公开(公告)号：CN1613154A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02826974.8

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 达纳·R·德吕斯

IPC: H01L29/84 ,  H01L29/82

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施例，提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层，该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块，该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中，当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。

公开(公告)号：CN1462482A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN01816135.9

申请日：2001-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  石桥清志 ,  西上武文

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0109 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本发明涉及采用半导体加工技术形成薄膜结构体的制造方法，其目的是，提供一种能够减小热收缩时腐蚀膜与基板之间所产生的应力差的薄膜结构体的制造方法。为实现上述目的，在该薄膜结构体的制造方法中，形成于基板(1)上的腐蚀膜(51)由磷浓度设定为大于3mol％而小于4mol％的值的PSG膜形成。对于腐蚀膜(51)，在其上形成薄膜层(53)，在使该薄膜层(53)形成图案之后，通过腐蚀处理将其除去。

公开(公告)号：CN1440924A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02161111.4

申请日：2002-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银圣 ,  李文喆 ,  金显玉

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109

Abstract: 本发明公开了一种微电子机械系统结构及其制造方法，该结构具有固定到衬底上的固定部分和连接到固定部分上并浮置在衬底上面的浮动部分，该方法包括：在衬底上沉积牺牲层；构图该牺牲层，形成围绕至少将要形成该固定部分的一部分的间隔；在牺牲层上沉积微电子机械系统结构层，在该间隔内形成侧壁，在该牺牲层上形成固定部分和浮动部分；以及，用蚀刻剂除去该牺牲层，其中蚀刻剂对固定部分相对应的那部分牺牲层的应用由侧壁阻隔开，由侧壁阻隔开的牺牲层没有被蚀刻剂除去。由于连接部分制为与固定部分和浮动部分具有相同的厚度，可以提供一种坚固/可靠的微电子机械系统结构。

公开(公告)号：CN1061203C

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN95196202.7

申请日：1995-10-17

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: H04N9/31 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00214 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00174 ,  B81C2201/0109 ,  G02B26/0858 ,  H04N9/30

Abstract: 薄膜致动反射镜阵列，包括：有源矩阵，具有含连接端子和晶体管阵列的基底；致动结构阵列，各致动结构包括第二薄膜电极，下电致位移元件，中间薄膜电极，上电致位移元件和第一薄膜电极，其制法包括：提供有源矩阵并在其顶上形成薄膜待除层；选择地去除薄膜待除层；在其上形成第二薄膜电极层；选择地去除第二薄膜电极层；淀积下电致位移层；形成中间电极层；淀积上电致位移层；形成第一薄膜电极层，将形成的多层结构构形成半成品致动结构阵列；去除薄膜待除层。

公开(公告)号：CN1190788A

公开(公告)日：1998-08-19

申请号：CN97116108.9

申请日：1997-07-31

Applicant: SGS-汤姆森微电子有限公司

Inventor： 马里奥·福罗尼 ,  保罗·费拉里 ,  本尼德托·维格纳 ,  弗莱维奥·维拉

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0728 ,  B81C2203/075 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/764

Abstract: 本发明方法包括步骤:在衬底(1)上形成一消耗隐埋区;在隐埋区上生长一多晶区(80)的半导体材料层(8),在别处生成一单晶区(81);有选择地去除多晶区(80)的一部分以形成沟槽;经沟槽(20)除去消耗隐埋层。这样由沟槽(20)环绕的多晶(80)的部分(80′)就形成了一悬浮结构,并与其它部分(80,80″)分离、隔热。电子元件(12－14)可在单晶区(81)上形成,一专用区(24)在悬浮结构上形成,从而电子元件可与静态、运动或动态的微结构(30)集成于同一芯片内。

公开(公告)号：CN1163689A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN95196202.7

申请日：1995-10-17

Applicant: 大宇电子株式会社

Inventor： 闵庸基

IPC: H04N9/31 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00214 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00174 ,  B81C2201/0109 ,  G02B26/0858 ,  H04N9/30

Abstract: 薄膜致动反射镜阵列，包括：有源矩阵，具有含连接端子和晶体管阵列的基底；致动结构阵列，各致动结构包括第二薄膜电极，下电致位移元件，中间薄膜电极，上电致位移元件和第一薄膜电极，其制法包括：提供有源矩阵并在其顶上形成薄膜待除层；选择地去除薄膜待除层；在其上形成第二薄膜电极层；选择地去除第二薄膜电极层；淀积下电致位移层；形成中间电极层；淀积上电致位移层；形成第一薄膜电极层，将形成的多层结构构形成半成品致动结构阵列；去除薄膜待除层。

公开(公告)号：CN107809717A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201611158765.3

申请日：2016-12-14

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 俞一善

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H01L51/0048 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2231/003

Abstract: 本申请涉及一种高灵敏度麦克风及其制造方法。该高灵敏度麦克风包括：基板，其具有设置于其中央部分中的穿透部分；振动膜，其设置在基板上并覆盖穿透部分；固定膜，其安装在振动膜上方，通过介于两者之间的空气层而与振动膜隔开，并该固定膜具有在朝向空气层的方向上穿孔的多个进气口；以及多个支柱，其作为固定膜和振动膜之间的竖直弹性柱，并通过摩擦力机械地固定振动膜而所施加的电压无关。

公开(公告)号：CN105712288B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410724507.1

申请日：2014-12-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0111

Abstract: 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。

公开(公告)号：CN106687407A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201480079923.9

申请日：2014-06-16

Applicant: 埃普科斯股份有限公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： G.亨 ,  M.吉森 ,  A.邓德克 ,  J-L.波宁 ,  D.圣-帕特赖斯 ,  B.赖格

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明涉及一种微电子封装（1），包括：具有至少第一开口（3）并且限定第一腔体（4）的微电子结构（2）；具有至少第二开口（10）并且限定连接到第一腔体（4）的第二腔体（11）的封盖层（9），其中封盖层（9）布置在微电子结构（2）之上使得第二开口（10）布置在第一开口（3）之上；以及覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔体（4）和第二腔体（11）。而且，本发明涉及制造微电子封装（1）的方法。

公开(公告)号：CN104760925B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410007410.9

申请日：2014-01-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

Abstract: 本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构，这样可以制备出最小尺寸等于最小线宽的支撑梁，同时，该方法对光刻的套准精度要求比较低，减小了工艺难度。