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公开(公告)号：WO2013024910A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/005991
申请日：2011-08-16
IPC: H05B37/02
CPC classification number: F21K9/56 , F21V23/0442 , H05B33/0857
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 LED 장치는, 적어도 하나의 제1 백색 LED를 구비하고 제1 색온도의 백색광을 방출하는 제1 LED 광원부; 적어도 하나의 제2 백색 LED를 구비하고 상기 제1 색온도와 다른 제2 색온도의 백색광을 방출하는 제2 LED 광원부; 및 상기 제1 LED 광원부와 제2 LED 광원부 중 적어도 하나에 연결되어 상기 제1 LED 광원부와 제2 LED 광원부 중 적어도 하나에 공급되는 전류를 조절하는 가변저항을 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，LED器件包括：第一光源单元，设置有至少一个第一白色LED并发射具有第一光温的白光; 第二光源单元，设置有至少一个第二白色LED并发射具有不同于第一色温的第二色温的白光; 以及可变电阻器，连接到第一和第二光源单元中的至少一个，并且调节提供给第一和第二光源单元中的至少一个的电流。
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公开(公告)号：WO2013024911A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/005992
申请日：2011-08-16
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 LED 장치는, 특정 파장 영역의 빛을 방출하는 LED 칩; 상기 LED 칩의 발광면을 덮도록 형성된 투명 수지층; 및 상기 투명 수지층에 의해 상기 LED 칩과는 이격되어 상기 투명 수지층을 덮도록 형성되며, 상기 LED 칩으로부터 방출되는 빛을 다른 파장 영역의 빛으로 변환하는 적어도 1종의 형광체를 함유한 색변환층을 포함하고, 상기 색변환층에 함유된 형광체의 입자들의 평균 자유 거리(Mean Free Path)가 5500 K의 온도에서 0.8 mm 이상이다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，LED器件包括：发射预定波长区域的光的LED芯片; 形成为覆盖所述LED芯片的发光面的透明树脂层; 以及颜色转换层，其通过所述透明树脂层与所述LED芯片间隔开并且覆盖所述透明树脂层，并且具有将从所述LED芯片发射的光转换成另一波长区域的光的至少一种荧光体， 其中包括在颜色转换层中的荧光体中的颗粒的平均自由程在5500K的温度下为0.8mm以上。
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公开(公告)号：KR1020110102061A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021503
申请日：2010-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0041 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 LED 소자는, 기판; 상기 기판 상에서 스트라이프 패턴으로 형성되며, 상기 스트라이프 패턴의 길이 방향에 수직으로 자른 단면이 나노로드 형상이고, 상기 나노로드 형상의 단면에서 코어부를 이루는 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층을 순차적으로 덮어 쉘부를 이루는 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 하나 이상의 질화물 반도체 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 측면에 형성되며, 상기 발광 구조물의 방출광을 제1 파장으로 변환하는 제1 파장변환부; 및 상기 발광 구조물의 상면에 형성되며, 상기 발광 구조물의 방출광을 상기 제1 파장과 다른 제2 파장으로 변환하는 제2 파장변환부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101625911B1
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020100021505
申请日：2010-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의일 측면에따른 LED 장치는, 특정파장영역의빛을방출하는 LED 칩; 상기 LED 칩의발광면을덮도록형성된투명수지층; 및상기투명수지층에의해상기 LED 칩과는이격되어상기투명수지층을덮도록형성되며, 상기 LED 칩으로부터방출되는빛을다른파장영역의빛으로변환하는적어도 1종의형광체를함유한색변환층을포함하고, 상기색변환층에함유된형광체의입자들의평균자유거리(Mean Free Path)가 5500 K의온도에서 0.8 mm 이상이다.
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公开(公告)号：KR101274206B1
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020060016865
申请日：2006-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/34333
Abstract: 기판상에순차적으로형성된제1반도체층, 활성층, 제2반도체층및 전극을포함하는반도체레이저다이오드가개시되어있다. 개시된반도체레이저다이오드에서, 제2반도체층은리지구조를가지며, 전극은제2반도체층의리지구조상에리지의폭보다작은폭을가지도록형성된다.
