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公开(公告)号：KR101159063B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020110011277
申请日：2011-02-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B3/12 , C03C8/02 , C03C14/004 , C03C2214/20 , C04B35/16 , C04B35/20 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3427 , C04B2235/3445 , C04B2235/365 , C04B2235/77 , C04B2235/96
Abstract: PURPOSE: A low dielectric loss and low-temperature sintered dielectric ceramic composition for millimeter waves is provided to plasticize at low temperature and to lower dielectric loss. CONSTITUTION: A low dielectric loss and low-temperature sintered dielectric ceramic composition for millimeter waves comprises 40-70 weight% of borosilicate type glass frit and 30-60 weight% of ceramic filling which is represented by chemical formula 1. The chemical formula 1 is same as follow: (Zn1-xMgx)2SiO4. In the chemical formula 1, 0
Abstract translation: 目的：提供用于毫米波的低介电损耗和低温烧结介电陶瓷组合物，以在低温下增塑并降低介电损耗。 构成：用于毫米波的低介电损耗和低温烧结介电陶瓷组合物包含40-70重量％的硼硅酸盐型玻璃料和30-60重量％的由化学式1表示的陶瓷填料。化学式1为 （Zn1-xMgx）2SiO4相同。 在化学式1中，0 <= x <= 1。 硼硅酸盐型玻璃料包含0.1〜5摩尔％的碱金属氧化物，其选自50-80摩尔％的SiO 2，15-20摩尔％的B 2 O 3，Li 2 O和Na 2 O和0.1-30摩尔％的碱土金属氧化物 其选自MgO，CaO，SrO和ZnO。
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公开(公告)号：KR1020110078236A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090134988
申请日：2009-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: Self-supporting type metal sulfide-based two-dimensional nano-structured anode active materials and a method for manufacturing the same are provided to directly grow the anode active materials on a wide metal board using a pulse laser deposition process. CONSTITUTION: A method for manufacturing self-supporting type metal sulfide-based two-dimensional nano-structured anode active materials includes the following: Aggregate is prepared based on metal sulfide-based materials. The aggregate is inserted into a tube in a pulse laser depositing electric furnace. A metal board is separately arranged in the tube. The pressure in the tube is lowered to the 0.01-0.03 Torr of the vacuum state. The temperature of the electric furnace is raised to temperature between 590 and 610 degrees Celsius. Pulse laser is introduced into the tube to delaminate the aggregate.
Abstract translation: 目的：提供自支撑型金属硫化物基二维纳米结构阳极活性材料及其制造方法，以使用脉冲激光沉积工艺在宽金属板上直接生长阳极活性材料。 构成：用于制造自支撑型金属硫化物基二维纳米结构阳极活性材料的方法包括：基于金属硫化物基材料制备骨料。 将聚集体插入脉冲激光沉积电炉的管中。 金属板分开布置在管中。 管中的压力降低到真空状态的0.01-0.03乇。 电炉的温度升高到590〜610摄氏度之间。 将脉冲激光引入管中以使骨料分层。
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公开(公告)号：KR1020080044604A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：KR1020060113643
申请日：2006-11-17
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/956 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16 , C01P2004/64
Abstract: A manufacturing method of SiC nanowire is provided to obtain SiC nanowire having excellent field emission property which is useful for the preparation of semiconductor nanostructure field emission device in an economical process and selective patterning as a cathode material by employing SiC compound. A manufacturing method of SiC nanowire comprises steps of: forming a catalyst layer which is deposited with a catalyst selected from gold, nickel, cobalt or alloy thereof, on a substrate; feeding 1-20sccm of dichloromethylvinylsilane and 100-1000sccm of carrier gas in a reducing atmosphere which is maintained at 900-1200deg.C and maintaining the state for 10-120 minutes. The nanowire has a diameter of 200-200nm and a length of 10-100mum. The substrate is silicone or sapphire. The carrier gas is inert gas or reducing gas, comprising at least one selected from hydrogen gas, Ar gas, N2 gas and CH4 gas.
