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公开(公告)号：KR101063298B1
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020080127292
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 기-액 상변화 냉각장치 및 이의 제작방법에 관한 것으로, 특히 압인공정을 통해 구현할 수 있는 냉각장치 및 이의 제작방법을 제공한다.
이를 위해 본 발명은 각각이 2개의 박판과 상기 박판 사이에 형성된 소결체를 포함하는 2개의 플레이트와, 상기 2개의 플레이트중 적어도 하나의 플레이트상에 압인 공정에 의해 형성된 냉각소자 구조물을 포함하고, 상기 냉각소자 구조물을 밀폐시키도록 상기 2개의 플레이트를 용접물질을 이용하여 결합함으로써 형성되는 냉각장치를 특징으로 한다.
소결체, 플레이트, 압인공정, 박판-
公开(公告)号：KR101030016B1
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020080127269
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명의 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극과, 제1 전극 상에서 제1 전극의 일부를 노출하는 포어를 갖는 절연층과 및 포어 측면에 형성된 발열 전극을 포함한다. 제1 전극과 연결되고 포어 내에 형성되면서 발열 전극과 접촉하는 상변화층이 형성되어 있다. 상변화층과 연결된 제2 전극과, 발열 전극의 일측부와 연결된 제3 전극과, 발열 전극의 타측부와 연결된 제4 전극이 형성되어 있다.
Abstract translation: 本发明的非易失性可编程开关元件包括形成在半导体衬底上的第一电极，具有暴露第一电极上的第一电极的一部分的孔的绝缘层以及形成在孔侧上的加热电极。 形成连接到第一电极并形成在孔中并与加热电极接触的相变层。 连接到放热电极的一侧的第三电极和连接到放热电极的另一侧的第四电极。
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公开(公告)号：KR100968888B1
公开(公告)日：2010-07-09
申请号：KR1020080096529
申请日：2008-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명의 상변화 메모리 소자를 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 복수의 단자를 구비하는 제 1 금속 전극층, 상기 기판의 상부에서 상기 제 1 금속 전극층의 단자를 연결하는 형태로 형성되고, 자기 발열형 채널 구조로 구성되는 상변화 재료층, 상기 제 1 금속 전극층 및 상기 상변화 재료층 상부에 형성된 절연층, 상기 제 1 금속 전극층의 상부에 형성된 비아 홀, 그리고 상기 비아 홀을 매립하는 형태로 형성된 제 2 금속 전극층을 포함한다. 따라서, 별도의 발열 전극을 사용하지 않고 상변화 물질 자체의 저항에 따른 발열 현상을 이용하여 메모리 동작을 수행함으로써, 금속 전극의 열전도에 따른 열손실을 최소화하여 스위치 소자의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
프로그래머블, 스위치, 상변화, 비휘발성 메모리, 재구성형 LSI-
公开(公告)号：KR1020100073073A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131658
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/101
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/10 , H01L31/022408 , H01L31/108
Abstract: PURPOSE: An infrared ray sensor and a manufacturing method thereof are provided to effectively reduce noises by removing a current which non-uniformly flows by using a sensing electrode classified into a rectangle block. CONSTITUTION: A substrate including a readout circuit and a reflecting layer(13) is formed. A sacrificial layer with an anchor region in a pad region on the substrate is formed. A bottom protection layer(20) is formed on the sacrificial layer. An inter-digitated sensing electrode(30) is formed by being extended from the pad region on the bottom protection layer. A sensing layer(40) and a top protection layer(50) are sequentially formed on the bottom protection layer and the sensing electrode. An opening(60), which exposes an inter-digitated region of the sensing electrode from one pad region and a part where the sensing electrode from the other pad region is separated by patterning the outcome, is formed.
