and thermal characteristics, has excellent chemical stability for hydrolysis, and is particularly suitable for the formation of a multi-component metal oxide thin film comprising a group IV metal such as titanium, and a chemical vapor deposition method using the same is provided. CONSTITUTION: The metal organic precursor for manufacturing a metal oxide thin film consists of a negative bivalent tridentate ligand(L) represented as in the following Formula 1 and a quadrivalent group IV metal(M), and represented as M(L)2:£Formula 1|where each of R1 and R2 are linear or branched alkyl groups having carbon numbers of 1 to 8, and R3 is a linear or branched alkylene group having carbon numbers of 1 to 8, wherein the quadrivalent group IV metal(M) is Ti. The chemical vapor deposition method is characterized in that a metal oxide thin film is formed by using a complex of a quadrivalent IV group metal(M) and a chemical formula M(L)2 consisting of a negative bivalent tridentate ligand(L) represented as in the following Formula 1 as a quadrivalent IV group metal precursor:£Formula 1|where each of R1 and R2 are linear or branched alkyl groups having carbon numbers of 1 to 8, and R3 is a linear or branched alkylene group having carbon numbers of 1 to 8, wherein a complex of formula Ti(L)2 in which the quadrivalent IV group metal(M) is Ti is used as a titanium precursor.
Abstract translation: 目的：提供一种新颖的IV族金属前体，其具有优异的挥发性和热特性，具有优异的水解化学稳定性，特别适用于形成包含IV族金属如钛的多组分金属氧化物薄膜， 并提供使用其的化学气相沉积方法。 构成：用于制造金属氧化物薄膜的金属有机前体由如下式1所示的负二价三齿配体（L）和四价IV族金属（M）组成，并表示为M（L）2：£ 式1 |其中R1和R2各自为碳数为1至8的直链或支链烷基，R3为碳数为1至8的直链或支链亚烷基，其中四价IV族金属（M）为 钛。 化学气相沉积方法的特征在于通过使用四价IV族金属（M）和由负二价三齿配体（L）组成的化学式M（L）2的络合物形成金属氧化物薄膜，所述负二价三齿配体（L） 在下列式1中，作为四价IV族金属前体：其中R 1和R 2各自为碳数为1至8的直链或支链烷基，R 3为直链或支链的碳数为 1〜8，其中使用四价IV族金属（M）为Ti的式Ti（L）2的配合物作为钛前体。
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公开(公告)号：KR1020010103899A
公开(公告)日：2001-11-24
申请号：KR1020000025043
申请日：2000-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/18
Abstract: 본 발명에 따른 탄소 함유 물질(carbonaceous material)을 이용한 재기록 가능한 데이타 스토리지(data storage)는, 킨틸레버 팁과 도전체막 사이에 인가하는 전압를 조절함으로써 도전체막 상에 전류 유도 전자화학 반응(current induced electrochemical reaction)에 의하여 정보, 즉 탄소 함유 물질(carbonaceous material)을 형성(write)하거나 또는 제거(erase)한다. 또한, 이 때 정보로서의 탄소 함유 물질의 크기를 인가 전압의 레벨 혹은 인가 시간으로 제어한다.
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公开(公告)号：KR101410930B1
公开(公告)日：2014-06-23
申请号：KR1020080005381
申请日：2008-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0525 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C23C16/403 , C23C16/45525 , H01L21/3141 , H01L51/0048
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 상의 금속 산화막 형성방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 제조방법에 관하여 개시된다. 개시된 탄소나노튜브 상의 금속 산화막 형성방법은, 탄소나노튜브 표면에 화학작용기를 형성하는 단계; 및 상기 화학작용기가 형성된 상기 탄소나노튜브 상에 금속 산화막을 형성하는 단계;를 구비한다.
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公开(公告)号：KR101281168B1
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：KR1020070001703
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J31/127 , H01J9/025 , H01J29/04
Abstract: 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 및 상기 기판 표면의 일부 이상을 덮는 도전층을 포함하고, 상기 탄소나노튜브의 외벽에 도전성 나노 입자가 부착된 전계 방출 전극에 관한 것이다. 또한, 상기 전계 방출 전극의 제조 방법 및 이를 구비한 전계 방출 소자에 관한 것이다.