Abstract translation: 提供SiC纳米线的制造方法，以获得具有优异的场致发射特性的SiC纳米线，其可用于在经济的工艺中制备半导体纳米结构场致发射器件，并通过使用SiC化合物作为阴极材料的选择性图案化。 SiC纳米线的制造方法包括以下步骤：在基板上形成沉积有选自金，镍，钴或其合金的催化剂的催化剂层; 在保持在900-1200℃的还原气氛中进料1-20sccm的二氯甲基乙烯基硅烷和100-1000sccm的载气，并保持10-120分钟。 纳米线的直径为200-200nm，长度为10-100μm。 基材是硅胶或蓝宝石。 载气是惰性气体或还原气体，包括选自氢气，Ar气体，N 2气体和CH 4气体中的至少一种。
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公开(公告)号：KR100806679B1
公开(公告)日：2008-02-26
申请号：KR1020060035496
申请日：2006-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/453 , C03C8/14
Abstract: 본 발명은 온도특성 제어가 가능한 저온소성용 유전체 세라믹스 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 ZnNb
2 O
6 와 TiO
2 의 혼합 유전체에, 특정의 SiO
2 -B
2 O
3 -Al
2 O
3 -CaO-ZnO계 유리프리트를 혼합된 것으로, 상기 유리프리트의 조성 및 성분비를 최적화하여, 유전율이 15 ∼ 35이고, 품질계수가 3,000 ∼ 16,000 GHz이고, 공진 주파수 온도계수(τ
f )가 -100 ∼ +100 ppm/℃범위에서 가변 등의 유전특성의 제어가 가능하여 저온소성 다층기판에서 공진기(resonator) 형태의 필터, 안테나 등으로 구현이 용이한 온도특성 제어가 가능한 저온소성용 유전체 세라믹스 조성물에 관한 것이다.
저온소성, 유리프리트, 세라믹 유전체-
公开(公告)号：KR100717132B1
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：KR1020050104587
申请日：2005-11-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 중공형 다이아몬드 쉘이 고분자 수지 등의 모재에 충전된 복합재에 관한 것이다. 반도체 소자의 핵심 소재 중의 하나인 열계면물질(thermal interface material: TIM)의 충전재로서 수 내지 수 십 마이크로미터 크기의 중공형 다이아몬드 쉘 입자를 사용하여 기존 재료의 한계를 뛰어 넘는 고성능 열계면물질 복합재를 제공한다. 이 복합재는 플립 칩(Flip chip) 등의 언더필(underfill) 또는 밀봉(encapsulation) 충전물질로 사용될 수 있으며, 우주선 등의 경량 고강도 재료로 사용될 수 있다.
반도체, 열계면물질, 복합재, 충전재, 다이아몬드 쉘, CVD 다이아몬드, 다공성, 마이크로, 나노, 열방산Abstract translation: 本发明涉及在基材如聚合物树脂中填充有中空金刚石壳的复合材料。 作为半导体器件的核心材料之一的热界面材料（TIM）的填料，使用几微米至几十微米的空心金刚石壳颗粒来形成高性能热界面材料 提供。 这种复合材料可以用作倒装芯片或封装填充材料，例如倒装芯片，并且可以用作诸如太空飞船的轻质高强度材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100592585B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040006178
申请日：2004-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/48
Abstract: 본 발명은 온도특성 제어가 가능한 저온소성용 고유전율 세라믹 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CaZrO
3 상과 CaTiO
3 상의 혼합 고유전율 유전체가 주성분으로 함유되어 있고 저온소성을 위해 Li
2 OB
2 O
3 -SiO
2 -CaO-Al
2 O
3- ZnO계 유리프리트가 소량 함유된 조성을 이루고 있으며, 사용된 유전체와 유리프리트의 조성 성분비 조절에 의해 유전율이 25 ∼ 35 범위이고 900 ℃ 이하의 온도에서 소성이 가능하면서 공진 주파수의 온도계수(T
cf )를 -20 ∼ +100 ppm/℃의 범위에서 자유롭게 가변할 수 있는 특징을 가지고 있어, 저온동시소성세라믹(LTCC) 다층기판 및 모듈에서 공진 주파수의 온도계수가 중요시되는 필터 및 안테나 등 공진기 구성에 효과적으로 적용될 수 있는 세라믹 조성물에 관한 것이다.