Abstract translation: 提供一种半导体激光二极管，其包括基板，以及顺序地形成在基板上的第一半导体层，有源层，第二半导体层和电极。 在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，电极形成在第二半导体层的脊上，宽度小于脊的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110129272A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：KR1020100048817
申请日：2010-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device manufacturing method is provided to apply a plurality of light emitting diodes as a fluorescent material layer by integration in a wafer level state, thereby providing equivalent optical properties. CONSTITUTION: A light emitting laminate material(10) is arranged by growing a plurality of semiconductor layers on a wafer. A first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer(13) are successively arranged on a wafer and included in the light emitting laminate material. The surface of the light emitting laminate material includes a patterned electrode pad(14) for an electrical contact. A resin drop including a fluorescent material is applied as a minute drop shape on the surface of the light emitting laminate material. A fluorescent layer is arranged on the surface of the light emitting laminate material by curing the resin drop including the fluorescent material. The light emitting laminate material is diced and partitioned to a discrete semiconductor light emitting device.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件制造方法，其通过集成在晶片级状态来施加多个发光二极管作为荧光材料层，从而提供等效的光学性质。 构成：通过在晶片上生长多个半导体层来布置发光层压材料（10）。 依次将第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层（13）布置在晶片上并包含在发光层压材料中。 发光层压材料的表面包括用于电接触的图案化电极焊盘（14）。 将包含荧光材料的树脂滴作为微滴形状施加在发光层压材料的表面上。 通过固化包括荧光材料的树脂液滴，在发光层压材料的表面上布置荧光层。 发光层压材料被切割并分隔成分立的半导体发光器件。
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公开(公告)号：KR1020110102063A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021505
申请日：2010-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/483 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/60
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 LED 장치는, 특정 파장 영역의 빛을 방출하는 LED 칩; 상기 LED 칩의 발광면을 덮도록 형성된 투명 수지층; 및 상기 투명 수지층에 의해 상기 LED 칩과는 이격되어 상기 투명 수지층을 덮도록 형성되며, 상기 LED 칩으로부터 방출되는 빛을 다른 파장 영역의 빛으로 변환하는 적어도 1종의 형광체를 함유한 색변환층을 포함하고, 상기 색변환층에 함유된 형광체의 입자들의 평균 자유 거리(Mean Free Path)가 5500 K의 온도에서 0.8 mm 이상이다.
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公开(公告)号：KR1020110102062A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021504
申请日：2010-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/62 , G05F1/10 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L33/56
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 LED 장치는, 적어도 하나의 제1 백색 LED를 구비하고 제1 색온도의 백색광을 방출하는 제1 LED 광원부; 적어도 하나의 제2 백색 LED를 구비하고 상기 제1 색온도와 다른 제2 색온도의 백색광을 방출하는 제2 LED 광원부; 및 상기 제1 LED 광원부와 제2 LED 광원부 중 적어도 하나에 연결되어 상기 제1 LED 광원부와 제2 LED 광원부 중 적어도 하나에 공급되는 전류를 조절하는 가변저항을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020070084725A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020060016865
申请日：2006-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/34333
Abstract: A semiconductor laser diode having a ridge is provided to prevent local heating by controlling a current crowding effect. A semiconductor laser diode having a ridge includes a substrate(20), a first semiconductor layer(22), an active layer(24), a second semiconductor layer(26), and an electrode(29). The first semiconductor layer(22), the active layer(24), the second semiconductor layer(26), and the electrode(29) are sequentially formed on the substrate(20). The second semiconductor(26) has a ridge structure. The electrode(29) is formed to have less width than the ridge of the second semiconductor(26). A center of the width of the electrode(29) is not identical with that of the width of the ridge.
Abstract translation: 提供具有脊的半导体激光二极管，以通过控制电流拥挤效果来防止局部加热。 具有脊的半导体激光二极管包括衬底（20），第一半导体层（22），有源层（24），第二半导体层（26）和电极（29）。 第一半导体层（22），有源层（24），第二半导体层（26）和电极（29）依次形成在基板（20）上。 第二半导体（26）具有脊结构。 电极（29）形成为具有比第二半导体（26）的脊宽小的宽度。 电极（29）的宽度的中心与脊的宽度的中心不同。
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公开(公告)号：KR1020050082251A
公开(公告)日：2005-08-23
申请号：KR1020040010661
申请日：2004-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 기판과, 활성층과, 활성층과 기판 사이에 위치된 제1클래드층과, 활성층 상에 위치된 제2클래드층과, 제2클래드층 상에 이 제2클래드층보다 굴절율이 작은 금속 물질로 형성된 금속 도파층을 포함하는 제1전극층을 포함하며, 제1전극층이 도파 효과를 나타내도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 디바이스가 개시되어 있다.
개시된 반도체 레이저 디바이스는, 전극층이 도파로 효과를 나타내도록 구성되므로, 광 가둠 계수를 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 클래드층의 두께를 종래에 비해 줄이면서도 광 가둠 계수를 증가시킬 수 있다. 이러한 광 가둠 계수 증가로부터 발진 전류 및 동작 전류 감소와 이로 인한 수명 증가를 얻을 수 있고, 최대 출력 역시 증가하게 된다.
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