탄소나노튜브, 전계 방출 소자-
65.发明授权
公开(公告)号：KR101022770B1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：KR1020100046021
申请日：2010-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이 구비된 커패시터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 ALD 장치에 반도체 기판을 로딩하는 제1 단계와, 반도체 기판 상에 제1 및 제2 반응요소가 소정의 조성비로 포함된 반응물을 증착시키는 제2 단계와, 상기 제1 및 제2 반응요소가 동시에 산화되도록 상기 반응물을 산화시켜 상기 반도체 기판 상에 상기 두 반응요소가 포함된 제1 고유전율 산화막을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법이 적용된 커패시터 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 산화막 형성에 사용되는 장치의 부피를 줄일 수 있고, 그 생산성은 증가시키면서 생산단가는 낮출 수 있다. 또한, 유전율이 높고, 누설전류 및 트랩 밀도가 낮은 고유전율 산화막을 얻을 수 있다. 이러한 산화막을 유전막으로 구비함으로써 커패시터의 누설전류 및 트랩 밀도가 낮아지게 된다.
Abstract translation: 一种形成高介电常数氧化膜的方法，具有通过该方法形成的介电膜的电容器及其制造方法。 所公开的发明是第二步骤，其是在ALD装置中的半导体衬底装载的第一步骤，在半导体衬底上沉积的反应产物在所述第一和第二反应元件包含预定组成比，其中，所述第一和第二 以及第三步骤，通过氧化反应物使得反应元素同时被氧化而在半导体衬底上形成包括两个反应元素的第一高介电常数氧化物膜， 还有一种制造电容器的方法。 利用本发明，可以减少用于形成氧化物膜的设备的体积，并且在提高生产率的同时降低生产成本。 另外，可以获得具有高介电常数和低漏电流和低陷阱密度的高介电常数氧化物膜。 通过提供这种氧化膜作为电介质膜，电容器的漏电流和陷阱密度降低。
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Patent Agency Ranking66.发明公开
公开(公告)号：KR1020100057772A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：KR1020100046021
申请日：2010-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A method for forming a high dielectric oxide layer, a capacitor with a dielectric layer made by the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve productivity using one ALD(Atomic Layer Deposition) device. CONSTITUTION: A capacitor of a semiconductor device comprises a bottom electrode(60a), an AHO((Alx,Hf1-x) Oy) layer(42), an anti-oxidation layer(44), an upper electrode(60b) and a dielectric layer. The AHO layer is laminated on the bottom electrode. The anti-oxidation layer is interposed between the bottom electrode and the AHO layer. The upper electrode is formed on the AHO layer. The dielectric layer is interposed between the upper electrode and the AHO layer. The dielectric layer has higher dielectric constant than that of the AHO layer.
Abstract translation: 目的：提供一种形成高电介质氧化物层的方法，具有由其制成的电介质层的电容器及其制造方法，以使用一种ALD（原子层沉积）器件提高生产率。 构成：半导体器件的电容器包括底电极（60a），AHO（（Alx，Hf1-x）Oy）层（42），抗氧化层（44），上电极（60b）和 电介质层。 AHO层层压在底部电极上。 抗氧化层介于底部电极和AHO层之间。 上电极形成在AHO层上。 电介质层介于上电极和AHO层之间。 电介质层的介电常数高于AHO层。
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公开(公告)号：KR1020080064612A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001703
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J31/127 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J1/304
Abstract: A field emission electrode, a method for fabricating the same, and a field emission device having the field emission device are provided to implement the long lifetime by using a carbon nano tube. A carbon nano tube(16) is formed on a substrate(11). A conductive layer(18b) covers parts of the substrate surface. A conductive nano particle(18a) is attached on an external wall of the carbon nano tube. The carbon nano tube is directly grown on an upper portion of the substrate. The carbon nano tube is formed through CVD(Chemical Vapor Deposition) using H2O plasma. The carbon nano tube is a single wall carbon nano tube. The conductive nano particle is attached to a defect of the external wall of the carbon nano tube. The conductive nano particle is one or more selected from a group consisting of a metal oxide and a metal. The conductive nano particle is one or more selected from a group consisting of ZnO, ZnO:Al, SnO2, In2O3, Zn2SnO4, MgIn2O4, ZnSnO3, GaInO3, Zn2In2O5, In4Sn3Ol2, Pt, Ru, Ir, and Al.
