公开(公告)号：CN104903491A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380068470.5

申请日：2013-12-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 玉垣浩 ,  芳贺润二

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/503

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/6776

Abstract: 提供一种即使持续长时间使用也不花费清扫等工夫、能够在维持稳定的成膜条件的同时以高生产效率进行成膜处理的等离子体化学气相沉积装置（100）。等离子体化学气相沉积装置（100）包括成膜室（1）和与成膜室（1）分开的加载互锁真空室（20、30），是在这些室间输送基材并在基材上生成成膜的连续式。成膜室（1）包括真空腔室（2）、将真空腔室（2）内的空气排出的真空排气机构（3）、向真空腔室（2）内供给原料气体的气体供给部（9）、和使真空腔室（2）内产生等离子体的等离子体产生电源（10）。在成膜室（1）中，基材被分为与等离子体产生电源（10）的一极连接的第1组（18）、和与等离子体产生电源（10）的另一极连接的第2组（19），在相互为不同极性的第1组（18）的基材与第2组（19）的基材之间产生等离子体。

公开(公告)号：CN102388467B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080012883.8

申请日：2010-03-15

Applicant: 欧瑞康先进科技股份公司

Inventor： S·沃瑟 ,  O·拉通德 ,  M·杜布斯 ,  G·法伊斯特里策 ,  V·维斯滕哈根 ,  G·多维德斯

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

Abstract: 通过相应地将处理步骤再分成在串联式接续处理站中执行的子步骤来使通过串联式技术制造薄膜太阳能板的生产量与不同的表面处理步骤的时间长度基本上无关。接续处理站的每个处理站中的处理持续时间相等(τ)。

公开(公告)号：CN104517892A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410521390.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 康胡 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  钱俊 ,  金万基 ,  丹尼斯·豪斯曼 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: H01L21/762

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明涉及使用复合PEALD和PECVD方法的可变深宽比特征的间隙填充，具体提供了用于填充半导体衬底上的一个或多个间隙的方法及设备。公开的实施方式尤其适用于在窄特征和宽特征中进行无接缝无孔洞的填充。所述方法可以在没有任何中间蚀刻操作的情况下进行以获得单步沉积。在多种实施方式中，使用新型PEALD填充机理进行第一操作以填充窄间隙并且在宽间隙中形成衬里。可以使用PECVD方法进行第二操作以继续填充宽间隙。

公开(公告)号：CN104392947A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410587106.6

申请日：2009-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·贝赫加德 ,  栗田真一 ,  稻川真 ,  S·安瓦尔

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67236

Abstract: 本发明一般包括用于将大面积基板传送进入真空处理腔室的加载锁定腔室。所述加载锁定腔室可以具有一或多个分隔开且环境隔离的环境。各个处理环境可以具有数个用以抽吸真空的排气端口。所述排气端口可以位于所述处理环境的角落。当基板自工厂界面而置入所述加载锁定腔室时，所述环境可能需要被排空。由于所述排气端口位于所述环境的所述角落，故可能存在的任何微粒或污染物会被抽吸至最接近的角落，而在不会被抽吸跨越所述基板的前提下，离开所述加载锁定腔室。因此，可降低基板的污染。

公开(公告)号：CN104246977A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380017310.8

申请日：2013-03-26

Applicant: 国际电气高丽株式会社

Inventor： 朴用城 ,  李成光 ,  金东烈 ,  金基勋

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/14 ,  C23C16/04 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/54 ,  C30B25/10 ,  C30B29/06 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明提供一种选择性外延生长装置。本发明的选择性外延生长装置包括：工艺管，包括内管和包围所述内管的外管，所述内管收容用于收纳多个基板的基板搭载单元，加热组件，包围所述工艺管，侧部喷嘴部，铅垂设置于所述工艺管的内侧；所述侧部喷嘴部包括第一侧部喷嘴及第二侧部喷嘴，所述第一侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的蚀刻气体，所述第二侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的沉积气体。

公开(公告)号：CN102246266B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN200980149748.5

申请日：2009-09-29

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 木内雅人 ,  后藤崇之 ,  田原谕 ,  津野武志 ,  内海淳 ,  井手健介 ,  铃木毅典

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  H01L21/677 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B23K20/02 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67201 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/17

