公开(公告)号：KR1020080104607A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020070051602

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박종극 ,  백영준

IPC: C23C28/00 ,  C23C14/00

Abstract: A TiAlN / BN multilayer hard thin film is provided to improve the hardness and thermal stability at the same time. A hard multi-layered thin film with a superior thermal stability by using the unbalanced magnetron sputtering apparatus in which two targets are faced. One target of the apparatus is made of the TiAl alloy controlling the aluminum content, the other one is BN. The content of the aluminum within the TiAl target characterizes to do to 50 atomic percentage.

Abstract translation: 提供TiAlN / BN多层硬质薄膜，以同时提高硬度和热稳定性。 一种硬质多层薄膜，通过使用两个目标物体的不平衡磁控溅射装置，具有优异的热稳定性。 该设备的一个目标是由控制铝含量的TiAl合金制成，另一个是BN。 TiAl靶内铝的含量为50原子百分比。

公开(公告)号：KR1020080099743A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：KR1020070045695

申请日：2007-05-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  정증현 ,  채기웅

IPC: C23C16/50 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C23C16/503 ,  C23C16/272 ,  Y10T428/268

Abstract: A method for depositing for coating on the surface and the apparatus is provided to deposit on the surface of the substrate introducing the reaction gas and is mounted on anode and serves both the bipolar role for being thus used are provided. A discharge in the space supplying the direct current voltage between the cathode(1) and the anode(2) which is installed in order to be faced with each other within the reaction chamber(5) and goes with electrode are disclosed, material is deposited on the surface of the substrate introducing the reaction gas and is mounted on anode and serves both the bipolar role. A method for depositing material at the state excluding a positive column(4) conducted as follows: a cathode glow(8) and anode glow(9) exist as the coating layer form coating the respective cathode and substrate surface; and the material is deposited in the small state as much as the positive column does not exist or it can ignore.

Abstract translation: 提供沉积在表面上的涂布方法和装置，以沉积在引入反应气体的基板的表面上，并且安装在阳极上并且用于提供这两者的双极作用。 公开了在反应室（5）内与阴极（1）和阳极（2）之间提供直流电压以便彼此面对并与电极相接的空间中的放电，材料沉积 在基板的表面上引入反应气体，并且安装在阳极上并起到双极作用。 存在除了阳极柱（4）以外的状态下沉积材料的方法，如下所述：阴极辉光（8）和阳极辉光（9）作为涂覆各个阴极和基板表面的涂层层形成; 并且材料以小的状态沉积，正极柱不存在或可以忽略。

公开(公告)号：KR100352985B1

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：KR1019990015647

申请日：1999-04-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  백영준 ,  은광용

IPC: C01B31/06

CPC classification number: C23C16/272 ,  C23C16/27 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04

Abstract: 본발명은화학기상증착(CVD;Chemical Vaper Deposition)법에의한막상의다이아몬드합성방법에있어서, 합성중 막에인가되는고유응력(intrinsic stress)을제어하고, 최적의기판을선택하여, 균열(crack)이없고평탄한다이아몬드자유막을제작하는합성방법에관한것이다. 특히일정의증착온도에서다이아몬드막을일정두께로증착시킨후 합성중 증착온도를연속적으로또는여러단계로감소또는증가시켜, 합성중 다이아몬드막에압축또는인장응력을유도하여다이아몬드막에인가된압축또는인장응력을상쇄시킴에의해성장균열이없는다이아몬드자유막을제작하고, 또한기판재료로탄성계수가큰 텅스텐을사용하여휨이없는평탄한자유막을제작하는것을특징으로한다. 본발명에의하여종래다이아몬드막합성시발생되었던성장균열을효과적으로없앨수 있으며, 막의휨이없는균일하고평탄한다이아몬드막을합성할수 있다.

