公开(公告)号：WO2017036918A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/070101

申请日：2016-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfass die folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2), B) Aufbringen einer elektrischen zweiten Kontaktstruktur (33) auf eine einem Aufwachssubstrat (20) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), C) Aufbringen mindestens einer elektrischen Isolierschicht (41, 42) auf die zweite Kontaktstruktur (33) und auf die Halbleiterschichtenfolge (2), D) Aufbringen einer ersten Kontaktstruktur (31), sodass die erste Kontaktstruktur (31) elektrisch mit einem dem Aufwachssubstrat (20) zugewandten Bereich (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) verbunden wird, E) Aufbringen einer weiteren elektrischen Isolierschicht (43) stellenweise zumindest auf die erste Kontaktstruktur (31), F) Erzeugen von elektrischen Kontaktflächen (51, 53), sodass mit dem Schritt F) eine Ausdehnung der Kontaktflächen (51, 53) in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Toleranz von höchsten 5 μm definiert wird.

Abstract translation: 用于光电子半导体芯片（1）umfass给定的顺序执行以下步骤的制备方法：a）提供（2），B）施加电第二接触结构（33）到一（生长基板的半导体层序列20）从半导体层序列背向（侧 2），C）施加至少一个电绝缘层（41，42）到所述第二接触结构（33）和所述半导体层序列（2），D）施加第一接触结构（31），使得所述第一接触结构（31）电连接到 面对的区域中的生长衬底（20）（21）被连接到，F）生成半导体层序列（2）中，e）将另一电绝缘层（43）至少地方（在第一接触结构31）（的电接触表面51，53）， 使得与在一个方向上的步骤F），接触表面的延伸部分（51，53）的距离（从与半导体层序列2） 它被定义最多5微米的公差。

公开(公告)号：WO2017036854A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/069883

申请日：2016-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HÖPPEL, Lutz

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/486 ,  H01L33/647

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (23) angegeben, der einen aktiven Bereich (39) aufweist, und einem Träger (3) mit einer ersten Trägerfläche (5), auf der der Halbleiterkörper angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche (7) auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite, wobei der Träger einen Verbundkörper (11, 13, 15) aufweist, der zumindest einen elektrisch leifähigen Leiterkörper (11, 13) und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper (15) aufweist, wobei sich der Leiterkörper von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche erstreckt und elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden ist, und wobei der Verbundkörper zugstabil ausgebildet ist.

Abstract translation: 它是包括提供一种具有有源区（39）的半导体主体（23）和支撑的光电子半导体芯片（1）（3），其具有（5）在其上的半导体本体被布置在第一支撑面和第二支撑面 （7）具有上侧远离主体的半导体侧上，其中所述载体是具有至少一个电leifähigen导体主体（11，13）和至少一个电绝缘模制体（15）的复合体（11，13，15），所述导体本体 达所述第二支承表面从第一支承表面延伸，并电连接到有源区，并且其中所述复合体中形成zugstabil。

公开(公告)号：WO2016180939A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060744

申请日：2016-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/38 ,  H01K5/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L24/30 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) weist einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkör- per (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halb- leiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zwei- ten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgese- hen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch lei- tend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden. Der erste Kon- takt (41) ist auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet. Die zweite Halb- leiterschicht (22) ist elektrisch leitend sowohl mit einem zweiten Kontakt (42) als auch mit einem dritten Kontakt (43) verbunden. Der zweite Kontakt (42) ist auf der dem Halb- leiterkörper zugewandten Vorderseite (51) des Trägers (5) und der dritte Kontakt (43) ist auf der dem Halbleiterkörper ab- gewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（1）包括支撑件（5）和由Halbleiterkör-（2），其具有半导体层序列的载体（5）上布置一个。 半导体层序列包括第一半导体层（21）和两个半导体层（22）之间的有源区（20）被布置和被提供用于母鸡以产生或接收电磁辐射。 在第一半导体层（21）是导电连接到趋向于第一接触（41）。 上从所述载体（5）的半导体主体后侧（52）远程一个侧的第一接触（41）形成。 第二半导体层（22）被连接到导电两者的第二接触（42）和第三触点（43）。 在面向所述载体（5）和第三接触（43）的半导体主体前表面（51）侧的第二接触（42）是在关断半导体本体面向载体（5）的后表面（52）形成。

公开(公告)号：WO2016120047A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/EP2016/050386

申请日：2016-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  RAMMELSBERGER, Stefanie ,  IKONOMOV, Julian

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, das eine elektrische Anschlussstelle (13a) umfasst, wobei -die elektrische Anschlussstelle (13a) eine Kontaktschicht (131) umfasst, die dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) zugewandt ist, -die elektrische Anschlussstelle (13a) zumindest eine Barriereschicht (132a) umfasst, die an einer dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) abgewandten Seite der Kontaktschicht (131) angeordnet ist, und -die elektrische Anschlussstelle (13a) eine Schutzschicht (133) umfasst, die an der der Kontaktschicht (131) abgewandten Seite der zumindest einen Barriereschicht (132a, 32b) angeordnet ist.

