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公开(公告)号：KR1020130127855A
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120051674
申请日：2012-05-15
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/10 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H01L2924/1531 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: The present invention relates to a molding package and a manufacturing method thereof and particularly to the molding package capable of preventing the movement of a chip in molding and the manufacturing method thereof. The price of a package is reduced by manufacturing the molding package without a tuposuser. To obtain a small and thin package, a plating process and a via process for connecting a chip to a substrate instead of connecting the chip and the substrate after the molding in an existing chip embedded type molding package are omitted and A molding is carried out after the chip and the substrate is connected to a metal in advance. Therefore, bad contact due to the movement of the chip is reduced. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S310) Step of producing a molding die;(S320) Step of producing a molding carrier;(S330) Step of separating the molding die form the molding carrier;(S340) Step of inserting a chip;(S350) Step of forming patterns
Abstract translation: 本发明涉及一种成型包装及其制造方法，特别涉及能够防止成型时的片材的移动的成型包装及其制造方法。 通过在没有tuposuser的情况下制造成型包装来减少包装的价格。 为了获得小而薄的封装，省略了在现有的芯片嵌入式模制包装中，在模制之后，将芯片连接到基板而不是将芯片和基板连接在一起的电镀工艺和通孔工艺，并且在 芯片和基板预先连接到金属。 因此，由于芯片的移动导致的不良接触减少。 （A3）起始;（BB）端部;（S310）成形模具的制造工序;（S320）制造成型载体的工序;（S330）将成型模具分离成模塑载体的工序;（S340 ）插入芯片的步骤;（S350）形成图案的步骤
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公开(公告)号：KR101192367B1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020110031700
申请日：2011-04-06
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명에서는 외부로부터 제공되는 DC 전원은 증폭기와 같은 능동 회로에 제공하고, 증폭하고자 하는 주파수 신호에서 DC 전원과 상기 능동 회로 간의 연결을 오픈(open)시키는 RF 초크에 관한 것으로서, 인덕터 소자의 설계를 배제한 기판에 인쇄된 형태의 RF 초크용 대역 저지 필터가 제안된다.
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公开(公告)号：KR1020120040591A
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR1020100102093
申请日：2010-10-19
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/24 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided to produce a 3D semiconductor package by laminating a semiconductor package by using a TOV(Through Organic Via) process. CONSTITUTION: A silicon substrate(100) has a plurality of holes. An insulating layer(104) is formed by filling a plurality of holes with an organic material. A passive device is formed on the organic material. The organic material is corresponded to one or more holes of the plurality of holes. A metal layer is formed by filling metal before the organic material is filled in the plurality of holes.
Abstract translation: 目的：提供半导体封装及其制造方法，以通过使用TOV（Through Organic Via）工艺层叠半导体封装来制造3D半导体封装。 构成：硅衬底（100）具有多个孔。 通过用有机材料填充多个孔来形成绝缘层（104）。 在有机材料上形成无源器件。 有机材料对应于多个孔中的一个或多个孔。 在有机材料填充在多个孔中之前，通过填充金属形成金属层。
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公开(公告)号：KR101138940B1
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：KR1020100100375
申请日：2010-10-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A power source circuit is provided to remove a chip capacitor and a chip inductor corresponding to existing chip components using a noise removing filter of printed pattern type. CONSTITUTION: A printed circuit board comprises a plurality of layers. A filter is printed on the printed circuit board. The filter comprises a first line pattern which transmits power to a power input terminal of the integrated circuit mounted in the printed circuit board. The filter comprises a second line pattern having a shunt stub function connected to the first line pattern through a via-hole. The second line pattern feeds back noise signals created by the operation of a circuit device within the integrated circuit through the power input terminal to a voltage supply source.
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公开(公告)号：KR101094533B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020090133258
申请日：2009-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/207
Abstract: 본 발명은 표면 집적형 도파관(SIW:surface integated waveguide) 필터를 포함하는 전기소자에 관한 것으로, 상기 전기소자는 기판; 상기 기판 내부층에 삽입되는 SIW 필터; 일측단이 상기 기판의 표면층에 형성되고 타측단은 상기 SIW 필터가 형성된 상기 기판의 내부층에 형성되어 있는 비아; 상기 기판의 내부층에 형성된 비아의 타측단으로부터 상기 SIW 필터까지 연결되어 상기 비아에 의해 야기되는 인덕턴스 성분의 왜곡을 보정하기 위한 보정회로를 포함하는 것을 구성적 특징으로 한다.
SIW, 필터, 비아, 보정 회로, 도파관-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101067670B1
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020090055454
申请日：2009-06-22
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 저지대역 특성을 개선시킬 수 있는 저역 통과 필터를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 제1 및 제2 단 사이에 직렬접속된 제1 및 제2 인덕터와, 상기 제1 및 제2 인덕터와 각각 병렬접속된 제1 및 제2 캐패시터와, 상기 제1 단과 접지단 사이, 상기 제1 및 제2 인덕터 사이의 접속점과 상기 접지단 사이, 또는 상기 제2 단과 상기 접지단 사이 중 적어도 어느 한 곳에 형성된 기생 캐패시터를 포함하는 저역 통과 필터를 제공한다.
