公开(公告)号：CN101672934A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200810304473.5

申请日：2008-09-11

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 洪新钦

IPC: G02B1/10 ,  C23C14/34 ,  C23C14/22

CPC classification number: C23C14/541 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/2001

Abstract: 本发明涉及真空溅射镀膜设备，一种用于对工件进行镀膜的镀膜设备，其包括具有开口的第一腔体、设置在所述开口处的挡板和红外线加热单元，所述红外线加热单元设置在所述第一腔体中，所述红外线加热单元发出红外线对所述工件加热，所述挡板将所述红外线加热单元密封在所述第一腔体中，所述红外线通过所述挡板后对所述工件进行加热。红外线通过红外线穿透视窗后对工件进行加热，使得红外线加热单元不会受到其他物质的干扰、加热稳定。

公开(公告)号：CN100585828C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200810146703.X

申请日：2008-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/68 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种被处理基板的温度控制性良好，没有在整个基板上拔热量在局部发生突变这样的异常点的基板载置台。在基板载置台的表面设置传热用气体的流入口和流出口，形成将基板载置台表面与基板之间的密闭空间作为流路的稳定的气流，在该流路中设置各种障碍物以调整气体的易流动性(流导)，在气体的流入口与流出口之间产生10Torr至40Torr的差压。由于气体的传热率与压力成正比，所以可利用该差压来调整被处理基板的温度分布。

公开(公告)号：CN101379600A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004289.2

申请日：2007-01-29

Applicant: 阿尔卡特朗讯公司

Inventor： M·皮埃什

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的主题是一种在非常低的温度下通过高密度氟化气体等离子体各向异性刻蚀硅衬底的方法，其特征在于，所述等离子体由包含了含氟的刻蚀气体、含氧的钝化气体和含氯的反应气体的气体混合物形成，在所述方法中，所述钝化气体的流速和所述反应气体的流速相对于所述刻蚀气体的流速的各自的按体积的比率小于0.15。优选地，所述含氟的刻蚀气体是六氟化硫SF6，所述含氧的钝化气体选自氧气O2、臭氧O3和二氧化硫SO2，且所述含氯的反应气体是四氯化硅SiCl4。

公开(公告)号：CN101334345A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810127715.8

申请日：2008-06-27

Applicant: FEI公司

Inventor： M·F·海尔斯 ,  U·鲁克肯

IPC: G01N1/36 ,  G01N1/00

CPC classification number: G01N1/286 ,  G01N1/06 ,  G01N1/42 ,  G02B21/32 ,  H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/31745

Abstract: 本发明涉及将样品连接到操纵装置上的方法。本发明尤其涉及为了TEM(透射电子显微镜)检查，从衬底上提取例如玻璃化生物样品的冷冻水合样品，并将所述样品连接到操纵装置上。这种水合样品应该保持在低温温度以避免形成冰。通过熔化或升华该样品材料的将在TEM中研究的区域之外的一部分并将该材料冷冻至操纵装置(10)上，在样品(1)和操纵装置之间形成粘合。这允许将该样品从衬底上传送至例如TEM格栅。在优选实施方案中，操纵装置(10)的一部分(2)保持在低温温度，并且通过电加热顶端而加热该操纵装置的顶端(3)并且之后将该操纵装置的顶端冷却至低温温度而引起该熔化或升华，由此将该样品(1)冷冻至该操纵装置上。

公开(公告)号：CN101266909A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810088429.5

申请日：2002-10-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 元井泰子 ,  上野理惠

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J37/30 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  G01N23/225 ,  G01N23/223

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2814 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明提供一种截面评估装置，其能够在样品温度被调节的状态下分析截面结构。本发明还公开了一种信息获取装置，其包括用于放置样品的平台、用于调节样品的温度的温度调节装置、用于使想要得到信息的样品的表面曝光的曝光装置、以及用于获取与由曝光装置曝光的表面有关的信息的信息获取装置。

公开(公告)号：CN100401852C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN02811946.0

申请日：2002-04-23

Applicant: 科林研发公司

Inventor： 尼尔·本杰明 ,  罗伯特·斯蒂格

IPC: H05B3/16 ,  H05B3/44 ,  H05B3/68 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明揭示一种用于一等离子处理机的卡盘，其包括一温控基座(302)、一热绝缘体(304)、一平支架(306)以及一加热器(308)。该温控基座(302)的温度低于一工件(310)的需要温度。热绝缘体(304)装设于温控基座(302)之上。平支架(306)夹持一工件(310)且其装设于热绝缘体(304)之上。一加热器(308)埋置于平支架内及/或装设于该平支架的一底面上。该加热器包括可加热多个对应加热分区的多个加热元件。每一加热元件的电源及/或温度是独立控制的。

公开(公告)号：CN100388434C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200380110150.8

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  田中澄 ,  山本薰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 半导体处理用的基板保持结构(50)包括配置在处理室(20)内的、放置被处理基板(W)的放置台(51)。在放置台(51)内形成收容作为热交换介质而使用的流体的温度调节空间(507)。为了将高频电力导入放置台(51)而配置导电性传送路径(502)。在传送路径(502)内形成有相对温度调节空间(507)进行热交换介质流体的供给或者排出的流路(505、506)。

公开(公告)号：CN101147244A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009019.6

申请日：2006-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置的处理室内，将被处理基板载置在载置台上，一边利用加热单元通过载置台将被处理基板加热至700℃以上的处理温度，一边对被处理基板进行处理，在该基板处理方法中，将被处理基板搬入到处理室中，在将其载置在载置台上的状态下进行第一预加热，直至被处理基板到达规定温度，接着，使载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下进行第二预加热，此后，使基板支撑销下降，将被处理基板载置在载置台上，进行等离子体氧化处理等处理。

公开(公告)号：CN1735709A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200480002115.9

申请日：2004-01-13

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： A·帕朗基普

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 简单地增加ALP的方法，本发明的优选实施方式包括增加ALP处理量的方法，该方法通过持续调节反应器中的气流，以获得晶片上的逐层生长而实现。第一反应物以载气的某一百分比被引入。第一时间间隔之后，第一反应物流量被降低，而载气流量被增加，以维持近似恒定的总气流。当第一反应物流量达到最小预先设定的数量时，第二反应物流被起动，并被增加，同时载气流量被降低，以维持恒定的总气流。该方法可替换性地包括增强反应物吸收和化学吸附的物质，该物质或者作为与表面反应的第一施加气体，或者作为反应物的附加的配体。还可进一步可替换性地包括周期性快速热退火以改善模性质，并行晶片处理和反应物容器。

公开(公告)号：CN1596462A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN02823839.7

申请日：2002-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司 ,  远藤升佐 ,  永关一也 ,  窪田知也 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器(102)内的一对电极中的下部电极110施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装置(100)中，该等离子体装置由传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)构成，传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)使将被处理体控制为规定温度用的传热气体供给吸附保持被处理体的静电卡盘(112)和被处理体间的微小空间S内的传热气体供给部(120)相对由供给电极的高频功率所产生的电场方向倾斜。