광 시리얼라이저, 광 디시리얼라이저, 및 이들을 포함하는 데이터 처리 시스템
    61.
    发明公开
    광 시리얼라이저, 광 디시리얼라이저, 및 이들을 포함하는 데이터 처리 시스템 无效
    光学串联器,光学DESERIALIZER和数据处理系统

    公开(公告)号:KR1020110097240A

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:KR1020100016981

    申请日:2010-02-25

    CPC classification number: H04B10/801 H04J14/08

    Abstract: 광 시리얼라이저가 개시된다. 상기 광 시리얼라이저는 복수의 변조되지 않은 광신호들의 소스(source); 상기 복수의 변조되지 않은 광신호들 각각과 복수의 전기 신호들 각각을 수신하고, 상기 복수의 변조되지 않은 광신호들을 변조하기 위하여 상기 복수의 전기 신호들을 사용하여 복수의 변조 광신호들 각각을 생성하기 위한 변조 유닛; 및 복수의 지연 변조 광신호들 각각을 생성하기 위하여 각각의 지연 량만큼 상기 복수의 변조 광신호들 각각을 지연시켜 시리얼라이즈된 변조 광신호를 생성하기 위하여 상기 복수의 지연 변조 광신호들을 결합하는 커플링 유닛을 포함한다.

    반도체 메모리 장치, 컨트롤러 및 반도체 메모리 시스템
    62.
    发明公开
    반도체 메모리 장치, 컨트롤러 및 반도체 메모리 시스템 有权
    半导体存储器件,控制器和半导体存储器系统

    公开(公告)号:KR1020110016664A

    公开(公告)日:2011-02-18

    申请号:KR1020090074280

    申请日:2009-08-12

    CPC classification number: G06F13/4243 G02B6/43

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device, a controller, and a semiconductor memory system thereof are provided to execute an interfacing between a memory and a memory controller by changing a voltage level according to the period of a signal. CONSTITUTION: A controller(100) comprises a control logic(120) and a transmission part(140). The control logic generates a control signal in order to control a memory device(200). The transmission part converts the control signal into an optical signal. A memory device comprises a memory(220) and a reception terminal(260). The memory executes a read-out or write operation in response to the control signal. The reception terminal converts the control signal into an electric signal.

    Abstract translation: 目的:提供半导体存储器件,控制器和半导体存储器系统,以通过根据信号的周期改变电压电平来执行存储器和存储器控制器之间的接口。 构成:控制器(100)包括控制逻辑(120)和传输部分(140)。 控制逻辑产生控制信号以便控制存储器件(200)。 发送部将控制信号转换为光信号。 存储器件包括存储器(220)和接收终端(260)。 存储器响应于控制信号执行读出或写入操作。 接收终端将控制信号转换为电信号。

    광차단막을 갖는 반도체 레이저 소자의 제조방법
    63.
    发明公开
    광차단막을 갖는 반도체 레이저 소자의 제조방법 无效
    具有轻质BLOCKIG层的半导体激光元件的制造方法

    公开(公告)号:KR1020080037848A

    公开(公告)日:2008-05-02

    申请号:KR1020060105042

    申请日:2006-10-27

    Abstract: A manufacturing method of a semiconductor laser element having a light-blocking film is provided to simplify a manufacturing process by laminating the light-blocking film and a protective film and removing a part of the light-blocking film and the protective layer without a specific masking. A manufacturing method of a semiconductor laser element having a light-blocking film comprises the following steps of: forming a light emitting structure by sequentially laminating material layers including a first clad layer, an active layer(130), and a second clad layer on a substrate(110); laminating the light-blocking film(200) and a protective film(300) sequentially on a light emitting surface(101) of the light emitting structure; removing the light-blocking film positioned on the first clad layer and on the upper parts of the first clad layer using a first etchant having the selective etching performance for the light-blocking film; and removing the protective film.

    Abstract translation: 提供具有遮光膜的半导体激光元件的制造方法,以通过层压遮光膜和保护膜来简化制造工艺,并且在没有特定掩蔽的情况下去除一部分遮光膜和保护层 。 具有遮光膜的半导体激光元件的制造方法包括以下步骤:通过在第一覆层,有源层(130)和第二覆层上依次层叠材料层,形成发光结构 衬底(110); 在所述发光结构的发光面(101)上依次层叠所述遮光膜(200)和保护膜(300) 使用具有对于遮光膜的选择性蚀刻性能的第一蚀刻剂去除位于第一覆盖层上的遮光膜和第一覆盖层的上部; 并去除保护膜。

    스펙클 저감 레이저와 이를 채용한 레이저 디스플레이 장치
    64.
    发明授权
    스펙클 저감 레이저와 이를 채용한 레이저 디스플레이 장치 有权
    带有减光激光和激光显示装置

