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公开(公告)号：KR101271723B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110101569
申请日：2011-10-06
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 적층결함(stacking fault)이 제거된 Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광전기화학(Photoelectrochemical) 에칭방법 또는 측면성장방법을 이용하여 적층결함(stacking fault)을 제거하는 무극성 또는 반극성(semi-polar) Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법에 관한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판 상에 제1Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 제1Ⅲ족 질화물층 상에 복수개의 캐비티가 내부에 형성된 제2Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 소자를 전해액에 담고, 소정의 빛에너지를 조사하는 단계; 및 광전기화학반응을 통하여 상기 제2Ⅲ족 질화물층표면에 존재하는 적층결함부분을 식각하는 단계; 를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020130037265A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110101569
申请日：2011-10-06
Applicant: 한국광기술원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a III group nitride substrate without a stacking fault is provided to improve the internal quantum efficiency of a light emitting diode by removing the stacking fault on a III group nitride layer using a photoelectrochemical etching method or a lateral growth method. CONSTITUTION: A first III group nitride layer is formed on a substrate(S101). A second III group nitride layer with a plurality of cavities is formed on the first III group nitride layer(S102). A semiconductor is immersed in KOH electrolytes(S103). Light of specific energy is irradiated(S104). A stacking fault part is etched from the surface of the second III group nitride layer by a photoelectrochemical reaction(S105). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S101) Step of forming a first III group nitride layer(120) on a substrate(110); (S102) Step of forming a second III group nitride layer(140) with a plurality of cavities on the first III group nitride layer; (S103) Step of immersing an element formed in the S102 in KOH electrolytes; (S104) Step of irradiating light of specific energy; (S105) Step of etching a stacking fault part by neutralizing the KOH and an oxide film generated on the substrate surface formed in the S102;
Abstract translation: 目的：提供一种无堆叠故障的III族氮化物衬底的制造方法，通过使用光电化学蚀刻法或侧向生长法除去III族氮化物层上的堆垛层错来提高发光二极管的内部量子效率。 构成：在基板上形成第一III族氮化物层（S101）。 在第一III族氮化物层上形成具有多个空穴的第二III族氮化物层（S102）。 将半导体浸渍在KOH电解质中（S103）。 照射比能量的光（S104）。 通过光电化学反应从第二III族氮化物层的表面蚀刻堆垛层错部分（S105）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S101）在基板（110）上形成第一III族氮化物层（120）的工序; （S102）在第一III族氮化物层上形成具有多个空腔的第二III族氮化物层（140）的工序; （S103）将形成在S102中的元素浸渍在KOH电解质中的工序; （S104）照射比能量的光的步骤; （S105）通过中和KOH和在S102中形成的基板表面上产生的氧化膜来蚀刻堆垛层错部分的步骤;
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公开(公告)号：KR101881151B1
公开(公告)日：2018-07-23
申请号：KR1020160149978
申请日：2016-11-11
Applicant: 한국광기술원
IPC: E05B47/00 , H04B10/116 , H04M1/725
Abstract: 본발명은가시광통신기반 LED-ID 기술을이용한도어록장치에관한것으로서, 더욱상세하게는기존스마트폰에장착된플래시또는 LED 및디스플레이의광을이용하여 OCC(Optical Camera Communication) 및 VLC(Visual Light Communication)통신을통해도어록을자동으로개폐할수 있는가시광통신기반 LED-ID 기술을이용한도어록장치에관한것이다. 본발명에따른가시광통신기반 LED-ID 기술을이용한도어록장치는 OCC 및 VLC 통신방식을적용함으로써디지털도어록에설치된키패드에기설정된비밀번호를터치, 입력하는접촉식방식에의한비밀번호유출, 비밀번호오류에따른문제등을해결하고, 외부의광 노이즈에강하며해킹등의보안문제를해결할수 있는장점이있다. 또한, 본발명은일반가정집에적용할수 있을뿐만아니라, 호텔이나무인텔, 피트니트센터의개인라커룸등에적용할수 있어안내데스크및 상주인력이없어도되는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101813985B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020160049120
申请日：2016-04-22
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
IPC: C30B25/04 , C01G39/06 , C30B29/46 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 본발명은단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는단결정이황화몰리브덴박막을기판상에원하는위치및 두께로형성할수 있으며, 이를이용하여박막트랜지스터를제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에의하면성장위치를제어함으로써고품질단결정의이황화몰리브덴을제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의박막트랜지스터의제조방법에의하면단결정이황화몰리브덴박막의성장두께및 위치를제어하여매트릭스정렬위치를조절할수 있어플렉시블디스플레이에적용가능한박막트랜지스터를제조할수 있는효과가있다.
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65.发明授权
公开(公告)号：KR101806339B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160080749
申请日：2016-06-28
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L21/306 , H05B33/12 , H01L33/10
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/30604 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L2924/12041 , H05B33/12
Abstract: 본발명은투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법및 이를이용한투명디스플레이용마이크로 LED에관한것으로서, 더욱상세하게는발광부에서생성된빛을전면으로방출시킬수 있게함으로써발광소자의광효율및 개구율을높일수 있는투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법및 이를이용한투명디스플레이용마이크로 LED에관한것이다. 본발명에따른투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법은서브기판상에형성되는반도체구조물즉, 발광소자를서브기판으로부터분리함으로써분리된서브기판을재사용할수 있을뿐만아니라, 전원공급을위한 n-전극층및 p-전극층이상하로배치된구조에의해사이즈를축소시킬수 있다또한, 본발명에따른투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법은습식방식으로서브기판으로부터반도체구조물을분리할수 있어대면적의반도체구조물어레이생산이가능하며, 투명및 웨어러블디스플레이및 광전소자에적용이적합한장점이있다.
Abstract translation: 本发明是透明的生产用于显示微LED方法，并且涉及使用相同的，更具体的微型LED为透明显示器，一个透明的，这反过来，益处光效率和光通过允许sikilsu发射从发光部向前方产生的光发射器件的孔径比 一种制造用于显示器的微型LED的方法以及使用该方法的用于透明显示器的微型LED。 制造微根据本发明是形成在子板上的半导体结构，以及能够重复使用子板通过分离从子板用于供电的发光器件中，正电极分开和LED透明显示器的方法 根据本发明的制造用于透明显示器的微型LED的方法可以通过湿法将半导体结构与子基板分离， 适用于透明耐磨显示器和光电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101799656B1
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020150191003
申请日：2015-12-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L25/16 , F21K99/00 , H01L33/48 , H01L25/075 , H01L21/677 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L2224/95
Abstract: 본발명은개별 LED 또는 LED 어레이를구비한 LED 구조체를형성하여타겟기판으로전사가능한 LED 구조체및 이의이송방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은지지기판접착층을통해지지기판에접착된 p-n 접합구조를갖는복수의 LED 모듈이상기지지기판으로조사되는광 또는상기지지기판에가해지는열 중적어도하나를통해상기지지기판접착층의접착력이약해지도록하여상기고정된 LED 모듈이상기지지기판에서개별또는어레이형태로분리되도록한다. 따라서본 발명은개별 LED 또는 LED 어레이를구비한 LED 구조체를형성하여개별 LED 또는 LED 어레이가픽업되어타겟기판으로전사가능할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 发明内容本发明的目的在于提供一种能够形成具有单独的LED或LED阵列的LED结构并将该LED结构转移至目标基板的LED结构以及一种转移该LED结构的方法。 为此，本发明提供了支撑所述多个LED模块与基材粘合层具有通过在光热或支撑基板的至少一个键合到所述支撑基板照射所述支撑基板支撑基板粘接层的pn结结构 使固定LED模块以单个或阵列形式与支撑基板分离。 因此，本发明具有形成具有单独的LED或LED阵列的LED结构的优点，从而可以拾取单独的LED或LED阵列并将其转移到目标基板。
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公开(公告)号：KR1020170120328A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：KR1020160048652
申请日：2016-04-21
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
Abstract: 본발명의백색광원에관한것으로서, 광을출사하는발광다이오드와, 발광다이오드에결합되어발광다이오드로부터출사되는광을백색광으로변환하는백색변환층을구비하고, 백색변환층은 CHNHPbClBr(0 ≤ x ≤ 3)와 CHNHPbBrI(0 ≤ y ≤ 3) 중적어도하나를포함하는유기금속할로겐화물페로보스카이트물질이포함된다. 이러한백색광원에의하면, 가시광대역에서태양광스펙트럼과유사한발광패턴을제공할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的白光源包括用于发光的发光二极管和用于将从发光二极管发射的光转换成白光的白色转换层， 3）和CHNHPbBrI（0≤y≤3）。 根据这种白色光源，可以提供与可见光波段处的太阳光谱相似的光发射图案。
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公开(公告)号：KR1020160086004A
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020150002955
申请日：2015-01-08
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
CPC classification number: F21V5/002 , F21S2/005 , F21V5/04 , F21Y2101/00
Abstract: 본발명은 LED칩을 LED램프의렌즈층에나노크기의입자들을결합하여미 산란을유도함으로써후방으로의배광영역을확장시킬수 있는 COB 타입무지향성 LED램프에관한것으로서, LED칩과, 상기 LED칩이실장되는회로기판을포함하는조명부와; 상기조명부가설치되는본체와; 상기조명부에전원을공급하도록상기본체에결합되어외부전원에접속되는소켓부와; 상기조명부의상부를감싸도록형성되어상기조명부를보호하며상기 LED칩에서방출된빛이통과할수 있도록투명한소재로형성된베이스와, 상기베이스내부에분포되어상기베이스를통과하는빛을미 산란시키기위한산란입자들을포함하는렌즈부;를구비한다. 본발명에따른 COB 타입무지향성조명램프는 LED의배치를변경하거나, 램프의내부구조를변경하지않고후배광을형성하여제작단가의상승없이기존의조명과같은배광분포를얻음으로써제조단가하락을통해대중화에기여할수 있을뿐만아니라, 렌즈부에산란입자가분포된구조를적용함으로써원하는배광분포및 휘도의손실없이기존의조명과유사한배광분포및 조도를얻을수 있는장점을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及一种板载（COB）型无方向性LED灯。 纳米颗粒耦合到LED灯的透镜层以引起精细的散射，以使LED芯片在向后的方向上的光分布面积扩大。 LED灯包括：包括LED芯片的照明单元和安装有LED芯片的电路板; 具有安装在其上的照明单元的主体; 插座单元，其耦合到主体并连接到外部电源以向照明单元供电; 以及透镜单元，其包括由透明材料制成的基底，以使从LED芯片发出的光通过，并且形成为围绕照明单元的上部，以保护照明单元并散射分散在基座中的颗粒散射 光穿过基地。 COB型无方向性照明灯可以在不调节LED布置或改变灯的内部结构的情况下获得后分配光，以获得与常规灯相同的光分布，而不增加制造成本。 因此，COB型无方向性照明灯可以降低制造成本，以使得能够普及并且应用散射颗粒分布在透镜单元中的结构以获得期望的光分布或与没有亮度的常规灯相同的配光和亮度 失利。
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公开(公告)号：KR101617525B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150134842A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020140062159
申请日：2014-05-23
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 GaN 박막을포함한이종기판에에피층을성장시킴으로써, 버퍼를개재시키지않은상태에서에피층을형성할수 있으므로, 결정성이향상되며, 저렴하게제작할수 있는 GaN 박막을포함한이종기판, 이의제조방법, 이를구비하는발광소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 측면에따른 GaN 박막을포함한이종기판은, 이종기판인베이스기판; 및상기베이스기판의적어도일면에서로이격되어형성되는다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막으로이루어지는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有GaN薄膜的异质衬底，其制造方法，包括该GaN薄膜的发光器件及其制造方法。 可以通过在包括GaN薄膜的异质衬底上形成外延层来形成外延层而不插入缓冲层，从而提高结晶度。 外延层可以低成本制造。 根据本发明的一个方面的具有GaN薄膜的异质衬底包括：作为异质衬底的基底衬底; 和氮化镓（GaN）薄膜，其在基底基板的至少一个表面上彼此分离。
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