公开(公告)号：KR100366191B1

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1019960702317

申请日：1994-10-26

Applicant: 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크.

Inventor： 쿠마,날린 ,  쉬에,쳉강

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30457

Abstract: A method is provided for fabricating a display cathode which includes forming a conductive line adjacent a face of a substrate. A region of amorphic diamond is formed adjacent a selected portion of the conductive line.

Abstract translation: 提供了一种制造显示阴极的方法，该方法包括在衬底的表面附近形成导电线。 非晶菱形的区域形成在导电线的选定部分附近。

公开(公告)号：KR1019950001486B1

公开(公告)日：1995-02-25

申请号：KR1019910010045

申请日：1991-06-18

Applicant: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 스티븐마이클짐머만

IPC: H01J31/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J21/105 ,  H01J2201/30457 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：SE7601660A

公开(公告)日：1976-08-19

申请号：SE7601660

申请日：1976-02-16

Applicant: PHILIPS NV

Inventor： VAN DEN BERG L O ,  LEENHOUTS A ,  VAN GORKOM G G P

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J37/073 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/304 ,  H01J37/28 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：JP4741764B2

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：JP2001294940

申请日：2001-09-26

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 三千代 西村

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J1/00 ,  H01J1/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/30469

公开(公告)号：JP4103961B2

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：JP2005282977

申请日：2005-09-28

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 貴壽 山田 ,  真一 鹿田

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  C23C16/274 ,  C23C16/278 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：JP3987591B2

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：JP18436895

申请日：1995-07-20

Applicant: 三星エスディアイ株式会社

Inventor： 鍾 ミン 金

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：JP3967791B2

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：JP7901697

申请日：1997-03-13

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： エリック・ピー・メニュー ,  ジョン・ソン ,  バーナード・エフ・コール

IPC: H01J9/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/548 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JP3857798B2

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：JP1242498

申请日：1998-01-26

Applicant: スミスズ グループ ピーエルシーSmiths Group Plc ,  ワン ナン ワンWang Nang Wang

Inventor： アンソニー フォックス ニール ,  ナン ワン ワン

IPC: H01J1/308 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J17/06 ,  H01J61/06 ,  H01J61/067 ,  H01J63/02 ,  H01J63/08

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J17/066 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/78 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：JP3832840B2

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：JP52375696

申请日：1996-01-31

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： ディヴィッド エル バージェロン ,  ロジャー ダブリュー バートン ,  ジョン エム マコーリー ,  ジェフリー ディー モース

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JPWO2004088703A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：JP2005504304

申请日：2004-03-26

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 夏生 辰巳 ,  夏生 辰巳 ,  今井　貴浩 ,  貴浩 今井

IPC: H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  H01J23/04 ,  H01J23/06

CPC classification number: H01J23/04 ,  H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J23/06 ,  H01J2201/30457

Abstract: この発明は、高周波化と高出力化の両立が図られた冷陰極電子源と、これを用いたマイクロ波管及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る冷陰極電子源においては、アスペクト比Rが4以上となるようにエミッタ(24)の先端が先鋭化されているため、ゲート電極(16)から遠ざかった分だけ、エミッタ(24)とゲート電極(16)と間の静電容量が小さくなっている。そのため、冷陰極電子は高周波に対応することが可能である。なお、この冷陰極電子源の陰極材料には、タングステンやシリコン等の従来の陰極材料ではなく、融点と熱伝導率の高いダイヤモンドが用いられている。そのため、エミッタ(24)内を流れる電流の電流密度が高い場合であってもエミッタ(24)が溶融しにくいので、この冷陰極電子源は高出力に対応することが可能である。