저역 통과 필터, LPF, 인덕터, 캐패시터, 기생 캐패시터, 접지판-
公开(公告)号：KR101021309B1
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020080050449
申请日：2008-05-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B1/44
Abstract: 본 발명은 트리플 밴드 프런트 엔드 장치 및 그 구성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 특정대역의 신호만을 송수신할 수 있도록 한 트리플 밴드 프런트 엔드 장치 및 그 구성방법에 관한 것이다. 본 발명은 서로 다른 주파수 대역으로 분리된 와이맥스(WiMAX) 트리플렉서를 이용하여 송수신 신호를 소정 대역으로 분리하는 트리플 밴드 프런트 엔드 장치에 있어서, 상기 와이맥스 트리플렉서를 구비하며, 수신신호를 특정 주파수 대역별로 분리하여 와이맥스 송수신기로 전송하는 수신 트리플렉서; 상기 와이맥스 트리플렉서를 구비하며, 송신신호를 주파수 간섭과 고조파가 제거되게 특정 주파수 대역별로 분리하여 안테나로 전송하는 송신 트리플렉서; 및 상기 수신 신호 및 상기 송신 신호에 따라 모드를 전환하는 스위치를 포함하는 트리플 밴드 프런트 엔드 장치 및 그의 구성 방법을 제공한다.
트리플 밴드 프런트 엔드 장치, 와이맥스 트리플렉서, 임피던스 매칭-
公开(公告)号：KR1020110024362A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082328
申请日：2009-09-02
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H03K17/962 , H03K2017/9455
Abstract: PURPOSE: A switch module and a method for manufacturing the same are provided to form circuit wiring between a switch IC and capacitors through a via, thereby increasing a high frequency property of the entire circuit. CONSTITUTION: A semi-hardened polymer layer is laminated on a copper foil. An align pattern is formed in the semi-hardened polymer layer. A switch IC(201) and at least one passive device are mounted on the semi-hardened polymer layer. The space between the switch IC and the passive device is filled with a semi-hardened polymer. Circuit patterns are formed on the upper and lower parts of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供开关模块及其制造方法，以通过通孔在开关IC和电容器之间形成电路布线，从而提高整个电路的高频特性。 构成：将半硬化聚合物层层合在铜箔上。 在半硬化聚合物层中形成对准图案。 开关IC（201）和至少一个无源器件安装在半硬化聚合物层上。 开关IC和无源器件之间的空间填充有半硬化聚合物。 电路图案形成在基板的上部和下部。
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公开(公告)号：KR1020110024356A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082318
申请日：2009-09-02
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H04B1/40 , H04B1/0057 , H04W88/06
Abstract: PURPOSE: An RF front-end module for a dual band wireless LAN is provided to constitute all parts of front end module into one combined part. CONSTITUTION: A lower part LTCC(Low Temperature Ceramic Co-fired) substrate(301) has a matching end, a low and high band pass filters for receiving low and high band receiving, and a low-band pass filter for transmitting low and high band at one side. A top LTCC substrate(303) is formed on the top part of the lower part LTCC substrate. The top LTCC substrate has a low pass filter for high band transmitting, a receiving diplexer, and a transmitting diplexer. A dual PAM(Power Amplifier Module) IC(207) and a switch IC(206) is respectively installed to the top LTCC substrate.
Abstract translation: 目的：提供用于双频无线局域网的射频前端模块，将前端模块的所有部分组成一个组合部分。 构成：下部LTCC（低温陶瓷共烧）衬底（301）具有匹配端，用于接收低频和高频带接收的低通和高带通滤波器，以及用于传输低和高频带的低带通滤波器 乐队在一边。 顶部LTCC基板（303）形成在下部LTCC基板的顶部上。 顶部LTCC衬底具有用于高频带发射的低通滤波器，接收双工器和发射双工器。 分别在顶部LTCC基板上安装双重PAM（功率放大器模块）IC 207和开关IC 206。
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公开(公告)号：KR100862886B1
公开(公告)日：2008-10-13
申请号：KR1020070050872
申请日：2007-05-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/213
CPC classification number: H01P1/213 , H01P1/2088 , H01P9/02 , H03H7/463
Abstract: A diplexer is provided to reduce parasitic capacitance by forming an inductor pattern on a low dielectric constant organic substrate and to reduce a size by forming a capacitor pattern on a high dielectric constant organic substrate. A diplexer includes a low pass filter(300) and a high pass filter(310). The low pass filter is positioned between an antenna terminal(ANT) and a first band duplexer. The high pass filter is positioned between the antenna terminal and a second band duplexer. The low pass filter has a matching inductor(L11) and a first series resonator(302). The matching inductor is connected between the antenna terminal and the first band duplexer to pass a low band signal. The first series resonator is connected between a connection point of the first band duplexer and the matching inductor and a ground. The high pass filter has a matching capacitor(C12) and a second series resonator(312). The matching capacitor is connected between the antenna terminal and the second band duplexer to pass a high band signal. The second series resonator is connected between a connection point of the second band duplexer and the matching capacitor and a ground.
Abstract translation: 提供双工器以通过在低介电常数有机衬底上形成电感器图案来减小寄生电容，并通过在高介电常数有机衬底上形成电容器图案来减小尺寸。 双工器包括低通滤波器（300）和高通滤波器（310）。 低通滤波器位于天线端子（ANT）和第一频带双工器之间。 高通滤波器位于天线端子和第二频带双工器之间。 低通滤波器具有匹配电感器（L11）和第一串联谐振器（302）。 匹配电感器连接在天线端子和第一频带双工器之间以通过低频带信号。 第一串联谐振器连接在第一频带双工器的连接点和匹配电感器和地之间。 高通滤波器具有匹配电容器（C12）和第二串联谐振器（312）。 匹配电容器连接在天线端子和第二频带双工器之间以通过高频带信号。 第二串联谐振器连接在第二频带双工器的连接点和匹配电容器和地之间。
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