公开(公告)号：KR1020080047238A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020070041618

申请日：2007-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김봉준 ,  최성열 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  김경옥

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/87 ,  H01L29/74 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

Abstract: An oscillation circuit based upon an MIT(metal insulator transition) device is provided to form an oscillation circuit capable of generating a very high oscillation frequency by adding only one resistance element connected in series with an MIT device. An MIT device(800) includes an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film wherein discontinuous MIT occurs at an MIT generation voltage in the MIT device. A resistance element(700) is connected in series with the MIT device. A power source(600) applies a DC constant voltage to the MIT device, limiting maximum conduction current. A light source(900) irradiates electromagnetic wave to the MIT device. An oscillation characteristic occurs in the MIT device by the irradiation of the electromagnetic wave of the light source. The light source can be an infrared light source, and the MIT generation voltage of the MIT device decreases as the intensity of the infrared of the light source increases.

Abstract translation: 提供了一种基于MIT（金属绝缘体转换）器件的振荡电路，以形成能够通过仅添加与MIT器件串联连接的一个电阻元件而产生非常高的振荡频率的振荡电路。 MIT装置（800）包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT装置中以MIT产生电压发生不连续MIT。 电阻元件（700）与MIT器件串联连接。 电源（600）向MIT装置施加直流恒定电压，限制最大传导电流。 光源（900）向MIT设备照射电磁波。 通过照射光源的电磁波，在MIT装置中产生振荡特性。 光源可以是红外光源，并且MIT装置的MIT产生电压随着光源的红外线强度的增加而减小。

公开(公告)号：KR100723872B1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：KR1020060015634

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  강광용 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  채병규

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/10 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148

Abstract: 구조변화를 겪지 않고 균일한 박막을 유지하며, 고속 스위칭 동작이 가능한 메모리소자 및 그 동작방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 전자의 에너지 변화에 의해 급격하게 금속-절연체 전이를 하는 금속-절연체 전이 물질층에 콘택되고, 열에 의해 용융되어 전이 물질층에 도전성 경로를 형성하는 적어도 2개의 전극들을 포함한다.
금속-절연체 전이, 구조변화, 도전성 경로. 메모리

公开(公告)号：KR1020060101208A

公开(公告)日：2006-09-22

申请号：KR1020060001677

申请日：2006-01-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  김경옥

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: 본 발명은 정격신호전압보다 낮은 잡음신호를 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 잡음 방지 회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬 연결된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함한다. 본 발명은 소정 전압에서 급격한 금속-절연체 전이 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 전기전자시스템에 직렬로 연결함으로써, 저전압 잡음을 효과적으로 제거할 수 있다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로, 노이즈 필터

公开(公告)号：KR1020060083104A

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020050048868

申请日：2005-06-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  임정욱 ,  김경옥 ,  맹성렬

IPC: H01M2/34

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막

公开(公告)号：KR101772588B1

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：KR1020110124220

申请日：2011-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  박종찬

IPC: G08B17/06

CPC classification number: G08B17/06 ,  H01C1/02 ,  H01C7/047 ,  H01H37/32 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0647 ,  H01L49/003 ,  H02H9/045

Abstract: 본발명은클리어컴파운드에폭시로몰딩한 MIT 소자및 그것을포함하는화재감지장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른화재감지장치는전원제어장치로부터전원을공급받는다. 상기화재감지장치는 MIT 칩을클리어컴파운드에폭시로몰딩한 MIT 소자; 상기전원제어장치로부터전원을공급받고, 무극성전원을제공하기위한다이오드브릿지회로; 상기다이오드브릿지회로로부터무극성전원을공급받고, 상기 MIT 소자로부터의감지신호에응답하여화재경보를알리기위한표시회로; 및상기감지신호를일정기간동안유지하기위한안정화회로를포함한다.

公开(公告)号：KR101312267B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020090002731

申请日：2009-01-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: 본 발명은 종래의 써미스터 또는 트랜지스터의 문제점을 해결할 수 있는, 3 단자 써미스터 소자, 그 써미스터 소자를 포함한 써미스터-트랜지스터, 그 써미스터-트랜지스터를 이용한 전력 트랜지스터 발열 제어회로 및 그 발열 제어회로를 포함한 전력 시스템을 제공한다. 그 전력 트랜지스터 발열 제어회로는 온도 증가에 따라 저항이 감소하는 써미스터 소자 및 상기 써미스터 소자에 연결된 제어 트랜지스터를 구비한 써미스터-트랜지스터; 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력을 공급 및 제어하는 적어도 1개의 전력 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 써미스터-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 전력 트랜지스터의 베이스나 게이트, 또는 컬렉터나 드레인에 연결되어, 상기 전력 트랜지스터의 온도 상승 시, 상기 써미스터-트랜지스터가 상기 전력 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 전력 트랜지스터의 발열을 방지한다.
써미스터 칩 소자, 트랜지스터 발열 제어

公开(公告)号：KR1020100073022A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020080131599

申请日：2008-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상국 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78

CPC classification number: H05K1/0201 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10053 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014

Abstract: PURPOSE: A power device package is provided to effectively prevent generation of a power device by using a small sized heat sink plate and an overheat preventing element which does not require replacement. CONSTITUTION: A signal applying terminal for applying a signal is formed in the adjacent to both sides in a longitudinal direction in a PCB(200). A power device(110) supplies power by being mounted in a specific region of the PCB. A MIT(Metal-Insulator Transition) device(150) controls the heat generation of a power device by being attached to the heat generating part of the power device. A cooling fin(300) is formed in one region of the upper part of the power device.

