公开(公告)号：CN107244645A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710470903.X

申请日：2017-06-20

Applicant: 重庆大学

Inventor： 尚正国 ,  牟笑静

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/17

CPC classification number: B81B3/0035 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00349 ,  H03H9/171

Abstract: 本发明涉及一种硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法，所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层；所述结构层衬底与器件层衬底形成空腔，布拉格反射层位于空腔正上方，辅助层作为功能层图形化的辅助层和功能层并列设置在晶种层之上。本发明的谐振器通过布拉格反射层与空腔型结构的有机结合，可最大限度地抑制声波损耗，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN107089639A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710086332.X

申请日：2017-02-17

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： B·巴尔 ,  Z·克里沃卡皮奇

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  H01L29/785 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/02314 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00047 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明涉及MEMS为基础的共振鳍式场效晶体管，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、耦接至该半导体衬底的鳍片、在该等鳍片上的FinFET、用于该等FinFET的共栅极、在该半导体衬底上的介电层、以及在该等FinFET上面的互连结构，该介电层围绕空腔且该半导体衬底通过全内反射提供该声腔的底端约束，该互连结构包括用以将该空腔中的声能约束的(多个)声子晶体，包括合夹于两个介电层间的该空腔及(多个)金属层。该半导体衬底可在FinFET的FEOL制作期间，通过在半导体衬底的表面上形成空腔来实现。接着，在制作该FinFET之后，就该FinFET形成互连结构。在形成该互连结构期间，该互连结构的材料用于形成用以将介于该声子晶体与该半导体衬底间的空腔约束的声子晶体。

公开(公告)号：CN106536067A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038431.X

申请日：2015-07-14

Applicant: 蝴蝶网络有限公司

Inventor： 乔纳森·M·罗思伯格 ,  苏珊·A·阿列 ,  基思·G·菲费 ,  内华达·J·桑切斯 ,  泰勒·S·拉尔斯顿

IPC: B06B1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N29/2406 ,  A61B8/4483 ,  B06B1/0292 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/1461

Abstract: 描述了与互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底集成的微加工超声换能器，以及制造这种装置的方法。制造可以涉及两个单独的晶片接合步骤。晶片接合可以用于在衬底(302)中制造密封腔(306)。晶片接合也可用于将衬底(302)接合至另一衬底(304)，例如CMOS晶片。至少第二晶片接合可以在低温下进行。

公开(公告)号：CN103189974B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280003531.5

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社大真空

Inventor： 古城琢也

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H03B5/32

CPC classification number: H05K5/061 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  H01L23/10 ,  H01L41/0533 ,  H01L2224/16225

Abstract: 电子零件用封装上，设有装载电子零件元件的底座、以及通过封装构件接合在所述底座上将所述电子零件元件气密封装且含有导电性材料的盖子。此外，所述底座上设有底部和从所述底部延伸出的壁部，通过所述底部和所述壁部在所述底座一主面形成装载所述电子零件元件的空腔，并形成用于电气接合所述电子零件元件电极的电极垫、用于电气连接外部的外部端子、以及将所述电极垫和所述外部端子电气连接的配线图案。其中，所述外部端子含有接地用GND端子，所述配线图案含有在所述壁部形成的用于将所述盖子与所述GND端子连接的壁部用GND配线图案、以及所述空腔内的所述底座一主面上形成的用于将所述电子零件元件与所述GND端子连接的电子零件元件用GND配线图案。此外，将所述电子零件元件用GND配线图案和所述壁部用GND配线图案连结的连结部在所述底座的平面视角中，未露出在所述空腔，而位于所述底部和所述壁部的叠层间。

公开(公告)号：CN105874708A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201580003444.3

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 开田弘明 ,  龟田英太郎 ,  竹山佳介 ,  中村大佐

IPC: H03H9/02 ,  B81B3/00 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0154 ,  B81B2203/058 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/155 ,  H03H2009/2421

