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公开(公告)号：KR1020130040455A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020110105237
申请日：2011-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/18 , G02B6/30 , G02B6/12 , H01L31/0232 , H01L31/103 , G02B6/132 , G02B6/136
CPC classification number: H01L31/02327 , G02B6/12004 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/30 , G02B6/305 , H01L31/103 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A photodetector structure is provided to reduce manufacturing costs by forming a germanium single crystal in a bulk silicon substrate. CONSTITUTION: A first silicon layer(410) is made by filling a trench with a cladding material. The refractive index of the cladding material is smaller than that of silicon. A second silicon layer(430) is formed in the first silicon layer and the upper part of the cladding material. An oxide layer(420) is used as a lower cladding of an optical wave guide. A germanium layer(440) is grown by using the seed of a bulk silicon wafer to form a single crystal.
Abstract translation: 目的：提供光电探测器结构，通过在体硅衬底中形成锗单晶来降低制造成本。 构成：通过用包层材料填充沟槽来制造第一硅层（410）。 包层材料的折射率小于硅的折射率。 在第一硅层和包层材料的上部形成第二硅层（430）。 氧化物层（420）用作光波导的下包层。 通过使用体硅晶片的种子来生长锗层（440）以形成单晶。
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公开(公告)号：KR101750742B1
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020110105237
申请日：2011-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/18 , G02B6/30 , G02B6/12 , H01L31/0232 , H01L31/103 , G02B6/132 , G02B6/136
CPC classification number: H01L31/02327 , G02B6/12004 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/30 , G02B6/305 , H01L31/103 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 본발명에따른광검출기구조체는내부에트렌치가형성되고상기트렌치내부에클래딩물질을채운제1 실리콘층; 상기제1 실리콘층및 상기클래딩물질의상부에형성된제2 실리콘층; 및상기제2 실리콘층의일측면이식각되어상기제2 실리콘층의측면에접속되고상기제1 실리콘층의상부에직접적으로접속하여단결정성장된게르마늄층을포함한다.
Abstract translation: 形成在其中填充有沟槽的内部包层材料的沟槽根据本发明的第一硅层的光学检测器结构; 在第一硅层和包层材料上形成的第二硅层; 并且具有单晶的锗层生长在第二硅层的一侧上并连接到第二硅层的一侧并直接连接到第一硅层的顶部。
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公开(公告)号：KR1020130137448A
公开(公告)日：2013-12-17
申请号：KR1020120061077
申请日：2012-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/4207 , G02B6/4214 , G02B6/428 , G02B6/43 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311
Abstract: The technical background of the present invention relates to a semiconductor package and a semiconductor device including the same. The semiconductor package includes a package substrate; multiple connection devices on the package substrate; a semiconductor chip including at least one optical I/O device, which transmits and receives optical signals in a direction skewed from the vertical direction of the lower surface of the package substrate by an optical I/O angle, and electrically connected to the package substrate through the multiple connection device.
Abstract translation: 本发明的技术背景涉及半导体封装和包括该半导体封装的半导体器件。 半导体封装包括封装衬底; 封装衬底上的多个连接器件; 包括至少一个光学I / O装置的半导体芯片，其以从光学I / O角度的从封装基板的下表面的垂直方向倾斜的方向发送和接收光信号，并且电连接到封装基板 通过多重连接设备。
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公开(公告)号：KR1020120089895A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020100130323
申请日：2010-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B10/548 , H04B10/532 , H04B10/50 , G02B6/30 , G02F1/225
CPC classification number: G02B6/305 , G02B6/30 , G02F1/225 , G02F2201/307 , H04B10/548 , H04B10/505 , H04B10/532
Abstract: PURPOSE: An optical modulator with reduced size and an optical transmitter having the same are provided to implement miniaturization by removing the use of a passive component and to implement a magh zender type modulator. CONSTITUTION: An optical input unit divides an input optical signal into a first optical signal and a second optical signal. A phase shifter(130) is located in a first path or a second path. The phase shifter modulates the first optical signal or the second optical signal. An optical output unit generates an output optical signal by combination of signals.
Abstract translation: 目的：提供具有减小尺寸的光调制器和具有该光调制器的光发射机，以通过去除无源元件的使用并实现一种电荷调制器来实现小型化。 构成：光输入单元将输入光信号分为第一光信号和第二光信号。 移相器（130）位于第一路径或第二路径中。 移相器调制第一光信号或第二光信号。 光输出单元通过信号的组合生成输出光信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120029652A
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020100091583
申请日：2010-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/01708 , G02F1/0054 , G02F1/01 , G02F1/011 , G02F1/015 , G02F1/01725 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2202/10 , G02B6/1221 , G02B6/1347
Abstract: PURPOSE: An optoelectronic device, a manufacturing method thereof and a light modulator including the same are provided to simplify manufacturing process by forming an optical guide core region and a plurality of slabs at the same. CONSTITUTION: A p-doped region(122) and an n-doped region(124) are formed within a semiconductor substrate. An optical guide core region is formed between the p-doped region and the n-doped region. A plurality of first slabs(114) is formed between the optical guide core region and the p-doped region. A plurality of second slabs(118) is formed between the optical guide core region and the n-doped region. The thickness of the plurality of second slabs is same with the thickness of the optical guide core region.
