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公开(公告)号:KR1019950017846A
公开(公告)日:1995-07-20
申请号:KR1019930028525
申请日:1993-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 MgO와 Nb
2 O
5 를 1,000℃에서 1차 하소시킨 후, 1,100℃이상에서 2차 하소시켜 MgNb
2 O
6 를 생성시키고, 이를 PbO
3 와 반응시켜 Pb(Mg
1/3 Nb
2/3 /7)0
3 의 이차상 생성을 억제하는 방법을 제공하는 것이다. 이렇게 생성된 PMN은 유전율 등이 우수한 PMN계 세라믹 캐패시터로서 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号:KR1019950005256B1
公开(公告)日:1995-05-22
申请号:KR1019920015079
申请日:1992-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
Abstract: The laminaled magnetic condenser using nickel or nickel alloy as an internal electrode is produced by (a) mixing barium carbonate, titania, strontium carbonate, nickel oxide and zirconia, (b) drying and calcinting at 1,050-1,200 deg.C for 2hs. (c) preparing the slurry with the calcined dielectric ceramics and the organic binder, PVB, (d) manufacturing the dielectric green sheet of the thickness 20-50 micrometer by doctor blade method, (e) coating paste for nickel electrode on the dielectric sheet, (f) laminating and sintering at 1,300-1,400 deg.C in the reduction atmosphere of low oxygen partial pressure, 10-8-10-12 MPa. The reduction resisting dielectric composition comprises Ba1-xSrxTi1-y-xNiyZr2O3-y, where x, y, z are in the ranges from 1, 0.005, 0 to 0.2, 0.1, 0.2, respectively.
Abstract translation: 通过(a)将碳酸钡,二氧化钛,碳酸锶,氧化镍和氧化锆混合,(b)在1050-1200℃下干燥和煅烧2小时来制备使用镍或镍合金作为内部电极的层状磁性冷凝器。 (c)用煅烧的电介质陶瓷和有机粘合剂PVB制备浆料,(d)通过刮刀法制造厚度为20-50微米的电介质生片,(e)在电介质片上的镍电极涂层 ,(f)在低氧分压还原气氛,10-8-10-12MPa下在1,300-1,400℃层压和烧结。 还原电阻介电组合物包含Ba1-xSrxTi1-y-xNiyZr2O3-y,其中x,y,z分别在从0.005,0到0.2,0.1,0.2的范围内。
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公开(公告)号:KR1019940011059B1
公开(公告)日:1994-11-22
申请号:KR1019920010785
申请日:1992-06-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
Abstract: The composition for fabricating a grain boundary-type semiconducting magnetic condenser comprises a main component, 1 mole of SrTiO3 and supplementary components such as 0.01 to 0.04 mole of TiO2, 0.001 to 0.010 mole of Dy2O3, 0.001 to 0.007 mole of ZnO, 0.002 to 0.012 mole of MnO2, and 0.01 to 0.07 mole of Al2O3.
Abstract translation: 用于制造晶界型半导体磁性冷凝器的组合物包括主要组分,1摩尔SrTiO 3和补充组分如0.01至0.04摩尔TiO 2,0.001至0.010摩尔Dy 2 O 3,0.001至0.007摩尔ZnO,0.002至0.012 的MnO 2,0.01〜0.07摩尔的Al 2 O 3。
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公开(公告)号:KR1019920006856B1
公开(公告)日:1992-08-20
申请号:KR1019900004784
申请日:1990-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01G4/302 , Y10T29/435
Abstract: The method comprises producing a pore layer by stacking and sintering dielectric layers (1) applied with quasi-electrode material (2). The pore layer, oxidised by sintering, is reduced and then molten metal is permeated into the interion of the pore layer without applying high pressure. The pore layer after sintering is formed with NiO by using a mixture of 2NiCO3-3Ni(OH)2-4H2O and carbon black as quasi-electrode material. Pb, Sn or Pb-Sn alloy is the molten metal for the internal electrode. The NiO surface forming the pore layer is reduced to Ni so as to increase the surface energy and enhance contact with the other metal.