公开(公告)号：KR100292681B1

公开(公告)日：2001-11-22

申请号：KR1019980030343

申请日：1998-07-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 유명기 ,  백영준 ,  홍경태

IPC: H01L23/34

Abstract: 본 발명은 텅스텐-구리 복합재료 열방산체 기판과, 그 표면에 대면적으로 형성된 다이아몬드 필름으로 이루어지는 반도체용 열방산체를 제공하고, 아울러 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 구리를 선택적으로 용출시킴으로써 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법과, 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 텅스텐 입자를 부식시킨 뒤 구리를 용출시킴으로써 상기 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100313703B1

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：KR1019990015822

申请日：1999-05-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박영준

IPC: B23K26/02

Abstract: 본발명은초점이형성된레이저를이용한굽은경질표면의평탄화방법으로서, 렌즈에투과되어초점이형성된레이저빔을평탄화시키려는물질의표면중 높은부위에위치시키고, 표면전체에주사하여평탄하게한 후, 레이저의초점을낮은부위쪽으로점진적으로이동시키며레이저빔을주사하여평평도를증가시키는경질표면의평탄화방법이다. 본발명에의하면다이아몬드,-BN, BC와같이단단한물질의표면을연마하여웨이퍼형태로용이하게가공할수 있으며, 표면이부분적으로돌출한경우뿐만아니라표면이전체적으로곡률을가지고굽어있는경우에도본 발명을적용할수 있다.

公开(公告)号：KR100296392B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019990021389

申请日：1999-06-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  백영준 ,  은광용

IPC: C23C16/52

CPC classification number: C23C16/272 ,  C23C16/503 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541

Abstract: 본발명은직류전원플라즈마화학증착(DC PACVD)법에의한다이아몬드막의합성장치에관한것으로서, 특히여러개의음극을사용한다음극 DC PACVD법에있어서일정한합성면적에서합성된막의결정도및 균일성(uniformity)을극대화할수 있도록음극의수 및구조가설계된다. 본발명에의한 DC PACVD 장치는가운데하나의음극을기준으로여섯개의음극들이 60°간격으로유지된 7-음극구조를가지며, 이음극배열에서기본단위는정삼각형의형태로서이 정삼각형의꼭지점에각 음극이배치된구조를가진다. 이때 각음극간의거리는 43mm 정도를유지한다. 이기본단위는합성면적을 8˝, 12˝로증가시킬경우에도적용될수 있다. 본발명에의한 7-음극구조의 DC PACVD 장치는막 두께 500㎛이상의후막에서최대 3.5%의높은막 두께의균일성을실현할수 있다. 또한본 발명은각 음극에서의온도차를최소화할수 있도록음극구조를설계하여음극온도불균일에기인된합성장치의불안정성을완전히제거하여 100%에가까운장치의신뢰성을실현할수 있다.

公开(公告)号：KR1020000072884A

公开(公告)日：2000-12-05

申请号：KR1019990015822

申请日：1999-05-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박영준

IPC: B23K26/02

Abstract: PURPOSE: A bent hard surface smoothing method using a laser with a focus is provided to remove an irregular portion selectively and promptly. CONSTITUTION: A laser(12) with a focus formed by a lens(13) is scanned on the rough surface. Herein, the degree of focus and the laser influence of the scanned laser beam are varied corresponding to positions and so is the removal speed of the substances on the surface. The position becomes higher, and then the removal of the substances grows faster. After the removal of the high position, the focus of the laser is lowered gradually to scan the entire of the surface. According to the processing with the laser, the degree of smoothness is enhanced.

