Abstract:
Die Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder eine Maskeninspektionsanlage. Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist das refiektive optische Element eine optische Wirkfläche, ein Substrat (405, 505), ein Reflexionsschichtsystem (410, 510) und wenigstens eine poröse Ausgasschicht (450, 550) auf, welche bei Bestrahlung der optischen Wirkfläche (400a, 500a) mit elektromagnetischer Strahlung zumindest zeitweise in der Ausgasschicht (450, 550) adsorbierte Teilchen freisetzt.
Abstract:
Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie dient zur Beleuchtung eines Objektfeldes mit Beleuchtungslicht. Die Beleuchtungsoptik hat einen ersten Facettenspiegel mit einer Mehrzahl von ersten Facetten auf einem ersten Spiegelträger, die zwischen mehreren Kippstellungen umstellbar sind. Dem ersten Facettenspiegel nachgeordnet ist ein zweiter Facettenspiegel (10) mit einer Mehrzahl von zweiten Facetten (11), die auf einem zweiten Spiegelträger (10a) um ein Facetten-Anordnungszentrum (12) angeordnet sind. Teilbündel des Beleuchtungslichts werden jeweils über Ausleuchtungskanäle, zu denen eine der ersten Facetten und eine der zweiten Facetten (11) gehört, einander überlagernd in das Objektfeld geführt. Am zweiten Spiegelträger (10a) sind randseitig zweite Maximalwinkel-Facetten (11 M ) angeordnet. Letztere geben maximal von einer Hauptstrahl-Inzidenzauf dem Objektfeld abweichende, maximale Beleuchtungswinkel des Beleuchtungslichts vor. Der zweite Spiegelträger (10a) hat einen Beleuchtungslicht-Fallenabschnitt (29), dessen Abstand zum Facetten-Anordnungszentrum (12) größer ist als ein Abstand der zweiten Maximalwinkel-Facetten (11 M ) zum Facetten-Anordnungszentrum (12). Bei einem weiteren Aspekt ist der Abstand des Beleuchtungslicht-Fallenabschnitts zum Facetten-Anordnungszentrum (12) höchstens so groß wie ein Abstand der Maximalwinkel-Facetten (1 M ) zum Facetten-Anordnungszentrum (12) und der Beleuchtungslicht-Fallenabschnitt ist zum Abführen von Wärmeenergie thermisch an einen Fallen-Kühlkörper angekoppelt. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der eine Störlichtunterdrückung ohne unerwünschte thermische beziehungsweise optische Auswirkungen möglich ist.
Abstract:
A mirror includes a mirror base provided with a flow channel through which a heat medium passes for cooling the mirror. The flow channel includes a buffer tank, portion for adjusting a flow rate of the heat medium in the flow channel. A reflective film is provided on the mirror base.
Abstract:
An optical collector (15) for collecting extreme ultraviolet radiation or EUV light generated at a central EUV production site comprises a reflective shell (25). To cope with the thermal loading of the collector and thereby avoid deformations, the reflective shell (25) preferably is mounted on and supported by a support structure (24), such that a cooling channel (29) is established between the back side of the reflective shell (25) and the support structure (24), the thickness of the reflective shell (25) is substantially reduced, such that the convective heat transfer between the back side of the reflective shell (25) and a cooling medium (26) flowing through the cooling channel (29) dominates the process of removing heat from the reflective shell (25) with respect to heat conduction, and a cooling circuit (33) is connected to the cooling channel (29) to supply a cooling medium (26) to the cooling channel (29) with a controlled coolant pressure and/or mass flow.
Abstract:
To provide an optical thin film structure capable of efficiently dissipating heat in an optical thin film which is generated upon irradiating a surface of an X-ray mirror made up of the optical thin film with an X-ray. The optical thin film having an isotope purity higher than a natural isotope abundance ratio is formed on a mirror to increase heat conductivity of the optical thin film itself and quickly dissipate heat accumulated in the thin film to the outside of an optical system. Consequently, the mirror having high reflectively can be obtained, in which a fine structure of the optical thin film is by no means broken.
Abstract:
To provide an optical thin film structure capable of efficiently dissipating heat in an optical thin film which is generated upon irradiating a surface of an X-ray mirror made up of the optical thin film with an X-ray. The optical thin film having an isotope purity higher than a natural isotope abundance ratio is formed on a mirror to increase heat conductivity of the optical thin film itself and quickly dissipate heat accumulated in the thin film to the outside of an optical system. Consequently, the mirror having high reflectively can be obtained, in which a fine structure of the optical thin film is by no means broken.
Abstract:
A method for producing a reflective optical component (10) for an EUV projection exposure apparatus, said component having a substrate (12) having a base body (14), and a reflective layer (20) arranged on the substrate (12), wherein the substrate (12) has an optically operative microstructuring (16), comprises the following steps: working the microstructuring (16) into the substrate (12), polishing the substrate (12) after the micro-structuring (16) has been worked into the substrate (12), applying the reflective layer (20) to the substrate (12). A reflective optical component for an EUV projection exposure apparatus correspondingly has a polished surface between the microstructuring and the reflective layer.
Abstract:
A reflector for an ultraviolet lamp can be used in a substrate processing apparatus. The reflector comprises a longitudinal strip extending the length of the ultraviolet lamp. The longitudinal strip has a curved reflective surface and comprises a plurality of through holes to direct a coolant gas toward the ultraviolet lamp. A chamber that uses an ultraviolet lamp module with the reflector, and a method of ultraviolet treatment are also described.