Abstract translation: 目的：提供红外线传感器及其制造方法，通过使用分类为矩形块的感测电极去除不均匀流动的电流来有效地降低噪声。 构成：形成包括读出电路和反射层（13）的基板。 形成在衬底上的衬垫区域中具有锚定区域的牺牲层。 在牺牲层上形成底部保护层（20）。 通过从底部保护层上的焊盘区域延伸而形成数字化的感测电极（30）。 感测层（40）和顶部保护层（50）依次形成在底部保护层和感测电极上。 形成了通过图案化结果而将感测电极的数字化区域从一个焊盘区域暴露出来并且来自另一个焊盘区域的感测电极被分离的部分的开口（60）。
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公开(公告)号：KR1020100070907A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129649
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J5/20 , H01L31/101 , G01J1/02
Abstract: PURPOSE: A pixel for sensing infrared rays with resistance for correcting a signal, and a manufacturing method thereof are provided to effectively eliminate DC offset current by forming a correction resistor inside the pixel. CONSTITUTION: A pixel for sensing infrared rays with resistance for correcting a signal comprises a substrate(501), a bolometer assembly(510), a first metal pad(503), and a second metal pad. A signal obtaining circuit is formed inside the substrate. A correction resistor(505) and a reflective layer(507) are loaded on the substrate. The bolometer assembly is separated from the substrate and outputs a signal corresponding to infrared rays. The first and second metal pads output the signal input from the bolometer assembly to the signal obtaining circuit.
Abstract translation: 目的：提供用于感测具有用于校正信号的电阻的红外线的像素及其制造方法，以通过在像素内形成校正电阻器来有效地消除DC偏移电流。 构成：用于感测具有用于校正信号的电阻的红外线的像素包括基底（501），测辐射热计组件（510），第一金属垫（503）和第二金属垫。 在基板内形成信号获取电路。 校正电阻器（505）和反射层（507）被加载到基板上。 测辐射热计组件与基板分离并输出对应于红外线的信号。 第一和第二金属焊盘将从测辐射热计组件输入的信号输出到信号获取电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100070034A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128624
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03K19/17784 , H03K19/17728 , H03K19/17792
Abstract: PURPOSE: A programmable logic block of an FPGA using a phase-change memory device is provided to improve the performance of an operation by programming resistance of a phase change memory device individually. CONSTITUTION: An access transistor(Mu) for pull-up is connected to a power. An up phase change memory device(Ru) is connected to a transistor for pull-up. The phase change memory device(Rd) is connected to an up-phase change memory device. An output terminal is located between the up-phase change memory device and a down-phase change memory device. The access transistor(Md) for the full down is connected to the down-phase change memory device. The resistance of the up-phase change memory device and the down-phase change memory device is individually programmed.
Abstract translation: 目的：提供使用相变存储器件的FPGA的可编程逻辑块，以通过单独编程相变存储器件的电阻来提高操作的性能。 构成：用于上拉的存取晶体管（Mu）连接到电源。 上升相变存储器件（Ru）连接到用于上拉的晶体管。 相变存储器件（Rd）连接到上变相存储器件。 输出端子位于上变相存储器件和下变相存储器件之间。 用于全降温的存取晶体管（Md）连接到下变相存储器件。 单相编程上变相存储器件和下变相存储器件的电阻。
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公开(公告)号：KR1020100063613A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090026876
申请日：2009-03-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A nonvolatility programmable switch device using a phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a miniaturization of a device and a consumption power by providing 4 terminal type device structure with easily dividing a write and a reading. CONSTITUTION: A semiconductor film layer(140) is formed on a first metal electrode layer(120). An insulator film layer is formed on the semiconductor film layer. The insulator thin film layer includes a pore region(220) exposing a part of the semiconductor film layer. A reaction material layer(240) fills in the pore region of the insulator film layer. A second metal electrode layer(260) is formed on upper part of the reaction material layer. A phase change operational layer(280) is formed by a solid-state reaction with reacting the reaction material layer and the semiconductor film layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用相变存储器件的非易失性可编程开关器件及其制造方法，其通过提供容易划分写入和读取的4端子型器件结构来减小器件的小型化和消耗功率。 构成：半导体膜层（140）形成在第一金属电极层（120）上。 在半导体膜层上形成绝缘膜层。 绝缘体薄膜层包括暴露半导体膜层的一部分的孔区域（220）。 反应材料层（240）填充绝缘膜层的细孔区域。 第二金属电极层（260）形成在反应材料层的上部。 通过使反应材料层和半导体膜层反应而通过固相反应形成相变操作层（280）。
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公开(公告)号：KR1020090081302A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080022402
申请日：2008-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: A phase change memory device and a manufacturing method thereof for increasing operation stability and reliability are provided to increase the phase change memory device and distribution character of the set state resistance value. A phase change memory device comprises a phase change material layer(22). The phase change material layer is comprised of the germanium-antimony-tellurium system. The composition of the antimony added to the Ge2Sb2+xTe5 comprising the phase change material layer to the excess of quantity is 0.12~0.32. As to the Ge2Sb2+xTe5 comprising the phase change material layer, the structure of the crystalline state is comprised of the hcp single phase.