Abstract translation: 目的：提供一种使用聚焦激光的弯曲硬表面平滑方法，以有选择且及时地去除不规则部分。 构成：在粗糙表面上扫描由透镜（13）形成的焦点的激光（12）。 这里，扫描的激光束的焦点和激光影响随着位置而变化，并且物质在表面上的去除速度也是如此。 位置变得更高，然后物质的去除增长得更快。 在去除高位置之后，激光的焦点逐渐降低以扫描整个表面。 根据激光加工，光滑度得到提高。

公开(公告)号：KR1020000065840A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990012546

申请日：1999-04-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  이욱성 ,  은광용 ,  채기웅

IPC: B23P5/00

CPC classification number: C23C14/044 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/27 ,  Y10T428/30

Abstract: PURPOSE: A cutting tool coated with diamond film and a producing method thereof are provided to obtain sufficient adhesive force without limitation of the content of decarbonate and carbon monoxide of base material. CONSTITUTION: Decarbonating thermal treatment and carbonate thermal treatment are applied on a carbide base material to increase the roughness of surface of the carbide base material with abnormal particle growth. A diamond film is layered on the surface of the base material to improve the adhesive force of the diamond film. Thereby, a cutting tool coated with diamond film of sufficient adhesive force is produced without limitation of the content of decarbonate and cobalt of base material and without limitation of the size of carbide particle.

Abstract translation: 目的：提供用金刚石膜涂覆的切削工具及其制造方法，以获得足够的粘合力，而不限制基材的碳酸盐和一氧化碳的含量。 构成：碳化物基材上的脱碳热处理和碳酸盐热处理可以增加碳化物基材表面的粗糙度，使其具有异常的颗粒生长。 将金刚石膜层叠在基材的表面上，以提高金刚石膜的粘合力。 由此，制造了具有足够的粘合力的金刚石薄膜的切削工具，而不限制基材的碳酸盐和钴的含量，而不限于碳化物颗粒的尺寸。

公开(公告)号：KR1020000065504A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990011854

申请日：1999-04-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  은광용

IPC: H01L21/208

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541

Abstract: PURPOSE: A device for depositing a diamond film and method thereof is provided to make the diamond thick film deposited on the flat or circular substrate, and on silicon wafer. CONSTITUTION: IN a device for depositing a diamond film and method thereof, a holder(8) can control the temperature of a cathode(4) without a stop in its process. the temperature of the cathode is maintained in the range of 800-1400°C, A SMPS(switch-mode power supply or switched mode power supply) supplies electrodes with power, and a diamond film having a brittle character, a light weight, and a low thermal conductivity. The device for depositing a diamond film comprises a processing chamber(1) having a gas inlet(2) and outlet(3) part, a cathode electrode(4), in upper part of the processing chamber(1), and an anode electrode(5) in lower part of the processing chamber(1), the SMPS(6) forming plasma(9), and a holder which fixes the cathode electrode(4) in the upper part of the processing chamber(1).

Abstract translation: 目的：提供用于沉积金刚石膜的装置及其方法，以使金刚石厚膜沉积在平坦或圆形基底上以及硅晶片上。 构成：在用于沉积金刚石膜的装置及其方法中，保持器（8）可以在其工艺中不停止地控制阴极（4）的温度。 阴极的温度保持在800-1400℃的范围内，A SMPS（开关模式电源或开关模式电源）为电极提供电力，并且金刚石膜具有脆性，重量轻，以及 导热系数低。 用于沉积金刚石膜的装置包括在处理室（1）的上部具有气体入口（2）和出口（3）部分，阴极电极（4）的处理室（1）和阳极电极 （5），处理室（1）的下部，形成等离子体（9）的SMPS（6）和将阴极电极（4）固定在处理室（1）的上部的保持器。

公开(公告)号：KR100181256B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019960002455

申请日：1996-02-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 은광용 ,  백영준

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30457

Abstract: 본 발명은 전계 방출부로 사용할 수 있는, 선단의 곡률이 큰 다이아몬드 팁 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에, 표면조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된 다이아몬드의 결함 밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 막을 산소 함유 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 단계로 이루어진다. 본 발명의 또다른 방법은 기판 위에, 표면 조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된 다이아몬드의 결함밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계; 상기 다이아몬드막 위에 지지후막을 형성하는 단계 및 상기 기판을 제거하는 단계로 이루어지고, 상기 단계중 어느 한 단계 이후에 상기 다이아몬드막을 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 것으로 이루어진다.