Abstract translation: 目的：提供一种光电子器件及其制造方法和包括该光电子器件的光调制器，以通过形成光导芯区域和多个板坯来简化制造工艺。 构成：在半导体衬底内形成p掺杂区（122）和n掺杂区（124）。 在p掺杂区域和n掺杂区域之间形成光导纤芯区域。 在光导纤芯区域和p掺杂区域之间形成多个第一板坯（114）。 在光导纤芯区域和n掺杂区域之间形成多个第二板坯（118）。 多个第二板的厚度与导光芯区域的厚度相同。
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公开(公告)号：KR101845514B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020100130323
申请日：2010-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B10/548 , H04B10/532 , H04B10/50 , G02B6/30 , G02F1/225
CPC classification number: G02B6/305 , G02B6/30 , G02F1/225 , G02F2201/307
Abstract: 소형광 변조기및 이를포함하는광 송신기가개시된다. 본발명에따른광 변조기는변조되지않은입력광 신호를수신하여제1 광신호와제2 광신호로나누어광 도파로의제1 및제2 경로로각각전송하는광 입출력부, 상기제1 및제2 경로중 적어도하나에위치하여, 전기신호에따라상기제1 경로로전송되는제1 광신호및 상기제2 경로로전송되는제2 광신호중 적어도하나의위상을변조하여위상변조신호를출력하는위상천이기, 및상기제1 경로로전송된신호및 상기제2 경로로전송된신호를각각동일한경로로반사시키는반사형그레이팅커플러를포함하여, 안정성확보및 소형화가가능한효과가있다.
Abstract translation: 公开了一种小型光学调制器和包括其的光学发射器。 根据本发明的光调制器接收未调制的第一光信号和所述第二第一光输出单元，以分别发送到光波导路径插入光学弧，第一mitje第二路径中的至少一个的所述第二路径中的一个mitje输入光信号 并且通过根据电信号调制传输到第一路径的第一光信号和传输到第二路径的第二光信号的至少一个相位来输出调相信号， 还有一种反射型光栅耦合器，它将传输到第一路径的信号和传输到第二路径的信号反射到同一路径，从而实现稳定性和小型化。
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公开(公告)号：KR101758141B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100091583
申请日：2010-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/01708 , G02F1/0054 , G02F1/01 , G02F1/011 , G02F1/015 , G02F1/01725 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2202/10
Abstract: 광전자장치가개시된다. 상기광전자장치는반도체기판내에형성된 p-도핑영역과 n-도핑영역; 상기 p-도핑영역과상기 n-도핑영역사이에형성된광 도파로코어영역; 상기광 도파로코어영역과상기 p-도핑영역사이에형성되고, 각각이제1거리로이격되어형성되며상기광 도파로코어영역의상기두께와동일한두께는갖는복수의제1슬랩들; 및상기광 도파로코어영역과상기 n-도핑영역사이에형성되고, 각각이제2거리로이격되어형성되며상기광 도파로코어영역의상기두께와동일한두께는갖는복수의제2슬랩들을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150084362A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004302
申请日：2014-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14616
Abstract: 단위픽셀은센싱트랜지스터, 포토다이오드및 리셋드레인영역을포함한다. 센싱트랜지스터는반도체기판내에형성된기준활성영역과출력활성영역및 게이트전압에응답하여기준활성영역과출력활성영역을전기적으로연결하도록기준활성영역과출력활성영역사이의반도체기판위에형성된게이트를포함한다. 포토다이오드는게이트하부의반도체기판내에형성된다. 리셋드레인영역은게이트에의해게이트전압에응답하여포토다이오드와전기적으로연결되도록반도체기판내에형성된다. 단위픽셀은단위픽셀에포함되는트랜지스터의개수를줄여이미지센서의해상도를높이면서이미지센서를소형화시킬수 있다.
Abstract translation: 单位像素包括感测晶体管，光电二极管和复位漏极区域。 感测晶体管包括：参考有源区和形成在半导体衬底中的输出有源区; 以及形成在所述参考有源区域和所述输出有源区域之间的所述半导体衬底上的栅极，以响应于栅极电压来电连接所述参考有源区域和所述输出有源区域。 光电二极管形成在栅极的下部的半导体衬底中。 复位漏极区域形成在半导体衬底中，以响应栅极的栅极电压而与光电二极管电连接。 单位像素通过减少单位像素中包括的晶体管的数量来提高图像传感器的分辨率，并且可以使图像传感器小型化。
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