Abstract translation: 提供一种用于增加操作稳定性和可靠性的相变存储器件及其制造方法，以增加相变存储器件和设定状态电阻值的分布特性。 相变存储器件包括相变材料层（22）。 相变材料层由锗 - 锑 - 碲系统组成。 添加到包含相变材料层的Ge2Sb2 + xTe5中的锑的组成超过量为0.12〜0.32。 对于包含相变材料层的Ge2Sb2 + xTe5，结晶态的结构由hcp单相组成。
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公开(公告)号：KR100906152B1
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020070126847
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C04B35/16 , C04B111/90
CPC classification number: G01J5/20 , C22C1/04 , C23C14/14 , C23C14/3464
Abstract: 본 발명은 마이크로 볼로미터용 저항재료, 이의 제조방법 및 이를 포함한 마이크로 볼로미터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마이크로 볼로미터용 저항재료는 실리콘에 안티몬 또는 안티몬과 게르마늄을 혼합함으로 얻은 합금이며, 이런 저항재료는 높은 TCR을 가지며, 낮은 저항값을 나타낸다.
마이크로 볼로미터, 실리콘, 안티몬-
公开(公告)号：KR1020090063059A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020080047400
申请日：2008-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01H36/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L45/1608 , B82Y10/00 , H01L45/141 , H01L45/1666
Abstract: A programmable switch device and a method for manufacturing the same are provided to reduce a size of a switch device by forming the switch device of a simple structure comprised of two electrodes and a nano wire. A substrate(100) has a silicon oxide film by thermally oxidizing the surface of a silicon substrate or the silicon semiconductor substrate. A first electrode layer(110) is formed on the substrate. The first electrode layer is comprised of two first patterns(111) with a square shape and a second pattern(112) with a line shape connected to the first pattern. The first electrode layer is divided into two parts of both sides of a groove formed on the surface of the substrate. A second electrode layer(120) serving as the terminal of the switch device is formed in the upper part of the first electrode layer. A chalcogenide nano wire(130) is formed between the cross sections of the second pattern of the first electrode layer.
Abstract translation: 提供了可编程开关装置及其制造方法，通过形成由两个电极和纳米线组成的简单结构的开关装置来减小开关装置的尺寸。 通过热氧化硅衬底或硅半导体衬底的表面，衬底（100）具有氧化硅膜。 在基板上形成第一电极层（110）。 第一电极层由具有正方形的两个第一图案（111）和与第一图案连接的线形的第二图案（112）组成。 第一电极层被分成在基板的表面上形成的凹槽的两侧的两部分。 用作开关装置的端子的第二电极层（120）形成在第一电极层的上部。 在第一电极层的第二图案的横截面之间形成硫族化物纳米线（130）。
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