Abstract translation: 该方法包括通过堆叠和烧结施加准电极材料(2)的电介质层(1)来生产孔层。 通过烧结氧化的孔层被还原,然后在不施加高压的情况下将熔融金属渗入孔层的中间层。 通过使用2NiCO3-3Ni(OH)2-4H2O和炭黑的混合物作为准电极材料,用NiO形成烧结后的孔层。 Pb,Sn或Pb-Sn合金是用于内部电极的熔融金属。 形成孔层的NiO表面被还原为Ni,从而增加表面能并增强与另一种金属的接触。
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公开(公告)号:KR1020050091961A
公开(公告)日:2005-09-16
申请号:KR1020040017149
申请日:2004-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/468
Abstract: 본 발명은 875
o C 이하의 온도에서 소성이 가능한 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로서 특히, 유전율이 200~1000 범위에 있고, 유전손실값이 3% 미만인 것을 특징으로 한다. 조성물의 구성은 5~20 wt%의 Li
2 OB
2 O
3 -SiO
2 계 유리 프리트와 80~95 wt%의 BaO-TiO
2 계 유전체 세라믹스의 조합으로 구성된다. 본 발명을 통해 개발된 조성물은, 내장 캐패시터 형태로서 세라믹 다층 패키징의 일부를 구성하는데 효과적으로 적용될 수 있다.-
公开(公告)号:KR100471651B1
公开(公告)日:2005-03-08
申请号:KR1020020002050
申请日:2002-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 950℃ 부근의 낮은 온도 범위에서 소성이 가능한 고유전율의 MgO-CaO-TiO
2 계 세라믹 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 세라믹 저온 소성 다층기판 내부에 사용되는 고유전율 층에 사용하기에 적합하다. 본 발명은 적당량의 보로실리케이트(boro silicate)계 유리산화물과 알칼리 금속산화물을 포함하여 마이크로파 유전특성이 우수하고 저온 소성이 가능한 유전체 세라믹 조성물과 MgO-CaO-TiO
2 계 소성 분말에 보로실리케이트계 유리산화물과 알칼리 금속산화물을 적당량 첨가하여 마이크로파 유전 특성이 우수하고 저온 소성이 가능한 유전체 세라믹 조성물을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 세라믹 조성물은 가격이 저렴한 Ag 전극과 함께 저온소성 다층기판의 제조에 사용될 수 있다.-
公开(公告)号:KR100365295B1
公开(公告)日:2002-12-18
申请号:KR1020000023676
申请日:2000-05-03
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 저온소결 저손실 고주파유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기존의 고주파용 세라믹스 조성보다 매우 낮은 소결온도(800 ~ 925℃)이면서도 높은 품질계수(Q×f=12,000∼84,000 GHz)와 유전상수(16≤ε
r ≤32) 및 안정된 온도계수 및조성에 따라 다양한 온도보상 특성(τ
f = -52 ~ +104 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO-MO(M=Mg, Co, Ni)-TiO
2 와 같은 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 하며, Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기 또는 필터 및 세라믹 안테나용 유전체 재료로 사용될 수 있다.-
公开(公告)号:KR1020020015807A
公开(公告)日:2002-03-02
申请号:KR1020000048921
申请日:2000-08-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dielectric ceramic composition is provided to fire at low temperature of 900°C to meet condition for a dielectric ceramic composition for LTCC(low temperature cofired ceramic). CONSTITUTION: In a method for manufacturing a dielectric ceramic composition for an LTCC, at a first step, BaCO3, Nd2O3, PbO and TiO2(99.9%) are subjected to ball-milling, dried and burned to form dielectric ceramic powder. At a second step, Li2O, B2O3, SiO2, V2O5 are added to the burned dielectric ceramic powder and, then, grinded, mixed and dried. At a third step, 2 wt% PVA(polyvinyl alcohol) is added as a binder to the mixed powder. At a fourth step, a test sample is formed to a disk of a diameter of 10 mm and a thickness of 5.5 mm at a pressure of 1,000kg/cm¬2. Then, the disk is sintered at a temperature rising speed of 300°C/h over 850°C to 950°C and cooled down slowly.
Abstract translation: 目的:提供一种用于制造电介质陶瓷组合物的方法,以在900℃的低温下燃烧以满足用于LTCC(低温共烧陶瓷)的电介质陶瓷组合物的条件。 构成:在用于制造LTCC的电介质陶瓷组合物的方法中,在第一步骤中,将BaCO 3,Nd 2 O 3,PbO和TiO 2(99.9%)进行球磨,干燥并烧制以形成电介质陶瓷粉末。 在第二步,将Li 2 O,B 2 O 3,SiO 2,V 2 O 5加入到烧制的电介质陶瓷粉末中,然后研磨,混合并干燥。 在第三步骤中,将2重量%的PVA(聚乙烯醇)作为粘合剂加入到混合粉末中。 在第四步骤中,在1,000kg / cm 2的压力下将测试样品形成为直径为10mm,厚度为5.5mm的圆盘。 然后,将该盘以850℃〜950℃的300℃/ h的升温速度进行烧结,缓慢冷却。
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公开(公告)号:KR100286254B1
公开(公告)日:2001-04-16
申请号:KR1019980030345
申请日:1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/30
Abstract: 본 발명은, 높은 유전율을 가지면서도 정전용량의 온도계수가 작은 적층 세라믹 캐패시터 (이하 'MLC') 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 (1-x)PMN-xPT, x = 0∼0.25를 조합으로 하는 것을 주 조성으로 하고 첨가제로서 NiO, CuO 및 ZnO가 각각 0∼0.05 mole로 구성되며, 이들 조성이 각각 한 개의 MLC의 내부에 서로 다른 층을 이루며 적층되어서 종전의 고유전율 MLC에 비해 더욱 우수한 고유전율 온도안정성 MLC를 제공한다.
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