公开(公告)号：KR101651510B1

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020150016660

申请日：2015-02-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태욱 ,  손동익 ,  배수강 ,  이상현 ,  문병준 ,  이동수 ,  박민

IPC: H01L27/115 ,  C01B31/04

Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에형성된활성층; 및활성층상에형성된상부전극을포함하며, 활성층은금속산화물- 그래핀양자점및 유기고분자물질을포함하는비휘발성메모리장치를제공한다. 이에따라, 전류-전압특성이우수한비휘발성메모리장치가제공될수 있다.

公开(公告)号：KR101643895B1

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：KR1020140162582

申请日：2014-11-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 손동익 ,  박종혁 ,  배수강 ,  김정규 ,  장지우

IPC: B01J21/18 ,  B01J35/02 ,  B01J31/02 ,  B01J21/06 ,  B01J23/06 ,  B01J37/00

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J21/18 ,  B01J23/06 ,  B01J23/22 ,  B01J23/30 ,  B01J23/745 ,  B01J31/00 ,  B01J35/0013 ,  B01J35/0033 ,  B01J37/0219 ,  H01G9/2027 ,  H01G9/2045

Abstract: 본발명은반도체-탄소나노소재핵-껍질복합구조체의양자점을이용한광촉매와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는반도체-탄소나노소재핵-껍질복합구조체의양자점을 4-아미노페놀을사용하여자가조립하여이루어진마이크로입자를합성하고이를광전지화학소자의광촉매로사용함으로써광전기화학반응성과광전환효율을우수하게개선할수 있는광촉매와이를포함하는광전지화학소자및 이들을제조하는방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用半导体 - 碳纳米材料核 - 壳复合量子点的光催化剂及其制备方法，更具体地说，涉及使用半导体 - 碳纳米材料核 - 壳复合量子点自组装的微粒 4-氨基苯酚，当用作光电化学装置的光催化剂或光电极时，能够改善光电化学响应和光转化效率，使用该光电化学装置的光电化学装置及其制备方法。

公开(公告)号：KR1020150115318A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：KR1020140040130

申请日：2014-04-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 손동익 ,  배수강 ,  박종혁 ,  최원국 ,  이상현 ,  김정규

IPC: B01J21/18 ,  B01J23/06 ,  B01J35/00 ,  B01J37/00 ,  C09K11/54 ,  H05B33/02 ,  B82B3/00

Abstract: 본발명은반도체물질을핵으로하는핵-껍질구조의양자점과이를이용한광촉매및 광전기화학소자에관한것으로, 더욱상세하게는금속산화물반도체물질을핵으로하고껍질로서탄소나노구조체를도입하여핵-껍질구조의양자점을제조함으로써, 이를광촉매나광전기화학소자등으로이용할경우반도체물질의태양광에의한부식을방지하고, 핵-껍질사이에전하의이동으로전기화학적성능을향상시킴은물론반도체물질로인한환경오염과유해성문제도해결할수 있는새로운구조를갖는핵-껍질구조의양자점과이를이용한광촉매및 광전기화학소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有以半导体材料为核心的核 - 壳结构的量子点，以及使用该量子点的光催化剂和光电化学装置。 更具体地说，通过使用金属氧化物半导体材料作为芯并引入碳纳米结构作为壳，制造具有新的核 - 壳结构的量子点。 因此，本发明能够：在使用具有核 - 壳结构的量子点的情况下，防止半导体材料由于太阳光而被腐蚀; 通过芯和壳之间的电荷的移动来增强电化学性能; 解决半导体材料造成的环境污染和危害的问题。

公开(公告)号：KR1020150107249A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020140029849

申请日：2014-03-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  황도경 ,  손동익 ,  김홍희

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L51/5056

Abstract: 본 발명은 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명전극 위에 고분자인 에톡시화된 폴리에틸렌이민(PEIE; Polyethylenimine ethoxylated)을 표면 개질층으로 이용하여 그 개질층에 함유된 아민기의 표면 쌍극자(surface dipole)와 양자점의 상호작용으로 인해 양자점 단일층을 형성하도록 구성함으로써, 투명전극을 음극으로 극치환시킨 인버티드(inverted) 구조로 전환하여 우수한 색 구현과 수명 연장이 가능하도록 개선한 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有使用聚合物表面改性层的量子点信号层的发光二极管，更具体地，涉及一种使用聚合物表面改性层的量子点单层的发光二极管，其被组织形成 通过在作为表面改性层的透明电极上使用作为聚合物的聚乙烯亚胺乙氧基化（PEIE）在重整层中包含的胺基团的表面偶极之间的相互作用进行量子点单层。 发光二极管的结构通过极性地替代透明电极的负极而被转换为倒置的结构，从而实现了优异的颜色实现和寿命延长。

公开(公告)号：KR101351336B1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：KR1020110102494

申请日：2011-10-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  박동희 ,  손동익 ,  권병욱

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/035218 ,  B01J13/02 ,  B82Y40/00 ,  H01G9/204

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체에 전기적 특성이 우수한 나노카본을 화학적 방법으로 결합시켜서 산화물 반도체-나노카본 핵-껍질 일체형 양자점을 제조하고, 이를 이용하여 자외선 태양전지 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이러한 새로운 양자점을 태양전지의 광흡수층으로 적용하는 경우 전자의 흐름을 빠르게 하고 정공의 흐름은 억제하여 광전환 효율이 우수한 특성을 나타낼 수 있는 핵-껍질 일체형 양자점과 이를 이용한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100973172B1

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020080076710

申请日：2008-08-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  박동희 ,  이상엽 ,  손동익 ,  최지원

IPC: H01L33/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L51/5036 ,  C09K11/02 ,  C09K11/883 ,  H01L2251/5369 ,  H01L2251/564 ,  H05B33/10

Abstract: 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, p-형 고분자 입자들 주위에 엑시톤 결합 센터인 진성(intrinsic) 반도체 나노결정들이 균일하게 등방적 분포되고 그 주위를 n-형 저분자 입자들이 둘러싸는 pin 구조의 단일 활성층을 가지는 교류 전압 구동형 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 발광소자에서는 고분자-반도체 나노 복합체를 이용한 핵-껍질 구조의 활성층이 정방향과 역방향의 전압 인가시에 같은 전류-전압 특성을 보이는 역대칭(inversion symmetry) 특성을 가진다. 따라서, 이러한 역대칭 특성에 의해 본 발명의 발광소자는 교류 전압으로 구동이 가능하다. 또한 교류 전압을 사용하여 구동될 수 있으므로, 기존의 직류 전압 구동형 유기물 발광다이오드가 가지는 문제점, 즉 과전류(overcurrent)에 의한 소자의 파괴 또는 결함, 국부적인 구성 유기 물질의 퇴화에 의한 다크 스폿(dark spot)의 생성 등의 문제점이 해결된다.
핵, 껍질, 고분자, 반도체, 나노, 복합체, 양자점, 일체형, 역대칭, 교류 구동, 발광소자, 발광다이오드, 단일 활성층, 투명전극, 양방향 전계 방출