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公开(公告)号：KR1019970048863A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053669
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/02
Abstract: 본 발명은 광쌍안정 논리소자에 관한 것으로 특히, 반 절연 반도체 기판91)위에 화합물 반도체 다층거울층과 반사율 거울층을 성장시키는 제1과정과; 상기 제1과정에서 형성된 거울층위에 제1도전층을 형성하는 제2과정과; 상기 제2과정에서 형성된 제1도전층위에 광학적 활성중간층 다중 양자 우물층을 형성하는 제3과정과; 상기 제3과정에서 형성된 층위에 상기 제1도전층의 형성을 위해 사용되었던 도핑물질과 다른 성격의 도핑물질을 사용하되 극성이 같은 도핑물질을 사용하여 제2도전층을 형성하는 제4과정과; 상기 제4과정에서 형성된 제2도전층위에 반도체 거울층을 형성하는 제5과정과; 상기 제1과정에서 형성된 거울층위에 상기 제2과정 내지 제5과정에서 형성되는 층의 두꼐가 소정의 두께가 될때까지 상기 제2과정에서 제5과정까지의 과정을 순차적으로 반복 수행하는 제6과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 무전압 솽쌍안정소자의 제조방법 및 그에 따른 공명구조와 적층다이오드구조가 결합된 수적구조형 광변조기를 외부인가 전압없이 자체의 다이오드 바이어스에 의해 동작하도록 외부전원 없이 자체적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자의 구조를 제공하여 자체의 바이어스를 이용하며, Stacted 구조에 비대칭 공명구조를 결합함으로써 적층된 각 다이오드의 중간층의 두께를 줄여 자체 바이어스에 의해서도 충분히 큰 구동전계를 얻을 수 있도록 하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950021818A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029620
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광스윗치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중 양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작동하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019950021801A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026307
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 외부 인가전압 없이도 광 시스템에서 실용가능한 정도의 광 쌍안정을 실현 할 수 있는 광 논리소자의 창출을 그 내용으로 한다.
혼합물 반도체로 이루어진 얕은 다중양자 우물(Shal1ow Mutiple Quantum Well, SMQW)의 저전계흡수(low field electroabsoption) 특성과 비대칭 페브리 페롯(ASymmetric Fabry Perot, ASFP)공명 구조를 결합함으로써 이를 창출하였다.
ASFP공명구조로 이루어진 PIN다이오드 SEED는 그 구조특성상 광 흡수층인 다중양자 우물로 이루어진 진성영역의 두께를 일반적인 SEED구조보다 크게 줄여 줄 수 있다는 점에 착안하였다.
이는 일정한 내재전위(built in potential)를 가정할때, SMQW ASFP S-SEED회로에서의 인가전압 VAP=0일 경우의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이가 일반적인 SMQW S-SEED회로에서의 각 SEED에 존재하는 전계의 차이보다 크게 된다는 것을 뜻한다.
즉 각 SEED소자의 광 흡수율의 차이가 크게되고 광 쌍안정의 반사율 차이와 폭(width)이 증가된다는 것이다.
본 발명에 의한 적절한 소자설계는 Self-Biased SMQW ASFP S-SEED(VAP=D)의 두 다이오드 전계차이가 일반적인 SMQW S-SEED의 동작전압 VAP=5Volt일때의 두 다이오드 전계차이정도가 되도록 할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR102216864B1
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：KR1020170162241
申请日：2017-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본발명은단일모드분포궤환레이저다이오드를개시한다. 그의다이오드는제 1 및제 2 분포영역들과, 상기제 1 및제 2 분포영역들사이의위상천이영역을갖는기판과, 상기기판상에배치된하부클래드층과, 상기제 1 분포영역및 상기제 2 분포영역상의상기하부클래드층 내에각각배치된제 1 및제 2 브래그회절격자들과, 상기하부클래드층 상에배치되고, 상기제 1 분포영역에서상기제 2 분포영역까지연장하는도파로와, 상기도파로상에배치된상부클래드층과, 상기상부클래드층 상에배치된적어도하나의전극을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101797624B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020110053198
申请日：2011-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/005 , B82Y20/00 , G02B6/305 , G02B6/4206 , H01L33/0045 , H01L33/20 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01S5/02216 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/06226 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/141 , H01S5/2213 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/34306 , H01S2301/176
Abstract: 본발명은고속으로동작되는수퍼루미네센트다이오드및 그의제조방법과그를구비하는파장가변외부공진레이저를개시한다. 그의다이오드는, 활성영역과광모드크기변환영역으로정의되는기판과, 상기활성영역에형성된활성도파로와상기활성도파로에연결되어상기광모드크기변환영역에형성된접합도파로및 수동도파로를포함하는도파로들과, 상기활성도파로상에형성된전극과, 상기전극과상기도파로들양측의상기기판상에형성된평탄층과, 상기전극에전기적으로연결되고, 상기활성도파로외곽의상기평탄층 상에형성된패드를포함한다.