Abstract: 本发明提供MEMS元件，其是能够抑制保持部的延伸的方向中的收缩振动所导致的电阻值的变动并且实现高精度的振荡器的MEMS元件。MEMS元件10由框11、接收驱动信号的输入的矩形板12以及将该矩形板12固定于框11的保持部13构成。框11与矩形板12均以具有短边与长边的矩形构成。保持部13被设置为从矩形板12的对置的短边的中央部分向框11侧延伸，并且将矩形板12相对于框11进行固定。矩形板12的长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)为1.3～1.6，优选为1.46。电阻膜19是沿着连接将矩形板12固定于框11的保持部13的直线上的区域，根据振动分布形成于最大位移的一半以下的区域。

公开(公告)号：CN103650343B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280023350.9

申请日：2012-05-11

Applicant: 芬兰国家技术研究中心

Inventor： 米卡·普伦尼拉 ,  安特尔·亚科拉 ,  托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。

公开(公告)号：CN102577118B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201080043268.3

申请日：2010-09-27

Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司

Inventor： 阿尔内·奥亚 ,  图奥马斯·彭萨拉 ,  约翰纳·梅尔塔乌什

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  H03H3/013 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/02259 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0271 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2436 ,  H03H9/2452 ,  H03H9/2463 ,  H03H2003/027 ,  H03H2003/0407 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02511 ,  H03H2009/241 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及微机械谐振器，包括：第一材料(2)的基底(1)；悬挂至支承结构(1)的谐振器(3)，谐振器(3)至少部分地具有与支承结构的材料相同的材料(2)，并且形成用于以特定频率f0谐振的尺寸；用于启动、维持谐振器(3)的谐振并且将谐振器(3)的谐振耦接至外部电路(6)的耦接装置(5)；以及所述谐振器(3)包括有第二材料(4)，第二材料(4)的热性质不同于第一材料(2)的热性质。根据本发明，谐振器(3)包括集中位于所述谐振器(3)的特定位置的第二材料(4)。

公开(公告)号：CN104811138A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410095278.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 加高电子股份有限公司

Inventor： 李炘纮 ,  谢水源

IPC: H03B5/04 ,  H03L1/02 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03L1/022 ,  B81B7/0087 ,  B81B2201/0271 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/08 ,  H03H9/2452

Abstract: 一种温度补偿振荡器与其控制方法。此振荡器包含微机电振荡子组、加热器以及控制器。微机电振荡子组包含第一微机电振荡子与第二微机电振荡子。第一微机电振荡子是根据控制信号来输出主要振荡频率。第二微机电振荡子是根据第二微机电振荡子的温度来输出辅助振荡频率。加热器是提高微机电振荡子组的温度。控制器是根据主要振荡频率与辅助振荡频率间的差值来控制加热器。在此控制方法中，首先提供上述的微机电振荡子组。接着，计算主要振荡频率与辅助振荡频率间的频率差值。然后，根据频率差值来控制加热器调整微机电振荡子组的温度。

公开(公告)号：CN102035494B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201010293408.4

申请日：2010-09-26

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 罗伯特·詹姆斯·帕斯科·兰德

IPC: H03H9/05

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  H03H9/2447 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种谐振器(2)，具有有效弹簧常数(kz)，并包括适合沿振荡方向谐振的梁(4)，所述梁(4)具有梁弹簧常数(kB)，所述梁(4)与所述振荡方向成非零角度θ而延伸，其中，所述谐振器具有预定几何结构，并由一种或多种材料形成，每一种材料具有热膨胀系数(CTE)，每一种材料的CTE连同所述谐振器的预定几何结构一起引起θ随温度而变化，从而补偿梁弹簧常数的温度依赖性，使得所述谐振器的有效弹簧常数在工作温度范围内基本上保持恒定。

公开(公告)号：CN104507854A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040649.X

申请日：2013-07-08

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 玛丽亚姆·萨达卡 ,  伯纳德·阿斯帕 ,  克里斯特勒·拉加赫·布兰查德

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0792 ,  H03H9/10

Abstract: 用以形成半导体设备的方法，该半导体设备包括集成电路以及与集成电路操作地联接的微机电系统(MEMS)设备。可以将集成电路的至少一部分制造在基板的表面上，并且可以将MEMS设备形成在所述集成电路的所述至少一部分之上。所述MEMS设备可以与所述集成电路操作地联接。使用这种方法形成了半导体结构以及包括这种结构的电子设备。