公开(公告)号：CN104671186A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410694629.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.科尔布 ,  A.迈泽 ,  T.施勒泽 ,  W.维尔纳

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  G01H1/00 ,  G01H11/06 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/12 ,  G01N27/223 ,  G01P15/125

Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。

公开(公告)号：CN104345106A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375754.5

申请日：2014-08-01

Applicant: 克洛纳测量技术有限公司

Inventor： W.奎佩尔斯

IPC: G01N30/68

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00341 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/626 ,  G01N30/6095 ,  G01N30/68 ,  G01N2030/8881

Abstract: 本发明涉及用于制造功能单元的方法和相应的功能单元，具体而言描述且示出了用于制造带有气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)的功能单元的方法。本发明的目的在于，提出一种用于制造功能单元的方法，该方法在现有技术的扩展方面提供了改进。该目的在讨论的方法方面以如下方式来实现，即使得气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)一起在多层陶瓷(6)中制造。本发明此外涉及利用该方法制造的功能单元。

公开(公告)号：CN101479185B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200780024350.X

申请日：2007-06-14

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 马克·斯沃罗斯基 ,  大卫·D·R·谢弗里 ,  包斯卡·菲利普

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00198 ,  B81B2201/0292 ,  H03H3/0072

Abstract: 一种制造集成在硅衬底中的MEMS器件的方法。在制造MEMS器件的同时，可以加工诸如具有高电容密度的沟槽电容器之类的无源元件。该方法尤其适合于谐振频率在10MHz范围内的MEMS谐振器。

公开(公告)号：CN101927978A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010204843.5

申请日：2010-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·C·萨普 ,  李正文 ,  L·A·克莱文格 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  R·A·库翁 ,  C·J·雷登斯

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0292

Abstract: 本发明涉及具有平行板电极的自对准纳米尺寸器件。相连的深沟槽包括第一沟槽部分以及第二和第三沟槽部分，第一沟槽部分具有在第一平行侧壁的对之间的恒定宽度，第二和第三沟槽部分中的每一个具有大于第一沟槽部分的宽度且横向地连接到第一沟槽部分。采用非保形沉积工艺形成导电层，该导电层在相连的深沟槽部分内具有锥形的几何形状，以便在相连的深沟槽的底表面上不存在导电层。形成间隙填充层以填塞第一沟槽部分中的空间。将导电层构图成两个导电板，这两个导电板中的每一个具有位于第一沟槽部分内的锥形垂直部分。在去除了间隙填充层的剩余部分之后，形成了这样的器件，该器件在所述导电板的锥形垂直部分之间具有小间隔距离。

公开(公告)号：CN1681141A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510059977.1

申请日：2005-04-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山口浩文 ,  根萩隆智 ,  吉冈邦彦

IPC: H01L41/08 ,  G01N11/16

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0292 ,  G01N9/002 ,  G01N9/36 ,  G01N11/16 ,  H01L41/0973

Abstract: 本发明的目的是提供灵敏度高的传感器元件。本发明提供的压电/电致伸缩膜元件是由在周边部上拥有较厚部的较薄隔板部的陶瓷形成的基板上，顺次叠置下部电极及辅助电极、压电/电致伸缩膜、和上部电极形成。其时，上部电极的长度为较薄隔板部的长度的30％以上(含 30％)70％以下(含70％)。

公开(公告)号：CN1675126A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818563.6

申请日：2003-05-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 朱尔根·A.·弗斯特纳 ,  斯蒂文·M.·史密斯 ,  雷蒙德·M.·鲁普

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: 提供了一种用来制作MEMS结构(69)的方法。根据此方法，提供了其上淀积有互连金属(53)的CMOS衬底(51)。通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)，在衬底上产生了MEMS结构。伴随PACVD使用的低的淀积温度使得这些材料能够在集成CMOS工艺的后端被用于制造MEMS。

公开(公告)号：CN1669177A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03817237.2

申请日：2003-06-27

Applicant: 微制造公司

Inventor： E·R·布朗 ,  J·D·艾丹斯 ,  C·A·邦格 ,  A·L·科恩 ,  M·S·洛卡德 ,  D·R·斯莫利 ,  M·格洛瑟

IPC: H01P3/06 ,  H01P5/18 ,  H01P11/00

CPC classification number: H01P11/005 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0109 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D1/003 ,  H01P1/202 ,  H01P3/06 ,  H01P5/183 ,  H01P11/00

