半导体装置和半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102222622A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN201110094367.0

    申请日:2011-04-12

    Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。在具有位于板(10)上的线圈层部分(21)的半导体装置的制造方法中,制备两个分别具有平坦表面的支承基板(80),以及在每个支承基板的平坦表面上形成构件(30,40,50,60)。所述构件包括具有预定图案的布线部分(32,42,52,62)和包围该布线部分的绝缘膜(31,41,51,61)。布线部分设有从绝缘膜暴露的连接部分(32a,32b,42a,42b,52a,52b,62a,62b)。线圈层部分(21)在支承基板(80)的平坦表面相互平行的条件下通过使形成在支承基板(80)上的构件(30,40,50,60)彼此相对并结合形成。线圈(20)通过经由连接部分连接布线部分形成在线圈层部分中。

    电容器嵌入式印刷电路板
    64.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101267709B

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200810008325.9

    申请日:2008-02-22

    Abstract: 一种电容器嵌入式印刷电路板(PCB),该PCB包括:多层聚合物电容器层,其中层叠有多个聚合物片;一个或多个第一内电极和第二内电极,通过多个聚合物片中的一个或多个被分离并且被交替地设置以形成一对;多个第一延伸电极和第二延伸电极,分别连接至第一内电极和第二内电极;一个或多个绝缘层,层叠在多层聚合物电容器的一个或两个表面上,在绝缘层中形成有构成层间电路的多个导电图案和导电通孔;多个用于电容器的第一通孔,穿透多层聚合物电容器层以被连接至第一延伸电极;以及多个用于电容器的第二通孔,穿透多层聚合物电容器层以被连接至第二延伸电极,其中多个第一和第二延伸电极交替设置成彼此相对。

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