Abstract translation: 提供场发射电极，其制造方法和具有场发射器件的场发射器件，以通过使用碳纳米管实现长寿命。 在基板（11）上形成碳纳米管（16）。 导电层（18b）覆盖基板表面的部分。 导电纳米颗粒（18a）附着在碳纳米管的外壁上。 碳纳米管直接生长在基材的上部。 碳纳米管通过使用H 2 O等离子体的CVD（化学气相沉积）形成。 碳纳米管是单壁碳纳米管。 导电纳米颗粒附着在碳纳米管外壁的缺陷处。 导电性纳米粒子是选自金属氧化物和金属中的一种以上。 导电性纳米粒子是选自ZnO，ZnO：Al，SnO 2，In 2 O 3，Zn 2 SnO 4，MgIn 2 O 4，ZnSnO 3，GaInO 3，Zn 2 In 2 O 5，In 4 Sn 3 O 12，Pt，Ru，Ir和Al中的一种以上。
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公开(公告)号：KR1020070050657A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：KR1020050108126
申请日：2005-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/42348
Abstract: 본 발명은 나노 닷을 트랩 사이트로 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 기판, 상기 기판에 형성된 제 1불순물 영역 및 제 2불순물 영역과 접촉하며 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 반도체 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 구조체는 터널링층, 상기 터널링층 상에 형성된 복수개의 나노 닷 및 상기 터널링층 및 상기 나노 닷 상에 형성된 콘츄롤 절연층을 포함하며, 상기 콘츄롤 절연층은 고유전체층을 포함하는 나노 닷을 트랩 사이트로 이용한 메모리 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100707199B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050062931
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , Y10S977/845
Abstract: 비교적 낮은 온도범위에서 양질의 단일벽 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있는 탄소나노튜브의 저온성장 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 단일벽 탄소나노튜브의 저온성장 방법은 진공챔버를 준비하는 단계, 상기 진공챔버 내에 촉매금속이 증착된 기판을 준비하는 단계, H
2 O를 기상화하여 상기 진공챔버 내에 공급하는 단계, 상기 진공챔버 내에 H
2 O 플라즈마 방전을 발생시키는 단계 및 상기 진공챔버 내에 소스가스를 공급하여 상기 H
2 O 플라즈마 분위기에서 상기 기판 위에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다.Abstract translation: 生长单壁碳纳米管的方法。 该方法可以包括将氧化剂和蚀刻剂中的至少一种供应到真空室中，并将源气体供应到真空室中，以在氧化剂或蚀刻剂气氛中的基底上生长碳纳米管。 碳纳米管可以在H 2 O等离子体气氛中生长。 碳纳米管可以在低于500℃的温度下生长
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公开(公告)号：KR100668352B1
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020060001394
申请日：2006-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/749 , Y10S977/842 , Y10S977/843
Abstract: A method for manufacturing nitrogen doped single-walled carbon nanotubes is provided to reduce complexity of a manufacture process by performing a nitrogen doping process and a synthesis of carbon nanotubes, simultaneously. A catalyst metal layer(22) is formed on a substrate(20). The substrate on which the catalyst metal layer is formed is mounted in a reactive chamber(10). H2O plasma atmosphere is created in the reactive chamber. carbon precursor and nitrogen precursor are provided in the reactive chamber and then chemically reacted to each other, thereby growing nitrogen doped carbon nanotubes(30) on the catalyst metal layer. Upon growing of the nitrogen doped carbon nanotubes, temperature in the reactive chamber is maintained at 400 ‹C to 600 ‹C.
Abstract translation: 提供氮掺杂单壁碳纳米管的制造方法，通过同时进行氮掺杂工艺和碳纳米管的合成来降低制造工艺的复杂性。 催化剂金属层（22）形成在基板（20）上。 其上形成有催化剂金属层的基板安装在反应室（10）中。 在反应室中产生H 2 O等离子体气氛。 碳前驱物和氮前体提供在反应室中，然后彼此化学反应，从而在催化剂金属层上生长氮掺杂的碳纳米管（30）。 当氮掺杂碳纳米管生长时，反应室中的温度保持在400℃至600℃。
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