公开(公告)号：WO1992020087A1

公开(公告)日：1992-11-12

申请号：PCT/US1992003526

申请日：1992-04-30

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY

Inventor： EASTMAN KODAK COMPANY ,  EDWARDS, Jon, K. ,  ANAGNOSTOPOULOS, Constantine, N.

IPC: H01J01/30

CPC classification number: H01J31/12 ,  G06K15/1238 ,  G09G3/20 ,  G09G3/22 ,  H01J1/308

Abstract: Image source, for converting image data in the form of serial charges into a high-resolution imagewise light pattern, combines semiconductor charge-coupled devices for receiving the charges, associated small-scale field emission arrays for converting the charges to imagewise pattern of electron emissions, an electron multiplier for intensifying the electron emissions, and a luminescent phosphor layer susceptible to light output according to the impact of the intensified electron emission. The light output may be directed onto a photosensitive image recording medium to provide means for image recording. Second and third embodiments of the contemplated image source provide light output that forms an image to be viewed directly.

Abstract translation: 用于将以串行电荷形式的图像数据转换为高分辨率成像光图案的图像源组合用于接收电荷的半导体电荷耦合器件，用于将电荷转换成电子发射的成像模式的相关联的小尺度场发射阵列 ，用于增强电子发射的电子倍增器，以及根据强化的电子发射的影响对光输出敏感的发光荧光体层。 光输出可以被引导到感光图像记录介质上，以提供用于图像记录的装置。 预期图像源的第二和第三实施例提供形成要直接观看的图像的光输出。

公开(公告)号：WO2013014109A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/EP2012/064346

申请日：2012-07-20

Applicant: THALES ,  ALCATEL-LUCENT ,  JACQUET, Jean-Claude ,  AUBRY, Raphael ,  POISSON, Marie-Antoinette ,  DELAGE, Sylvain

Inventor： JACQUET, Jean-Claude ,  AUBRY, Raphael ,  POISSON, Marie-Antoinette ,  DELAGE, Sylvain

IPC: H01J23/04 ,  H01J1/308

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J23/04

Abstract: L'invention concerne un dispositif semi-conducteur d'émission d'électrons dans le vide comportant un empilement de q couches semi-conductrices (10, 20, 30, 40, 50), q étant un nombre supérieur à 2, de type N et P selon la séquence N/(P)/N formant une juxtaposition de deux jonctions en tête-bêche, les couches semi-conductrices étant réalisées en matériaux semi-conducteurs appartenant à la famille des lll-N, deux couches adjacentes de l'empilement formant une interface. Les matériaux semi-conducteurs des couches de l'empilement proches du vide, où les électrons atteignent une énergie élevée, ont une largeur de bande interdite Eg dont la valeur satisfait l'inégalité suivante : Eg > c/2, où c est l'affinité électronique du matériau semi-conducteur, la couche semi-conductrice de type P étant obtenue partiellement ou en totalité, soit par dopage en impuretés de type accepteur, soit par effet piézoélectrique de façon à faire apparaître une charge fixe négative (σ - ) dans l'une quelconque des interfaces entre les couches de l'empilement, un potentiel de polarisation positif appliqué à l'empilement de couches semi-conductrices fournissant, à une fraction des électrons circulant dans ledit empilement, l'énergie nécessaire à leur émission dans le vide par une zone émissive d'une couche de sortie L5 (50). Applications: cathodes froides pour tubes électroniques.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于真空中的电子发射的半导体器件，其特征在于，包括q个和p型半导体层（10,20,30,40,50）的堆叠，q的数量大于2， 的N /（P）/ N形成两个头 - 尾结的并置，半导体层由属于III-IV族的半导体材料制成，其中堆叠的两个相邻层形成界面。 靠近真空的堆叠层的半导体材料，其中电子达到高能量，具有带隙Eg，其值满足以下不等式：Eg> c / 2，其中c是电子 半导体材料的亲和性，p型半导体层通过掺杂受体杂质或通过压电效应部分或全部产生，以使负固定电荷（s-）出现在 堆叠层之间的界面，施加到半导体层堆叠的正极化电位，使得在所述叠层中循环的电子的一部分提供在真空中通过发射区域发射所需的能量 输出层L5（50）。 本发明可用于电子管的冷阴极。

公开(公告)号：WO2006061686A2

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：PCT/IB2005/003668

申请日：2005-12-05

Applicant: PRINS, Johan, Frans

Inventor： PRINS, Johan, Frans

IPC: H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/308

Abstract: A method of forming a cathodic device includes the steps of forming a p-type layer and an n-type layer below a surface of a substrate. The material has a conduction band which is at an energy level no more than 0.5 electron-Volts (eV) below the lowest vacuum energy level. The layers are formed so that they are in contact, with the p-type layer located between the surface and the n-type layer, and so that they form a p-n junction. The thickness of the p-type layer is somewhat less than the average distance which an electron injected into the p-type layer travels by diffusion and the thickness of the negatively charged depletion layer in the p-type layer is such that the difference between the thickness of the p-type layer and the thickness of the negatively charged depletion layer in the p-type layer is substantially less than the said average distance.

