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公开(公告)号：KR101923531B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020110141130
申请日：2011-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/58
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L2924/0002 , Y10T156/1744 , Y10T156/1746 , Y10T156/1761 , Y10T156/1776 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체칩 본딩장치를개시한다. 반도체칩 본딩장치는기판들을이송하는이송레일들, 각각의이송레일들로기판들을로딩하는로딩부재들, 각각의이송레일들로부터기판들을언로딩하는언로딩부재들, 제 1 반도체칩들을포함하는제 1 웨이퍼를공급하는제 1 웨이퍼공급유닛및 제 1 반도체칩들을기판들에접착하는본딩유닛을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101818441B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020110065195
申请日：2011-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F7/58
CPC classification number: G06F7/584 , G06F2207/583
Abstract: 데이터처리장치는다수의쉬프트레지스터들을포함하는의사난수발생기와, 상기다수의쉬프트레지스터들중에서마지막쉬프트레지스터를제외한나머지쉬프트레지스터들중에서어느하나로부터출력되는의사난수시퀀스를이용하여제1데이터를제2데이터로랜더마이즈하거나또는랜더마이즈된제3데이터를제4데이터로디랜더마이즈하는변환회로를포함한다. 상기의사난수발생기는상기제2데이터를저장하기위한또는상기제3데이터를저장하는메모리를액세스하기위해필요한파라미터를이용하여상기의사난수발생기의피드백다항식을결정하는피드백다항식결정기를포함한다.
Abstract translation: 使用伪随机数序列是从伪随机数发生器，包括多个移位寄存器值的数据处理中的任一个输出，并且其它的移位寄存器，除了中的最后一个移位寄存器的第一数据，所述多个移位寄存器的第二数据 以及转换电路，用于将经受光栅化的第三数据渲染为第四数据。 伪随机数生成器可以包括一个判决反馈多项式用于通过使用被访问以存储存储器或用于存储所述第二数据的第三数据所需的参数确定所述伪随机数发生器的反馈多项式。
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公开(公告)号：KR101798992B1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：KR1020110002308
申请日：2011-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N9/04
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3745
Abstract: 데이터리드아웃속도를증가시킬수 있는감지증폭기가개시된다. 상기감지증폭기는데이터라인쌍과, 상기데이터라인쌍 사이에접속된네거티브커패시턴스회로와, 상기네거티브커패시턴스회로로바이어스전류를공급하기위한전류바이어스회로와, 상기데이터라인쌍으로바이어스전압을공급하기위한전압바이어스회로와, 상기데이터라인쌍 사이에접속된비교기를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170139496A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：KR1020177021720
申请日：2015-03-02
IPC: G01R1/07 , G01R1/24 , G01R31/265 , G01R31/27
CPC classification number: G01R1/07 , G01R23/00 , G01R31/26 , G01R1/071 , G01R1/24 , G01R31/2656 , G01R31/275
Abstract: 다중접합반도체의결함검사장치에있어서, 광원, 슬릿안테나프로브, 평행광조사부, 광집속부, 광분배부, 제1 광검출부, 제2 광검출부, 영상신호생성부및 영상신호분석부를포함하며, 슬릿안테나프로브는, 광원으로부터발생된테라헤르츠광을가이딩하는가이딩부; 및가이딩부와슬릿안테나프로브의외부공간사이를관통하는슬릿을포함하고, 슬릿에는, 가이딩부를지나슬릿을통과하는테라헤르츠광의반사정도를감소시키기위한반사감소구조가형성된것을특징으로하는본 발명의일 실시예에따른다중접합반도체의결함검사장치가개시된다.
Abstract translation: 在多结半导体的缺陷检查装置，包括：一光源，狭缝天线探针，平行于照射，光的一部分聚焦，分光分布，第一光检测器，第二光电检测器，图像信号生成单元和所述图像信号分析单元，所述狭缝 天线探测器包括：引导单元，用于引导从光源产生的太赫兹光; 并且，本发明其特征在于，减反射结构形成，以减少太赫兹光反射电平，其包括一个狭缝通过该待定部分的外部空间和狭缝天线探针穿透，并且缝槽，通过狭缝传递过去的引导 公开了一种用于半导体结的缺陷检测装置。
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公开(公告)号：KR1020170127107A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020160057168
申请日：2016-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/06 , G06F13/16 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/0657 , G11C5/04 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/30 , G11C29/021 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311
Abstract: 본발명의실시예에따른데이터저장장치는멀티스택칩 패키지및 컨트롤러를포함한다. 멀티스택칩 패키지는패키지기판상에배치되는제 1 반도체칩, 제 1 반도체칩 상에배치되는제 2 반도체칩, 그리고제 1 반도체칩과제 2 반도체칩 사이에배치되는제 3 반도체칩을포함한다. 컨트롤러는각각의반도체칩으로부터측정된특성파라미터의값과메모리벤더가의도했던타깃값의차이를이용하여각각의반도체칩을제어할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的数据存储设备包括多堆叠芯片封装和控制器。 多堆叠芯片封装包括设置在封装衬底上的第一半导体芯片，设置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片以及设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第三半导体芯片。 控制器可以使用从每个半导体芯片测量的特征参数的值与存储器供应商期望的目标值之间的差来控制每个半导体芯片。
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公开(公告)号：KR1020170024429A
公开(公告)日：2017-03-07
申请号：KR1020150119697
申请日：2015-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C16/10 , G11C16/20 , G11C16/26 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/52 , G11C2029/0407 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2029/5004
Abstract: 비휘발성메모리장치의동작방법에서는기판위에수직하게형성되는, 메모리셀 어레이의복수의메모리블록들중 제1 메모리블록의복수의페이지들에대하여순차적으로프로그램루프를수행하고, 상기복수의페이지들중 선택된제1 페이지에대하여독출동작을수행하기전에상기메모리블록들중 적어도일부에대하여주기적인더미펄스를적어도한번인가한다. 따라서독출동작시에러비트가증가하는것을방지하여비휘발성메모리장치의성능을높일수 있다.
Abstract translation: 在操作非易失性存储器件的方法中，对存储单元阵列的多个存储块的第一存储块的多页进行编程。 在编程之后，在对多个页面之一执行读取操作之前，将至少一些多个存储器块中的虚拟脉冲施加至少一次。
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