Abstract: 本发明涉及一种常温接合装置，该常温接合装置包括：负载固定室，内部气压被减压；卡盘，设置于该负载固定室内部。这时，该卡盘在该基板承载于该卡盘上时，形成与该基板接触的岛部分。该岛部分形成有流路，该流路在该基板承载于该卡盘上时，使该卡盘与该基板夹着的空间与外部连接。在该负载固定室内部的气压减压时，该卡盘和该基板夹着的空间内填充的气体通过该流路向外部排气。因此，这样的常温接合装置，在该气压减压时，该气体可以防止该基板相对于该卡盘移动。

公开(公告)号：CN104094394A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007505.4

申请日：2013-01-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·布施贝克 ,  J·亨里希 ,  A·洛珀

IPC: H01L21/677 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67739 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明提供一种动态负载锁定腔室，该动态负载锁定腔室包括沿该动态负载锁定腔室的长度放置以实现从腔室的大气压力侧至处理压力侧的期望气压梯度的数个致动器。该腔室包括传输带，该传输带连续贯穿腔室以完成以下步骤：若基板位于生产线的入口侧，则将基板从腔室的大气压力侧传输至处理压力侧，且若基板经放置于生产线的出口侧，则将基板从腔室的处理压力侧传输至大气压力侧。分离机构可附接于输送带以将腔室内的分散区域分离成数个分散容积。基板可设置在分离机构之间，使得在传输基板穿过腔室时维持腔室内的邻近压力区域之间的分离。

公开(公告)号：CN103939628A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410128270.0

申请日：2009-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梅兰·贝德亚特 ,  栗田真一 ,  约翰·M·怀特 ,  苏希尔·安瓦尔 ,  稻川真

IPC: F16K1/24

CPC classification number: H01L21/67201 ,  F16K15/147 ,  F16K51/02 ,  H01L21/67126

Abstract: 在此公开的实施方式与一种用于密封一腔室中的开口的狭缝阀门装置有关。当狭缝阀门开口收缩时，压向该腔室以密封一狭缝阀开口的一狭缝阀门与该腔室一起移动，使得受压于该狭缝阀门与该腔室之间的一O形环与该狭缝阀门和该腔室一起移动。因此，O形环对腔室发生摩擦的情形会较少。由于较少摩擦，产生的颗粒可较少，因而可延长O形环的使用寿命。由于O形环的使用寿命较长，基板处理量即可增加。

公开(公告)号：CN103765571A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280038556.9

申请日：2012-08-02

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 南繁治 ,  井上智己

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67739 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67201 ,  H01L2221/68304

Abstract: 本发明提供一种真空处理装置(100)，其能够抑制处理的吞吐量的下降，为此，真空处理装置具备：多个真空搬运室(41，42)，其配置在大气搬运室(21)的后方，搬运被处理晶片，在真空搬运室的周围连结真空处理室(61，62，63)，真空处理室对所述被处理晶片使用等离子体实施处理；中间室(32)，其在所述真空搬运室(41，42)之间搬运的期间，载置并收纳所述被处理晶片；以及锁止室(31)，其在所述真空搬运室与所述大气搬运室(21)的背面之间配置，真空处理装置将在载置于处理盒台上的处理盒内收纳的所述被处理晶片经所述锁止室(31)向所述多个真空处理室(61，62，63)的任一个搬运而实施处理，在所述中间室(32)内配置有假晶片的收纳部，所述假晶片的收纳部当在所述处理室(61，62，63)内形成等离子体并在与所述处理不同的条件下，在各处理室(61，62，63)使用假晶片进行的处理时配置在所述处理室(61，62，63)内。

公开(公告)号：CN103681405A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310001145.9

申请日：2013-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈宪聪 ,  黄文郁 ,  柯力仁 ,  沈香吟

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67763 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明提供了一种半导体加工装置的一个实施例。该半导体加工装置包括：被设计成接收晶圆载体的装载锁；被配置成保持从装载锁接收的晶圆载体并对该晶圆载体实施氮气净化的内晶圆载体缓冲区以及被设计成对来自晶圆载体的晶圆实施半导体工艺的加工模块。本发明还提供了一种具有内晶圆载体缓冲区的半导体装置和方法。