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公开(公告)号：KR101754280B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020110042251
申请日：2011-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/1028 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/2222 , H01S2301/16
Abstract: 반도체광 소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체광 소자는반도체기판의제1 모드변환영역, 광증폭영역, 제2 모드변환영역및 광변조영역상에각각배치된제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어; 및적어도광 증폭코어의측벽및 상부면을덮는전류차단부를포함한다. 제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어는일 방향을따라순차적으로배열되어서로버트결합(butt joint)되고, 전류차단부는차례로적층된제1, 제2 및제3 클래딩패턴들을포함한다. 제2 클래딩패턴은제1 도전형의도펀트로도핑되고, 제1 및제3 클래딩패턴들은제2 도전형의도펀트로도핑된다.
Abstract translation: 提供了一种半导体光学器件及其制造方法。 伊凡导体光学元件是第一模式转换区域，所述光放大区域，所述第二模式改变区域和各自布置在所述第一模式中的光调制的区域交换核心，光放大器芯，所述第二模式切换芯和半导体基板的光调制 核心; 以及电流阻挡部分，其至少覆盖光放大核心的侧壁和上表面。 第一模式转换核心，光学放大核心，第二模式转换核心和光学调制核心沿一个方向顺序布置以对接，并且电流中断部分包括第一，第二和第三包层 它包括一个图案。 第二包层图案掺杂有第一导电类型的掺杂剂，第一和第三包层图案掺杂有第二导电类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：KR1020160027597A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140115621
申请日：2014-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4214 , G02B6/4221 , G02B6/4249 , G02B6/4257
Abstract: 본명세서에서는다채널의광신호를송신또는수신하는다채널광모듈장치및 그것의제조방법을개시한다. 본명세서에따른다채널광모듈장치는, 광신호를전송하는다채널광섬유블록, 광신호를수신하는어레이광수신소자부를포함하는서브마운트및 금속광학벤치상에배치되고다채널광섬유블록으로부터전송되는광신호를어레이광수신소자부로유도하는반사부를포함하고, 광신호의어레이광수신소자부로의유도를위해반사부는어레이광수신소자부와수동정렬되고다채널광섬유블록은어레이광수신소자부와능동정렬된다.
Abstract translation: 多通道光模块装置及其制造方法技术领域本发明涉及发送或接收多信道光信号的多信道光模块装置及其制造方法。 根据本发明，多通道光模块装置包括：发送光信号的多通道光纤块; 子装置，包括用于接收光信号的阵列光接收元件部分; 以及反射部，放置在金属光学台上，并且将从多通道光纤块发送的光信号引导到阵列光接收元件部。 为了将光信号引导到阵列光接收元件部分，反射部分与阵列光接收元件部分手动配置，并且多通道光纤块主动地布置有阵列光接收元件部分。
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公开(公告)号：KR1020150114823A
公开(公告)日：2015-10-13
申请号：KR1020140039499
申请日：2014-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/141 , H01S3/1055 , H01S3/106 , H01S5/02284 , H01S5/0618 , H01S5/06226 , H01S5/1221
Abstract: 본발명은파장가변외부공진레이저에관한것으로서, 광신호를생성하는이득매질; 상기이득매질에결합되고, 브래그격자를포함하는외부반사경; 및전체레이저의위상을조절하되, 레이저의파장을상기외부반사경의반사율이최대가되는장파장쪽으로조절하는위상조절기를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及可调谐的外腔激光器，其包括产生光信号的增益介质，与增益介质组合并包括布拉格光栅的外部反射器，以及控制整个激光器的相位的相位控制器， 并且将激光的波长控制成长波长以最大化外部反射器的反射率。
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公开(公告)号：KR1020150104385A
公开(公告)日：2015-09-15
申请号：KR1020140026055
申请日：2014-03-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/06
CPC classification number: H01S5/142 , H01S3/105 , H01S5/005 , H01S5/0085 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02438
Abstract: 본 발명은, 파장 가변 레이저 장치에 관한 것으로서, 유입되는 레이저 광을 반사하고, 반사된 레이저 광의 파장을 가변하는 제1기판; 및 상기 제1기판으로부터 입력되는 레이저 광을 이득을 조절하고, 상기 레이저 광을 특정 파장을 반사시키며, 발진 되는 레이저 광의 위상을 조절하는 제2기판;을 포함하고, 상기 제1기판과 상기 제2기판은 단일 패키지의 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种相干可调激光装置，其包括反射输入的激光束并调谐反射激光束的波长的第一基板和控制从第一基板输入的激光束的增益的第二基板，反射 激光束的特定波长，并控制振荡激光束的相位。 第一基板和第二基板由单个封装形成。
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