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公开(公告)号：CN101449347A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780017871.2
申请日：2007-04-04
Applicant: LV传感器股份有限公司
IPC: H01G5/00
CPC classification number: G01L9/0073 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0814 , G01P2015/0831 , G01P2015/084 , H01L28/40
Abstract: 本文公开的器件是在所有关键压力点上都具有单晶硅的电容性传感器。通过开槽和重新填充形成隔离沟槽，来形成电介质隔离的用于驱动、传感和保护的导电硅电极。对于根据本发明的压力传感器件，其为便于封装，使压力孔与电引线接合焊盘相反。还描述了测量平面内加速度和平面外加速度的双轴加速度计。通过原样复制加速度计并令其绕其平面外轴旋转90度容易实现平面内的第三轴。用此工艺技术可生成谐振斜钩、角速度传感器、辐射热测量仪、及许多其他结构。关键优点是密闭性、垂直通孔、垂直和水平间隙能力、单晶材料、晶片级封装、小尺寸、高性能和低成本。
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公开(公告)号：CN100335905C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN02817352.X
申请日：2002-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01P15/18 , B81B3/0051 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0181 , B81B2203/053 , B81B2203/058 , G01C19/5719 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0842
Abstract: 一种微结构，包括：质量块；在其中可动地容纳了质量块的基底构件。质量块包括暴露于基底构件之外的表面以及限动线，所述限动线布置在质量块的所述表面上方，以抑制质量块的过度运动。
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公开(公告)号：CN1946629A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580007234.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2203/0353
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN1913143A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610115412.5
申请日：2006-08-08
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: G01C19/5719 , B81B2201/0242 , B81B2201/042 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，其包括：芯片，其具有基底半导体层、设置在所述基底半导体层上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层上的上半导体层；安装基板，所述芯片在所述基底半导体层处被安装在该安装基板上；以及连接部分，用于对设置在所述安装基板上的第一端子与所述基底半导体层的表面或设置在该表面上的第二端子进行电连接。
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公开(公告)号：CN108663540A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810238485.6
申请日：2018-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 田中悟
IPC: G01P15/125
CPC classification number: B81C1/00166 , B60R16/0231 , B60R25/24 , B81B3/0008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C2201/0133 , B81C2201/0187 , G01P15/125 , G01P2015/0831
Abstract: 本发明涉及物理量传感器及其制造方法、电子设备、移动体。物理量传感器的制造方法具有在基板上形成第一固定电极、第二固定电极和虚拟电极的电极形成工序、以及可动体形成工序，电极形成工序具有以下工序：在基板上形成第一掩模层；在基板上以及第一掩模层上成膜第一导电层并去除第一掩模层而形成第一电极材料层；在基板上以及第一电极材料层上成膜第二导电层；在第二导电层上成膜掩模材料层并将俯视观察时掩模材料层的未与第一电极材料层重叠的部分的局部去除而形成第二掩模层；以及以使第二导电层设于第一电极材料层上及基板上的方式将第二掩模层作为掩模对第二导电层进行蚀刻而形成第二电极材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107032293A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610985268.4
申请日：2016-10-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2201/013 , B81C2203/0145 , B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B7/0058 , B81C1/00682
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，所述微机械构件具有衬底和与所述衬底连接并且连同所述衬底包围第一空穴的罩，其中，在所述第一空穴中存在第一压力并且包围具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在所述衬底中或在所述罩中构造连接第一空穴与所述微机械构件的周围环境的进入开口；其中，在第二方法步骤中，调节所述第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分；其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光器引入能量或热量到所述衬底的或所述罩的吸收部分中来封闭所述进入开口，其中，在第四方法步骤中，在所述衬底的或所述罩的背向所述第一空穴的表面中在所述进入开口的区域中构造凹槽，所述凹槽用于容纳所述衬底的或所述罩的在所述第三方法步骤中转换为液态物态的材料区域。
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公开(公告)号：CN107010593A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710028585.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B3/0008 , B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B7/02
Abstract: 器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中，第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中，第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。
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公开(公告)号：CN106976839A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710032426.9
申请日：2017-01-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81B2207/056 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , G01P3/26 , G01P15/00
Abstract: 本发明提出用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，罩与衬底包围第二空穴，第二空穴中存在第二压力且包含具有第二化学组分的第二气体混合物，第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，第二方法步骤中，设定第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，第三方法步骤中，通过借助于激光将能量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，第四方法步骤中，构造布置在第一空穴与第二空穴之间的空隙，用于排出第一气体混合物的第一微粒类型和/或第二气体混合物的第二微粒类型。
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公开(公告)号：CN104995130B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201480008678.2
申请日：2014-03-13
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·巴斯卡兰
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81B2207/012 , B81C1/00015 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , H01L23/315 , H01L2224/16 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN106938837A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610903062.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/038 , B81C2203/0735 , H01L28/20 , B81B7/0035 , B81C1/00277
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。
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