Abstract: 提供射频和微波辐射导引或控制元件，其可为单片集成的、可由多项电沉积操作和/或由多个沉积层材料形成、可包括开关、电感器、天线、传输线、滤波器、混合耦合器、天线阵列和/或其它有源或无源元件。元件可包括可用来分离牺牲材料与结构材料的非辐射进入和非辐射离开通路。较佳的形成工艺使用电化学制造技术(例如包括选择性沉积、体块沉积、蚀刻操作及平坦化操作)以及后沉积工艺(例如选择性蚀刻操作和/或回填操作)。

公开(公告)号：KR1020050026078A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020057001759

申请日：2003-05-13

Applicant: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드

Inventor： 포에르스트너,주에르젠,에이. ,  스미스,스티븐,엠. ,  루프,레이몬드,머빈

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.

Abstract translation: 提供了一种用于制造MEMS结构（69）的方法。 根据该方法，提供具有沉积在其上的互连金属（53）的CMOS基板（51）。 通过等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）在由硅和硅 - 锗合金组成的组中选择的材料在衬底上产生MEMS结构。 使用PACVD的低沉积温度允许这些材料用于集成CMOS工艺后端的MEMS制造。

公开(公告)号：KR1020160046835A

公开(公告)日：2016-04-29

申请号：KR1020167006570

申请日：2014-08-27

Applicant: 노스롭 그루먼 시스템즈 코포레이션

Inventor： 박,재이

IPC: G02B6/122 ,  B81B3/00 ,  B82Y20/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0029 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0093 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/1228

Abstract: 광학-마이크로파-양자변환기는광학신호들을전송하고수신하도록구성되는테이퍼진광학섬유를포함할수 있다. 상기광학-마이크로파-양자변환기는캔틸레버또한포함할수 있고, 상기캔틸레버는나노광자결정을포함하는광공진기(optical cavity)를포함할수 있다. 상기광공진기는상기테이퍼진광학섬유로부터내뿜어진광자들에의해유도된전자기여기에대응하여기계적여기를제공하도록구성될수 있다. 상기캔틸레버는기계적여기에대응하여초전도공동상에전기적변조를유도하도록구성되는기계적연결기또한포함할수 있다. 상기기계적연결기는초전도공동으로부터의광자들에의해유도된전자기여기에대응하여기계적여기를제공하도록또한구성될수 있다. 상기광공진기는기계적여기에대응하여상기테이퍼진광학섬유상에광학적변조를유도하는전자기여기를제공하도록또한구성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020110077522A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020090134132

申请日：2009-12-30

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 이동원 ,  최영수

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0035 ,  B81B7/0019 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/031

Abstract: PURPOSE: A micro-stage having a piezo resistance displacement sensor and a chevron beam structure is provided to amplify displacement of a column driver having a large shift through the chevron beam structure extended from four sides of a platform to vertical and horizontal directions. CONSTITUTION: A micro-stage having a piezo resistance displacement sensor and a chevron beam structure includes a platform(100), an extension beam(200), a chevron beam(300), a piezo resistance displacement sensor, and a column driver(400). The platform has a square shape, and a sample is placed in the center of the platform. The extension beam is extended from one side of the platform. The extension beam includes an electrode for preventing the extension beam from being bent to a specific axis. The chevron beam has a 'V' shape, and the center thereof is connected to the extension beam. The chevron beam draws the extension beam to drive the platform when the piezo resistance displacement sensor is driven. The piezo resistance displacement sensor is driven to a particular direction by generating Joule heat when a voltage is applied thereto. The piezo resistance displacement sensor comprises two integrated column drivers.

Abstract translation: 目的：提供具有压电阻位移传感器和人字形梁结构的微型平台，用于放大通过从平台的四个侧面延伸到垂直和水平方向的人字形梁结构具有大偏移的列驱动器的位移。 构造：具有压电阻位移传感器和人字形梁结构的微型平台包括平台（100），延伸梁（200），人字形梁（300），压电阻位移传感器和列驱动器（400 ）。 该平台具有正方形形状，样品放置在平台的中心。 延伸梁从平台的一侧延伸。 延伸梁包括用于防止延伸梁弯曲到特定轴线的电极。 人字形梁具有“V”形，其中心连接到延伸梁。 当压电阻力位移传感器被驱动时，人字形梁拉伸延伸梁来驱动平台。 当施加电压时，通过产生焦耳热来将压电阻位移传感器驱动到特定的方向。 压电阻位移传感器包括两个集成的列驱动器。