Abstract translation: 提供了一种具有一个电连接点（13A），其特征在于，-the电连接点（13A）包括一个接触层（131），其面对所述光电子半导体芯片（11），电连接点-the（13A）的至少一个的光电子半导体器件 包括阻挡层（132A），从光电子半导体芯片背向接触层（131）的侧部（11）布置，并且-the电连接点（13A），保护层（133），所述侧在其上从面向远离所述接触层（131） 该至少一个势垒层（132A，32B）被布置。

公开(公告)号：WO2016066477A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/EP2015/074258

申请日：2015-10-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  EICHINGER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/10 ,  H01L33/24 ,  H01L33/325 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der mindestenseinen n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der mindestens einen p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels einer ersten metallischen Anschlussschicht (8) elektrisch kontaktiert ist, und wobei zwischen der p-dotierten Halbleiterschicht (5) und der ersten Anschlussschicht (8) eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge (6) angeordnet ist, welche mehrere dielektrische Schichten (61, 62) mit verschiedenen Brechungsindizes aufweist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10）包括至少一个n掺杂半导体层（3），至少一个p-掺杂半导体层（5）和至少一个n掺杂半导体层（3）和所述至少一个p型掺杂半导体层之间 （5）布置的有源层（4），其中所述p掺杂半导体层（5）电第一终端金属层（8），并且其中所述p掺杂半导体层（5）和第一连接层之间的装置接触（8） 层（6）的反射电介质堆叠布置，其包括多个电介质层（61，62）具有不同的折射率的。

公开(公告)号：WO2015181071A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/EP2015/061387

申请日：2015-05-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  MUERMANN, Björn ,  ENGL, Karl ,  EICHINGER, Christian

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/42 ,  H01L51/442 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  Y02E10/549

Abstract: Es wird eine elektrische Kontaktstruktur (10) für ein Halbleiterbauelement (100) angegeben mit einer transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1), auf der eine erste metallische Kontaktschicht (2) aufgebracht ist, einer zweiten metallischen Kontaktschicht (3), die die erste metallische Kontaktschicht (2) vollständig überdeckt, und einer Trennschicht (4), die zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) und der zweiten metallischen Kontaktschicht (3) angeordnet ist und die die zweite metallische Kontaktschicht (3) von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) trennt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) mit einer solchen elektrischen Kontaktstruktur (10) angegeben.

Abstract translation: 存在用于设置有透明的导电的接触层（1）的半导体器件（100）的电接触结构（10），被施加到第一金属接触层（2），第二金属接触层（3），所述的第一金属接触层 （2）完全覆盖，并分离层（4）设置在所述透明导电接触层（1）之间，并且所述第二金属接触层（3）被布置和第二金属接触层（3）从透明导电接触层（1 ）分离。 此外，具有这样的电接触结构（10）的半导体装置（100）被指定。

公开(公告)号：WO2015176873A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/EP2015/058055

申请日：2015-04-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  MUERMANN, Björn ,  KOPP, Fabian ,  HÖPPEL, Lutz

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit den Schritten: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22), - Aufbringen einer ersten und einer zweiten Kontaktschicht (31, 32) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), - Aufbringen einer Kontaktmetallisierung (4) auf die zweite Kontaktschicht (31, 32) in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52), wobei - die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind, - im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4), und - im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten aufeinander folgen: eine dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4).

Abstract translation: 一种用于制造光电子半导体芯片（1）包括以下步骤的方法： - 提供半导体层序列（2）与活性区（22）， - 在半导体层序列施加第一和第二接触层（31，32）（2）， - 将 接触金属化物（4）在第一与第二接触层（31，32）上，并且在第二电接触区（51，52），其特征在于， - 所述第一和第二接触层（31,32）各自的透明导电氧化物形成 - 按照第一电接触区（51）下面的层依次为：半导体层序列（2），所述第一接触层（31，32），所述第二接触层（31，32），该接触金属化（4），以及 - 所述第二电接触区 随后（52）下面的层依次为：半导体层序列（2），所述第二接触层（31，32）的掺杂的半导体层（21），接触金属化物（4）。

公开(公告)号：EP3345225B1

公开(公告)日：2019-11-27

申请号：EP16756681.9

申请日：2016-08-22

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HÖPPEL, Lutz ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64 ,  H01L33/62

公开(公告)号：EP3345225A1

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：EP16756681.9

申请日：2016-08-22

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HÖPPEL, Lutz ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

Abstract: Disclosed is an optoelectronic semiconductor component (100), comprising a semiconductor body (1), which has a semiconductor layer sequence (2), a carrier (10), which has a plastic and a first through-contact (11) and a second through-contact (12), a p-contact layer (6) and an n-contact layer (8, 8A), at least some regions of which are arranged between the carrier (10) and the semiconductor body (1), a metal reinforcing layer (14), at least some regions of which are arranged between the n-contact layer (8, 8A) and the carrier (10), wherein the metal reinforcing layer (14) is at least 5 pm thick, and at least one p-contact hole (7) which is arranged between the first through-contact (11) and the p-contact layer (6), wherein the p-contact hole (7) is at least 5 pm thick and at least some regions of said hole are surrounded by the reinforcing layer (14). Furthermore, an advantageous method for producing such an optoelectronic semiconductor component (100) is disclosed.

公开(公告)号：EP2697835A1

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：EP12713140.7

申请日：2012-04-04

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert ,  EBERHARD, Franz ,  VEIT, Thomas ,  KÄMPF, Mathias ,  DENNEMARCK, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for producing a semiconductor body (3) is specified, comprising the following steps: - providing a semiconductor wafer having at least two chip regions (1) and at least one separating region (2) arranged between the chip regions (1), wherein the semiconductor wafer comprises a layer sequence, the outermost layer of which has, at least within the separating region (2), a transmissive layer (8) that is transmissive to electromagnetic radiation, - carrying out at least one of the following measures: removing the transmissive layer (8) within the separating region (2), applying an absorbent layer (16) within the separating region, increasing the absorption coefficient of the transmissive layer within the separating region, and - separating the chip regions (1) along the separating regions (2) by means of a laser.