Abstract translation: 目的：提供功率器件封装，通过使用不需要更换的小型散热板和过热防止元件，有效防止发电装置的产生。 构成：用于施加信号的信号施加端子在PCB（200）中沿纵向的两侧相邻地形成。 功率器件（110）通过安装在PCB的特定区域来供电。 MIT（金属 - 绝缘体转换）装置（150）通过附接到电力装置的发热部分来控制电力装置的发热。 在功率器件的上部的一个区域中形成冷却翅片（300）。

公开(公告)号：KR1020090006452A

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：KR1020070069815

申请日：2007-07-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  채병규 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/45 ,  H01L45/1233

Abstract: The metal insulator phase changeable memory cell and a method of manufacturing thereof are provided to achieve the high current gain and performance characteristic regardless of the size of the memory cell by using the transistor and resistor having the MIT property. The MIT transistor(1) comprises the substrate(100). The insulating layer(110) is formed on the substrate. The MIT channel layer(120) is formed on the fixed region of the insulating layer. The source(130) and drain(135) are formed ate both sides of the MIT channel layer. The gate insulating layer(140) is formed on the insulating layer, the MIT channel layer, and the source and drain. The gate(150) is formed on the gate insulating layer in order to be positioned at the MIT channel layer, source, drain and the upper of the MIT channel layer.

Abstract translation: 提供金属绝缘体相变存储单元及其制造方法，以通过使用具有MIT特性的晶体管和电阻器来实现高电流增益和性能特性，而与存储单元的尺寸无关。 MIT晶体管（1）包括基板（100）。 绝缘层（110）形成在基板上。 MIT沟道层（120）形成在绝缘层的固定区域上。 源极（130）和漏极（135）形成在MIT沟道层的两侧。 栅极绝缘层（140）形成在绝缘层，MIT沟道层以及源极和漏极上。 栅极（150）形成在栅极绝缘层上，以便位于MIT沟道层，源极，漏极和MIT沟道层的上部。

公开(公告)号：KR100825760B1

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：KR1020060125063

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  채병규 ,  윤선진 ,  최성열 ,  이용욱 ,  임정욱 ,  최상국 ,  강광용

IPC: H01L29/84 ,  G01K7/00

CPC classification number: H01L49/003 ,  G01K3/005

Abstract: 본 발명은 급격한 MIT를 일으키는 전이 온도 또는 전이 전압을 요구되는 특정 온도 또는 특정 전압으로 가변할 수 있는 급격한 MIT 소자, 그 급격한 MIT 소자를 이용한 MIT 센서, 및 그 MIT 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발방지 회로를 제공한다. 그 급격한 MIT 소자는 전이 온도 또는 전이 전압에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT)를 일으키는 급격한 MIT 박막; 급격한 MIT 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막;을 포함하고, 전극박막으로 인가되는 전압, 급격한 MIT 박막에 영향을 미치는 전자파, 압력 및 개스 농도 변화 중 적어도 하나의 인자의 변화에 의해 전이 온도 또는 전이 전압이 가변된다. 그 MIT 센서는 급격한 MIT 소자를 이용하여 형성되고, 온도 센서, 적외선 센서, 이미지 센서, 압력 센서, 및 개스 농도 센서 및 스위치 등이 될 수 있다. 또한, 그 경보기는 MIT 센서; 및 MIT 센서에 직렬로 연결된 경보신호기;를 포함하고, 그 이차전지 폭발방지 회로는 이차전지; 이차전지에 부착되어 이차전지의 온도를 감지하여 이차전지의 폭발을 방지하는 MIT 센서; 및 이차 전지에 의해 전력을 공급받는 회로 본체;를 포함한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 온도 센서, 경보기 회로, 리튬이온 전 지 보호회로

公开(公告)号：KR100772508B1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：KR1020060018506

申请日：2006-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  윤선진 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  채병규

IPC: G01R31/12 ,  H02J7/02

Abstract: 주위의 잡음신호에 영향을 받지 않고, 간단한 구조로 부분방전을 직접 확인할 수 있는 부분방전 측정장치 및 이를 포함하는 측정시스템을 제공한다. 그 장치 및 시스템은 급격한 금속-절연체 전이를 하는 절연체의 부분방전에 의해 도전되는 피뢰부와, 피뢰부에 전기적으로 연결되고 제1 저항값 R
1 을 가지며 부분방전을 감지하는 제1 전극 및 제1 전극과 병렬로 연결되고 R
1 보다 작은 저항값 R
2 를 가지는 적어도 하나의 제2 전극을 포함한다.
급격한 금속-절연체 전이, 부분방전, 피뢰부