CaZrO3, CaTiO3, CaO-TiO2-ZrO2계 유전체, Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3-ZnO계 유리프리트, 온도특성 제어, 저온소성, 세라믹스-
公开(公告)号：KR1020060056484A
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：KR1020040095591
申请日：2004-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/483 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G9/02 , C01P2004/64 , C23C16/407
Abstract: 본 발명은 새로운 방식의 펄스 레이저 증착법(pulsed laser deposition: PLD)에 의하여 수십 나노미터 크기의 미세한 반도체 나노구조체를 합성하고, 더욱 나아가 나노선을 원하는 모양으로 정렬시키는 일련의 장치 및 공정기술을 그 내용으로 한다.
본 발명에서는 기존의 방식인 내부 기판 가열방식(Cold-wall type)이 아니라 반응관을 외부에서 가열하는 방식(Hot-wall type)인 것과 합성온도가 기존공정에 비해 매우 높은 500~1500℃인 것을 가장 큰 특징으로 한다.
이 방법에 의해서 직경이 매우 가는 ZnO, CdSe, Si 반도체 나노선을 고밀도로 합성할 수 있고, 더 나아가 다양한 형태의 나노구조체를 합성할 수 있다.
또한, 고온공정에 의해 촉매인 금 패턴 위에서 선택적인 나노구조체의 성장이 가능하며 전기적 특성 제어를 위한 도핑이 용이하다.
이러한 공정기술은 광전자소자, 레이저, 화학센서 등 다양한 나노소자의 대량생산에 효과적으로 활용할 수 있다.
나노선, 산화아연, 나노구조체, 펄스 레이저 증착법(PLD), 금 촉매-
公开(公告)号：KR1020040085939A
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020030020800
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/14
CPC classification number: C03C14/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/30 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: Provided is a dielectric ceramic composition based on borosilicate glass containing alkali earth oxides for low loss and low temperature cofired ceramic multilayer substrates. CONSTITUTION: The low temperature cofired ceramic(LTCC) composition comprises borosilicate glass composition containing 68-72mol% of SiO2, 20-24mol% of B2O3, 4-12mol% of Al2O3 and alkali earth oxides such as MgO, CaO, SrO and ZnO, and 30-40wt.%(based on the glass composition) of Al2O3 as a filler. The dielectric ceramic composition is produced by the following steps of: ball-milling the above materials, drying and grinding; melting mixtures at 1400-1600deg.C; quenching the melt to get glass; grinding glass to obtain glass frit powder; mixing glass powder with Al2O3, filler; pressure forming; sintering 850-950deg.C. The glass composition has 4.0-4.4 of dielectric constant and 0.06-0.2 of dielectric loss in case that the composition comprises 70mol% of SiO2, 22mol% of B2O3, 2mol% of Al2O3, and 6mol% of CaO and/or ZnO. Also the on-set temperature of sintering shrinkage is changed according to the ratio of more than two materials selected from alkali earth oxides.
