公开(公告)号：KR101673720B1

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：KR1020140194125

申请日：2014-12-30

Applicant: 현대자동차주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 박성준 ,  심진용 ,  김종민 ,  심동민 ,  최재석 ,  정연식

IPC: B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  B05D1/02 ,  B05D3/14 ,  C09D5/00 ,  C09D183/04

CPC classification number: C03C17/25 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/75 ,  C03C2218/112 ,  C03C2218/32 ,  C03C2218/322 ,  C09D5/1675

Abstract: 본발명은김서림방지용다공성실리카박막의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는실리콘블록공중합체를이용하여압축에어분무법과용매숙성법을적용하여균일한다공성실리카박막을제조함으로써초친수성으로김서림을방지하고박막의대면적화및 공정비용절감효과가있는김서림방지용다공성실리카박막의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160083323A

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：KR1020140194125

申请日：2014-12-30

Applicant: 현대자동차주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 박성준 ,  심진용 ,  김종민 ,  심동민 ,  최재석 ,  정연식

IPC: B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  B05D1/02 ,  B05D3/14 ,  C09D5/00 ,  C09D183/04

CPC classification number: C03C17/25 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/75 ,  C03C2218/112 ,  C03C2218/32 ,  C03C2218/322 ,  C09D5/1675 ,  B05D7/24 ,  B05D1/02 ,  B05D3/141 ,  B05D5/00 ,  C09D5/00 ,  C09D183/04

Abstract: 본발명은김서림방지용다공성실리카박막의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는실리콘블록공중합체를이용하여압축에어분무법과용매숙성법을적용하여균일한다공성실리카박막을제조함으로써초친수성으로김서림을방지하고박막의대면적화및 공정비용절감효과가있는김서림방지용다공성실리카박막의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及防雾多孔石英薄膜的制造方法。 更具体地说，本发明涉及防雾多孔二氧化硅薄膜的制造方法。 通过使用硅氧烷嵌段共聚物制造均匀的孔，并施加压缩空气喷涂法和溶剂老化法，可以防止由于超亲水性引起的起雾。 此外，薄膜的扩大以及生产成本的降低也是可能的。

公开(公告)号：KR101632504B1

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：KR1020140159159

申请日：2014-11-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  정재원 ,  양세련 ,  김종민

IPC: B82B3/00 ,  B41M5/00

Abstract: 패턴이형성된템플릿기판상에고분자박막을코팅하는단계; 상기고분자박막에접착필름을접착시켜상기템프릿기판으로부터떼어냄으로써상기고분자박막을복제박막몰드로제작하는단계; 상기복제박막몰드상에기능성물질을증착하여나노구조체를형성하는단계; 및유기용매증기를이용하여상기접착필름과상기복제박막몰드간접착력을선택적으로약화시키는단계;를포함하는것을특징으로하는나노구조체제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR101381997B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020120093023

申请日：2012-08-24

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이건재 ,  정연식 ,  유병국 ,  박운익 ,  심동민 ,  김종민

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 단극성 저항변화 메모리 소자로서, 하부전극; 상기 하부전극 상의 산화물층; 및 상기 산화물층 상의 상부전극을 포함하며, 하부전극 또는 상부전극과 상기 산화물층 사이의 계면에는 절연 나노구조가 적어도 하나 이상 형성된 것을 특징으로 하는 단극성 저항변화 메모리 소자가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120095602A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：KR1020110015021

申请日：2011-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  이건재 ,  정재원 ,  최재석 ,  황건태 ,  문범호 ,  유병국

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y10/00 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: PURPOSE: A phase change memory device, a flexible phase change memory device, and a manufacturing method thereof using insulated nano particles are provided to reduce a reset current by decreasing a contact area between a phase change layer and an electrode. CONSTITUTION: A brush layer(11) is laminated on a substrate(10). The coated brush layer is coated with block copolymer solutions. A coated block copolymer(12) is self-assembled by an annealing process. A specific polymer block(13) is removed among the self-assembled block copolymer by patterning process.

Abstract translation: 目的：提供相变存储器件，柔性相变存储器件及其使用绝缘纳米粒子的制造方法，通过减小相变层和电极之间的接触面积来减小复位电流。 构成：将刷层（11）层叠在基板（10）上。 涂覆的刷层涂覆有嵌段共聚物溶液。 涂覆的嵌段共聚物（12）通过退火工艺自组装。 通过图案化方法在自组装嵌段共聚物中除去特定的聚合物嵌段（13）。