Abstract translation: 形成阴极器件的方法包括以下步骤：在衬底的表面下方形成p型层和n型层。 该材料具有低于最低真空能级的能级不超过0.5电子伏特（eV）的导带。 这些层被形成为使得它们接触，p型层位于表面和n型层之间，并且使得它们形成p-n结。 p型层的厚度稍微小于注入到p型层的电子通过扩散行进的平均距离，并且p型层中的带负电荷的耗尽层的厚度使得p型层之间的差异 p型层的厚度和p型层中的带负电荷的耗尽层的厚度基本上小于所述平均距离。

公开(公告)号：WO2005052978A2

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：PCT/JP2004017969

申请日：2004-11-25

Applicant: MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD ,  AIZAWA KOICHI ,  ICHIHARA TSUTOMU ,  KOMODA TAKUYA ,  IKEDA JYUNJI ,  BABA TORU

Inventor： AIZAWA KOICHI ,  ICHIHARA TSUTOMU ,  KOMODA TAKUYA ,  IKEDA JYUNJI ,  BABA TORU

IPC: B01J19/08 ,  G21K5/04 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J37/073 ,  H01J37/30 ,  H01J37/00

CPC classification number: G21K5/04 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J37/073 ,  H01J37/30

Abstract: Apparatus and method for modifying an object with electrons are provided, by which the object can be uniformly and efficiently modified with the electrons under a pressure substantially equal to atmospheric pressure even when having a relatively wide surface area to be treated. This method uses a cold-cathode electron emitter having the capability of emitting electrons from a planar electron emitting portion according to tunnel effect, and preferably comprising a pair of electrodes, and a strong field drift layer including nanocrystalline silicon disposed between the electrodes. The object is exposed to electrons emitted from the planar electron emitting portion by applying a voltage between the electrodes. It is preferred that an energy of the emitted electrons is selected from a range of 1 eV to 50 keV, and preferably 1 eV to 100 eV.

Abstract translation: 提供了用电子修饰物体的装置和方法，通过该装置和方法，即使具有相对较宽的待处理表面积，物体也可以在基本上等于大气压的压力下用电子均匀有效地修改。 该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部发射电子的能力的冷阴极电子发射体，并且优选地包括一对电极，以及包括设置在电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。 该物体通过在电极之间施加电压而暴露于从平面电子发射部分发射的电子。 发射电子的能量优选从1eV至50keV，优选1eV至100eV的范围内选择。

公开(公告)号：WO2005027172A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：PCT/JP2004/013873

申请日：2004-09-15

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  辰巳 夏生 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

Inventor： 辰巳 夏生 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J2237/06325 ,  H01J2237/3175

Abstract: 　従来に比べて、より小型で動作電圧が低く、高効率な電子放射素子およびこれを用いた電子線源を提供する。　光を陰極に照射するための発光素子を有し、陰極の少なくとも電子放出面がダイヤモンドからなる構成する。このような構成にすることによって、電子を引き出すための電圧は、従来より大幅に低下させることができ、低電圧駆動が可能な小型の電子放出素子を得ることができる。前記発光素子は、前記陰極と一体に形成されていることが望ましく、また発光素子と電極はダイヤモンドからなることが好ましい。更に、陰極の電子放出面は、ｎ型あるいはｐ型のダイヤモンド半導体であることが望ましい。

Abstract translation: 公开了一种电子发射器，其尺寸较小，工作电压较低，效率高于常规电子发射器。 还公开了使用这种电子发射体的电子束源。 电子发射器包括用于用光照射阴极的发光元件，并且至少阴极的电子发射表面由金刚石构成。 通过具有这样的结构，在电子发射器中提取电子的电压可以大大降低。 即，可以获得能够在低电压下工作的小型电子发射体。 上述发光元件优选与阴极一体形成。 发光元件和电极优选由金刚石构成。 此外，期望阴极的电子发射表面由n型或p型金刚石半导体组成。

公开(公告)号：WO2004102602A1

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：PCT/EP2004/050811

申请日：2004-05-14

Applicant: THALES ,  JACQUET, Jean-Claude ,  DELAGE, Sylvain ,  FLORIOT, Didier

Inventor： JACQUET, Jean-Claude ,  DELAGE, Sylvain ,  FLORIOT, Didier

IPC: H01J1/308

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J19/24 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127