Abstract translation: 目的：提供一种基于硼硅酸盐玻璃的介电陶瓷组合物，其含有用于低损耗和低温共烧陶瓷多层基材的碱土金属氧化物。 构成：低温共烧陶瓷（LTCC）组合物包含含有68-72mol％SiO 2，20-24mol％B 2 O 3，4-12mol％Al 2 O 3和碱土金属氧化物如MgO，CaO，SrO和ZnO的硼硅酸盐玻璃组合物， 和30-40重量％（基于玻璃组成）的Al 2 O 3作为填料。 电介质陶瓷组合物通过以下步骤制备：对上述材料进行球磨，干燥和研磨; 熔融混合物在1400-1600℃; 淬火熔化玻璃; 研磨玻璃获得玻璃粉; 混合玻璃粉与Al2O3，填料; 压力成形; 烧结850-950℃。 在组合物包含70mol％的SiO 2，22mol％的B 2 O 3，2mol％的Al 2 O 3和6mol％的CaO和/或ZnO的情况下，玻璃组合物的介电常数为4.0-4.4和介电损耗为0.06-0.2。 烧结收缩率的设定温度也根据选自碱土金属氧化物的两种以上的材料的比例而变化。
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公开(公告)号：KR100399555B1
公开(公告)日：2003-09-26
申请号：KR1020000064252
申请日：2000-10-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/10
Abstract: PURPOSE: A junction glass for magnetic heads is provided to have a thermal expansion coefficient similar to ferrite and to have a junction temperature under 600 °C. And the junction glass is provided to have an excellent water resistance and an abrasion resistance, and to prevent the encroachment of a thin film or the generation of foam upon heat treatment. CONSTITUTION: A junction glass has a low fusion point that is used for uniting or fixing a magnetic head at a temperature under 600 °C. The junction glass for magnetic heads is used to unite or fix an MIG(Metal In Gap) type magnetic head, in which a FeN type metal magnetic thin film is formed in a gap of a pair of ferrite cores. And the junction glass for magnetic heads consists of, in percentage, PbO 45-80 %, SiO2 5-25%, B,.2 O3 0-10%. Bi2 O3 0-20%, Al2 O3 0-10%, .ZnO 0-10%, Fe2 O3 0-5%, Sb2 O3 0-2%, and Na2 O and K2 O 0-10%.
Abstract translation: 目的：提供一种用于磁头的结合玻璃，其热膨胀系数与铁氧体相似，结温低于600℃。 而且，中继玻璃具有优异的耐水性和耐磨损性，并且可以防止热处理时薄膜的侵入或泡沫的产生。 组成：中继玻璃具有低熔点，用于在低于600℃的温度下结合或固定磁头。 用于磁头的接合玻璃用于合并或固定MIG（金属间隙）型磁头，其中在一对铁氧体磁心的间隙中形成FeN型金属磁性薄膜。 用于磁头的接合玻璃由百分比为PbO 45-80％，SiO2 5-25％，B2O3.0-10％组成。 Bi 2 O 3 0-20％，Al 2 O 3 0-10％，.ZnO 0-10％，Fe 2 O 3 0-5％，Sb 2 O 3 0-2％，Na 2 O和K 2 O 0-10％。
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公开(公告)号：KR100371056B1
公开(公告)日：2003-02-06
申请号：KR1020000059208
申请日：2000-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01C7/115
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a varistor-capacitor multifunctional device is provided to simultaneously obtain varistor characteristic and capacitor characteristic of a dielectric index larger than 10000 and dielectric loss less than 5%. CONSTITUTION: A SrTiO3 SMD varistor-capacitor multifunctional device is manufactured by using Sr0.9Ca0.1TiO3 as basic material powder. The basic material powder is subjected to wet milling after Nb2O5 of 0.4-0.6 mol% is added and SiO2 of 0.1-0.3 mol% and MnO of 0.1-0.3 mol% are added. Organic vehicle is added to the basic material powder after wet milling to form slurry. The slurry is molded by a tape caster to form a ceramic sheet. After cutting the ceramic sheet, internal electrodes are printed on the ceramic sheet by Ag/Pd or Ni electrodes. Three to five ceramic sheets are deposited on and on and subjected to pre-sintering at 1100°C for 1 hour. The sintered ceramic is re-oxidized in a furnace with the air at 900-1100°C.
Abstract translation: 目的：提供一种制造压敏电阻 - 电容器多功能器件的方法，以同时获得介电指数大于10000且介电损耗小于5％的压敏电阻特性和电容特性。 构成：SrTiO3 SMD压敏电阻多功能器件是以Sr0.9Ca0.1TiO3为基本粉末制成的。 在加入0.4-0.6摩尔％的Nb 2 O 5并加入0.1-0.3摩尔％的SiO 2和0.1-0.3摩尔％的MnO后，将基础材料粉末进行湿磨。 在湿磨之后将有机载体添加到基础材料粉末中以形成浆料。 浆料通过带式连铸机成型以形成陶瓷片。 在切割陶瓷片之后，通过Ag / Pd或Ni电极将内部电极印刷在陶瓷片上。 三到五个陶瓷片沉积在其上和之上并在1100℃下进行预烧结1小时。 烧结的陶瓷在炉中用空气在900-1100℃下再氧化。
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