    公开(公告)号:KR100803222B1

    公开(公告)日:2008-02-14

    申请号:KR1020070008585

    申请日:2007-01-26

    Abstract: A speckle reduction laser and a laser display device having the same are provided to suppress the speckle by changing a resonance mode of a resonator. A speckle reduction laser includes a semiconductor unit(130) and a vibrating mirror(110). The semiconductor unit includes an activation layer. The semiconductor unit resonates the light which is oscillated in the activation layer and emits the resonated laser beam into one side thereof. The vibrating mirror includes a mirror which is arranged to be apart from other side of the semiconductor unit. The laser is oscillated between one side of the semiconductor unit and the mirror. The resonance mode of the laser beam is changed according to a vibrating of the mirror. An anti-reflection member(120) is arranged at the other side of the semiconductor unit.

    Abstract translation: 提供一种减光激光器和具有该散斑激光器的激光显示装置,以通过改变谐振器的谐振模式来抑制斑点。 减光激光器包括半导体单元(130)和振动镜(110)。 半导体单元包括激活层。 半导体单元谐振在激活层中振荡的光并将共振激光束发射到其一侧。 振镜包括配置成与半导体单元的另一侧分开的反射镜。 激光器在半导体单元的一侧和反射镜之间振荡。 激光束的共振模式根据镜子的振动而改变。 防反射构件(120)布置在半导体单元的另一侧。

    리지 구조를 가지는 반도체 레이저 다이오드
    65.
    发明公开
    리지 구조를 가지는 반도체 레이저 다이오드 有权
    半导体激光二极管

    公开(公告)号:KR1020070084725A

    公开(公告)日:2007-08-27

    申请号:KR1020060016865

    申请日:2006-02-21

    CPC classification number: H01S5/22 B82Y20/00 H01S5/0425 H01S5/34333

    Abstract: A semiconductor laser diode having a ridge is provided to prevent local heating by controlling a current crowding effect. A semiconductor laser diode having a ridge includes a substrate(20), a first semiconductor layer(22), an active layer(24), a second semiconductor layer(26), and an electrode(29). The first semiconductor layer(22), the active layer(24), the second semiconductor layer(26), and the electrode(29) are sequentially formed on the substrate(20). The second semiconductor(26) has a ridge structure. The electrode(29) is formed to have less width than the ridge of the second semiconductor(26). A center of the width of the electrode(29) is not identical with that of the width of the ridge.

    Abstract translation: 提供具有脊的半导体激光二极管,以通过控制电流拥挤效果来防止局部加热。 具有脊的半导体激光二极管包括衬底(20),第一半导体层(22),有源层(24),第二半导体层(26)和电极(29)。 第一半导体层(22),有源层(24),第二半导体层(26)和电极(29)依次形成在基板(20)上。 第二半导体(26)具有脊结构。 电极(29)形成为具有比第二半导体(26)的脊宽小的宽度。 电极(29)的宽度的中心与脊的宽度的中心不同。

    반도체 레이저 디바이스
    66.
    发明公开
    반도체 레이저 디바이스 无效
    半导体激光器件

    公开(公告)号:KR1020050082251A

    公开(公告)日:2005-08-23

    申请号:KR1020040010661

    申请日:2004-02-18

    Abstract: 기판과, 활성층과, 활성층과 기판 사이에 위치된 제1클래드층과, 활성층 상에 위치된 제2클래드층과, 제2클래드층 상에 이 제2클래드층보다 굴절율이 작은 금속 물질로 형성된 금속 도파층을 포함하는 제1전극층을 포함하며, 제1전극층이 도파 효과를 나타내도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 디바이스가 개시되어 있다.
    개시된 반도체 레이저 디바이스는, 전극층이 도파로 효과를 나타내도록 구성되므로, 광 가둠 계수를 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 클래드층의 두께를 종래에 비해 줄이면서도 광 가둠 계수를 증가시킬 수 있다. 이러한 광 가둠 계수 증가로부터 발진 전류 및 동작 전류 감소와 이로 인한 수명 증가를 얻을 수 있고, 최대 출력 역시 증가하게 된다.

    수직 공동 면 발광 레이저 다이오드를 이용한 광원과 광검출기 조합체

    公开(公告)号:KR1019960012583A

    公开(公告)日:1996-04-20

    申请号:KR1019940024005

    申请日:1994-09-23

    Abstract: 수직 공동 면 발광 레이저(vertical cavity surface emitting laser:이하 VCSEL)를 이용한 광원과 광검출기 조합체가 개시되어 있다.
    VCSEL 다이오드를 이용한 광원(22)의 출력 광량을 조절하기 위하여 이 광량의 일부를 수광하거나 이 출력광량과 비례하는 광량을 수광하여 전기신호로 변환한후 광원의 출력 제어용 전기 신호로 이용한다. 상기 VCSEL 다이오드 광원(22)의 측면으로 방향성이 없이 발산하는 자발광을 이용하여 모니터용 광량을 검출한다. 그 수단으로 상기 광원(22)의 둘레에 소정 간격 이격되게 모니터용 광검출기(24)를 마련하였다. 상기 광원(22)과 마주보는 면은 상기 자발광을 흡수하도록 원형으로 되어 있고, 그 외부면은 복수개의 모서리를 가지는 다각형으로 되어 있다. 그러므로, 이 광검출기(24)에 흡수된 자발광이 외부면을 통과하지 않고 내부로 전반사되어 흡수된 자발광의 광검출기 내의 경로가 늘어나게 되어 전기적 신호로 변환되는 광량이 증가된다.

    소형 광 변조기 및 이를 포함하는 광 송신기
    69.
    发明授权
    소형 광 변조기 및 이를 포함하는 광 송신기 有权
    小型光学调制器和包括其的光学发射器

    公开(公告)号:KR101845514B1

    公开(公告)日:2018-04-04

    申请号:KR1020100130323

    申请日:2010-12-17

    CPC classification number: G02B6/305 G02B6/30 G02F1/225 G02F2201/307

    Abstract: 소형광 변조기및 이를포함하는광 송신기가개시된다. 본발명에따른광 변조기는변조되지않은입력광 신호를수신하여제1 광신호와제2 광신호로나누어광 도파로의제1 및제2 경로로각각전송하는광 입출력부, 상기제1 및제2 경로중 적어도하나에위치하여, 전기신호에따라상기제1 경로로전송되는제1 광신호및 상기제2 경로로전송되는제2 광신호중 적어도하나의위상을변조하여위상변조신호를출력하는위상천이기, 및상기제1 경로로전송된신호및 상기제2 경로로전송된신호를각각동일한경로로반사시키는반사형그레이팅커플러를포함하여, 안정성확보및 소형화가가능한효과가있다.

    Abstract translation: 公开了一种小型光学调制器和包括其的光学发射器。 根据本发明的光调制器接收未调制的第一光信号和所述第二第一光输出单元,以分别发送到光波导路径插入光学弧,第一mitje第二路径中的至少一个的所述第二路径中的一个mitje输入光信号 并且通过根据电信号调制传输到第一路径的第一光信号和传输到第二路径的第二光信号的至少一个相位来输出调相信号, 还有一种反射型光栅耦合器,它将传输到第一路径的信号和传输到第二路径的信号反射到同一路径,从而实现稳定性和小型化。

    광 집적 회로를 포함하는 광 송신 장치
    70.
    发明公开
    광 집적 회로를 포함하는 광 송신 장치 审中-实审
    一种包括光集成电路的光传输设备

    公开(公告)号:KR1020170142697A

    公开(公告)日:2017-12-28

    申请号:KR1020160076611

    申请日:2016-06-20

    CPC classification number: H04B10/572 G02B6/4286 G02B6/43 H04B10/801 H04J14/02

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른광 송신장치는서로상이한파장영역대들에형성되는복수의광 송신신호들을각각출력하는복수의광 집적회로들(photonic integrated circuit); 및상기복수의광 집적회로들로부터출력된각각의상기광 송신신호들을결합하여파장다중화된광 신호를출력하는출력부를포함하고, 상기복수의광 집적회로들중 적어도하나의제1 광집적회로는, 서로다른파장의광들을발생시키는복수의제1 발광부들; 상기복수의제1 발광부들에각각전원을공급하는복수의제1 드라이버들; 및상기제1 발광부들로부터발생된상기광들을하나의포트로전달하는파장분할다중화기(wavelength division multiplexer)를포함하며, 복수의제1 발광부들로부터발생되는상기광들의파장은상기제1 광집적회로에서출력되는상기광 송신신호의상기파장영역대의범위내에서형성될수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个方面,提供了一种光传输设备,包括:多个光子集成电路,每个光子集成电路输出形成在不同波长区域带中的多个光传输信号; 以及输出单元,用于通过组合从所述多个光学集成电路输出的每个光学传输信号来输出波长多路复用光学信号,其中所述多个光学集成电路中的至少一个第一光学集成电路 多个第一发光部分,用于发射不同波长的光; 多个第一驱动器,每个第一驱动器用于向多个第一发光部分供电; 以及波分复用器,用于将从第一发光单元产生的光传输到一个端口,其中从多个第一发光单元产生的光的波长不同于第一光集成的波长 并且可以在从电路输出的光传输信号的波长范围内形成。

Patent Agency Ranking