Abstract: Un dispositif semi-conducteur d'émission d'électrons dans le vide comprend empilées, une première couche semi-conductrice de type n (9), une deuxième couche semi-conductrice de type p (7) qui forme une première jonction semi-conductrice (J1) avec la première couche, et une troisième couche semi-conductrice de type n (8), qui forme une deuxième jonction semi-conductrice (J12) avec la deuxième couche, et dont une zone (10) en surface est en contact avec le vide. La première jonction (J1) est polarisée en direct pour former un injecteur d'électrons La deuxième jonction (J2) est polarisée en inverse pour former un émetteur d'électrons dans le vide. Le matériau semi-conducteur de la deuxième couche à la couche de sortie incluses, au moins, a une largeur de bande interdite Eg satisfaisant 1’inégalité suivante: est l'affinité électronique du matériau. De préférence, une quatrième couche semi-conductrice (11) non intentionnellement dopée (nid) est disposée en sandwich entre la deuxième couche et la troisième couche ainsi qu'une cinquième couche semi-conductrice (9) disposée en sandwich entre la couche (6) et la couche (7) et dont le dopage est plus fable que les couches 6, 7 et 8. Application aux dispositifs électroniques et optoélectroniques utilisant une source d'électrons.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于真空电子发射的半导体器件，包括n型（9）的第一半导体层，p型（7）的第二半导体层的叠层，其形成第一半导体结（J1） 第一层和类型n（8）的第三半导体层，其与第二层形成第二半导体结（J12），其表面区域（10）面对真空。 第一结（J1）直接极化以形成电子注入器。 第二结（J2）具有反极化，在真空中形成电子发射体。 第二层到包含输入层的半导体材料具有满足以下不等式的禁止带宽Eg：Eg> chi / 2，其中chi是材料的电子亲和力。 非有意掺杂（nid）的第四半导体层（11）优选夹在第二和第三层之间，并且第五半导体层（9）夹在层（6）和层（7）之间，以 掺杂弱于层（6,7和8）。 以上是适用于使用电子源的电子和光电器件。

公开(公告)号：WO99067804A1

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：PCT/IB1999/001044

申请日：1999-06-07

IPC: H01J3/02 ,  H01J1/308 ,  H01J9/02 ,  H01J9/385 ,  H01J29/04 ,  H01J29/48

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/308

Abstract: An electron tube provided with a semiconductor cathode for emitting electrons, which semiconductor cathode is arranged on a support, a source being arranged in the vicinity of the cathode, in particular, so as to face the free (Si) surface of the cathode, which source is capable of evolving, at the increased temperatures occurring during evacuation of the tube in the manufacturing process, a reducing agent such as F2 or HF, which passivates the free (Si) surface of the cathode.

Abstract translation: 具有用于发射电子的半导体阴极的电子管，该半导体阴极布置在支撑体上，源极被布置在阴极附近，特别是面向阴极的自由（Si）表面， 源能够在制造过程中在管排空期间发生的升高的温度下进行放电，还原剂如F2或HF，其钝化阴极的游离（Si）表面。

公开(公告)号：WO99010908A1

公开(公告)日：1999-03-04

申请号：PCT/JP1998/003777

申请日：1998-08-25

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J2329/00

Abstract: An electron emitting device (100) having an emitter that emits electrons and has a structure including a first conductive electrode (102), a first semiconductor layer (103), a second semiconductor layer (104), an insulating layer (105), and a second conductive electrode (106) formed in order of mention one on another. The first and second semiconductor layers contains a chief component of one or more of carbon, silicon, and germanium. The first semiconductor layer contains at least one or more of carbon, oxygen, and nitrogen, that are different from the elements of the chief component.

Abstract translation: 一种具有发射电子并具有包括第一导电电极（102），第一半导体层（103），第二半导体层（104），绝缘层（105）和 形成有第一导电电极（106）的第二导电电极（106）。 第一和第二半导体层包含碳，硅和锗中的一种或多种的主要成分。 第一半导体层含有与主要成分的元素不同的碳，氧和氮中的至少一种以上。

公开(公告)号：JP5083874B2

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：JP2007178510

申请日：2007-07-06

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 大輔 竹内 ,  俊晴 牧野 ,  聡 山崎

IPC: H01J1/308 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J2201/308

公开(公告)号：JP2007109630A

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：JP2006189625

申请日：2006-07-10

Applicant: Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

Inventor： SON SEUNG-HYUN ,  KIM KI-YOUNG

IPC: H01J63/06 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/00 ,  F21Y105/00 ,  G02F1/13357 ,  H01J63/08

CPC classification number: H01J63/08 ,  G02F1/133602 ,  G02F2001/133625 ,  H01J1/308 ,  H01J29/481 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron-emitting light-emitting element capable of displaying an image by electron emission.
SOLUTION: This electron-emitting light-emitting element includes: a plurality of PN junction parts each having a depletion layer 34 having a predetermined thickness formed therein; an anode electrode 12 facing the depletion layer of the P-N junction part and separated from the depletion layer by a predetermined distance; and a phosphor layer 13 formed on the depletion layer 34 side of the anode electrode.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够通过电子发射显示图像的电子发射发光元件。 解决方案：该电子发射发光元件包括：多个PN结部分，其中形成有预定厚度的耗尽层34; 阳极电极12，其面对P-N结部分的耗尽层并与耗尽层分离预定距离; 以及在阳极电极的耗尽层34侧形成的荧光体层13。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT